Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  resistance noise
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
Studies of electrical properties, including noise properties, of thick-film resistors prepared from various resistive and conductive materials on LTCC substrates have been described. Experiments have been carried out in the temperature range from 300 K up to 650 K using two methods, i.e. measuring (i) spectra of voltage fluctuations observed on the studied samples and (ii) the current noise index by a standard meter, both at constant temperature and during a temperature sweep with a slow rate. The 1/f noise component caused by resistance fluctuations occurred to be dominant in the entire range of temperature. The dependence of the noise intensity on temperature revealed that a temperature change from 300 K to 650 K causes a rise in magnitude of the noise intensity approximately one order of magnitude. Using the experimental data, the parameters describing noise properties of the used materials have been calculated and compared to the properties of other previously studied thick-film materials.
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań rezystancyjnego szumu 1/f obserwowanego w rezystorach grubowarstowych. Badania szumu prowadzono w funkcji temperatury oraz napięcia polaryzacji. Zaobserwowano, że wzrost napięcia polaryzacji rezystora oraz temperatury powodują stłumienie szumu. W celu wytłumaczenia obserwowanych zjawisk zaproponowano model przewodnictwa skokowego uwzględniający sprzężenie pomiędzy lokalnym polem elektrycznym i temperaturą elektronów. We wnioskach wskazano związek pomiędzy wykładnikiem opisującym tłumienie szumu przez napięcie polaryzacji i wykładnikiem opisującym sprzężenie elektrotermiczne.
EN
1/f noise has been observed in laboratory prepared thick film resistors in temperature down to 0.3K. It has been revealed that bias voltage supresses noise magnitude. Hopping model of electrical transport taking into account both inhomogeneity of resistive material and electrothermal feedback has been proposed in order to explain above phenomenon. The relation of exponent describing noise magnitude suppression with bias voltage and electrothermal feedback exponent has been shown.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.