PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  resistive layer
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Warstwy NiCuP wytwarzane w procesie bezprądowej metalizacji
Kowalik Piotr, Wróbel Edyta
Przegląd Elektrotechniczny
|
2023
|
R. 99, nr 4
224--226
PL
W pracy przedstawiono metodykę wytwarzania warstw o rezystancji powierzchniowej w zakresie 0,1÷10,0. Stwierdzono, że dodatek miedzi wpływa na obniżenie rezystancji końcowej. W pracy określono optymalne warunki prowadzenia procesu wytwarzania tych warstw. Dodatek miedzi sprawia, że stop NiCuP doskonale nadaje się do wytwarzania pól kontaktowych i warstw przewodzących. Dodatkową zaletą jest możliwość selektywnego nanoszenia tych warstw na różnych podłożach
EN
The paper presents the methodology of producing layers with surface resistance in the range of 0.1 ÷ 10.0. It was found that the addition of copper reduces the final resistance. The paper specifies the optimal conditions for the production of these layers. The addition of copper makes the NiCuP alloy perfectly suitable for the production of contact fields and conductive layers. An additional advantage is the ability to selectively apply these layers on various substrates.
2
Content available remote Conductive and resistive layers based on Ni-P alloy made by selective metallization
Kowalik Piotr, Wróbel Edyta
Przegląd Elektrotechniczny
|
2023
|
R. 99, nr 8
188--191
EN
The article presents the results of the authors work on the application of layers based on Ni-P alloy in electronics. The authors proved that these layers can be used to make conductive and resistive paths on ceramic and silicon substrates. The innovativeness of the work carried out is expressed in the combination of electroless metallization technology and photochemical technology for selective deposition of layers of any shape.
PL
W artykule przedstawiono wyniki prac autorów nad zastosowaniem warstw na bazie stopu Ni-P w elektronice. Autorzy udowodnili, że warstwy te można wykorzystać do wykonywania ścieżek przewodzących i rezystancyjnych na podłożach ceramicznych i krzemowych. Innowacyjność prowadzonych prac wyraża się w połączeniu technologii metalizacji bezprądowej oraz technologii fotochemicznej do selektywnego osadzania warstw o dowolnym kształcie.
3
Content available remote Resistive Ni-W-P layers obtained by chemical metallization method
Kowalik P., Pruszowski Z.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 9
105-106
EN
The paper describes a new method of obtaining of Ni-W-P resistor layers, featuring elevated electrical stability. Such layers may be introduced into the manufacturing process of precise metal film resistor.
PL
Artykuł opisuje nową metodę uzyskiwania warstw rezystywnych Ni-W-P, charakteryzujących się podwyższoną stabilnością elektryczną. Warstwy te mogą być wykorzystane do procesu wytwarzania precyzyjnych rezystorów warstwowych.
4
One-stage substrate activation using in resistive layer formation
Kowalik P., Pruszowski Z., Rymaszewska D.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 9
98-99
EN
The paper presents a comparison of electrical parameters of a resistive layer formed on a ceramic substrate by way of chemical reduction, the subject of comparison being the process of metal plating carried out through two-stage and one-stage activation of the metallized substrate.
PL
Praca prezentuje porównanie parametrów elektrycznych warstw rezystywnych Ni-P osadzonych na podłożu ceramicznym w procesie jedno- i dwuetapowej aktywacji.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.