Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  relaxor ferroelectrics
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
The research presented in this paper concerns BaBi2Nb2O9 (BBN) which is the member of the Aurivillius family and seems to be interesting from the point of view of its potential applications in storage media. Our investigations focused on temperature dependence crystal structure and mechanical properties of this ceramics as well as on the dielectric properties of samples. Correlation between positions of the maximum of the real part of electric permittivity and the behavior integral width of diffraction lines XRD versus temperature had been discussed based of the presence of polar nano-regions with orthorhombic distortion in macroscopic tetragonal matrix.
PL
Wyniki badań przedstawionych w niniejszej pracy dotyczą ceramiki BaBi2Nb2O9 (BBN), która należy do rodziny materiałów o strukturze Aurivillius’a. Materiały te są bardzo interesujące z punktu widzenia zastosowań w urządzeniach elektronicznych. Przeprowadzone badania umożliwiły określenie temperaturowych zmian struktury krystalicznej oraz własności mechanicznych badanej ceramiki. Otrzymane zależności porównano z wynikami badań dielektrycznych. Stwierdzone korelacje pomiędzy położeniami maksimów na wykresie temperaturowej zależności rzeczywistej części przenikalności elektrycznej a zachowaniem całkowej szerokości połówkowej linii dyfrakcyjnych zostały przedyskutowane z uwzględnieniem obecności nano-obszarów polarnych o dystorsji rombowej w tetragonalnej makroskopowej matrycy.
2
Content available remote Sintering Time Dependence of BaBi2Nb2O9 Ceramics Properties
EN
The results of investigation of influence of sintering time on grain structure and ferroelectric relaxor properties are presented. The grain structure analysis performed by the scanning electron microscope (SEM) exhibits differences in grain size of the ceramics sintered for various time at the constant temperature. Namely, the grain sizes increase with the increase of the sintering time. This fact results in changes in dielectric properties. The temperature position of maximum of permittivity shifts to higher values.
PL
W niniejszej pracy prezentowany jest wpływ czasu spiekania na strukturę ziarnista i właściwości relaksorowe ceramiki BaBi2Nb2O9. Analiza tej struktury, przeprowadzona przy użyciu skaningowego mikroskopu elektronowego (SEM), ujawnia różnice w rozmiarach ziaren spiekanych w różnych czasach ale w stałej temperaturze. Mianowicie rozmiary ziaren wzrastają wraz ze wzrostem czasu spieku. Ponadto długość czasu spieku ma również wpływ na zmiany własności dielektrycznych.
3
Content available remote Light Influence on Nanomechanical Characterisation of PLZT Ceramics
EN
The relaxor ferroelectrics materials are continuously attracting considerable attention due to interesting combination of their mechanical, electrical and chemical properties and their application in microelectromechanical devices (MEMS and HOEMS). To be more specific, their excellent electrostrictive and photostrictive properties coupled with domain mobility and good stability made these "new materials" important component of electroceramics MEMS platforms. Concerning fabrication of these systems the real dilemma for industry stems from mechanical properties of the component in ultra-high stresses that arise in microelectromechanical applications and high residual stress that is created during production process. It is already known that mechanical behaviour of these ferroelectric materials largely depends on random elasto-electric fields connected with the defects distribution and diffusion of defect charges driven by applied external stress. The aim of this paper is an investigation of light induced mechanical anisotropy for polycrystalline and highly photostrictive PLZT ceramics. We demonstrate that mechanical testing can be effectively used for drawing decisive applications conclusions from the hardness and elastic modulus distribution. Technological modification of ferroelectric materials significantly affect mechanical properties. Particularly in PLZT ceramics we observed light influenced significant changes in values of hardness and Young Modulus as well as a friction coefficient.
PL
Relaksory ferroelektryczne są wciąż przedmiotem intensywnych badań naukowych ze względu na interesującą kombinację ich mechanicznych, elektrycznych i chemicznych własności znajdujących zastosowanie w mikromechanicznych urządzeniach (MEMS i HOEMS). W szczególności ich wysokie parametry elektrostrykcyjne i fotostrykcyjne w połączeniu z dużą ruchliwością domen ferroelektrycznych i wysoką odpornością na zmęczenie ferroelektryczne stanowią o ich wysokiej pozycji w aplikacjach MEMS. Przy długoczasowych aplikacjach niezwykle istotnym stają się dobre własności mechaniczne. Powszechnie wiadomo, że mechaniczne charakterystyki materiałów ferroelektrycznych w dużej mierze zależą od przypadkowych pół elektrycznych i naprężeń mechanicznych powiązanych z rozkładem defektów i dyfuzją ładunków defektowych spowodowanych przez naprężenia mechaniczne. Celem tego artykułu jest wyjaśnienie wpływu warunków technologicznych na twardość mechaniczną ceramiki PLZT.
4
Content available remote Electrical properties of 0.90Pb[(Mg,Zn)1/3Ta2/3]O3-0.10PbTiO3 relaxor
EN
Polycrystalline 0.90Pb[(Mg2/3Zn1/3)1/3Ta2/3] O3-0.10PbTiO3 having a tetragonal perovskite type structure was prepared by the high temperature solid-state reaction method. Dielectric studies showed the relaxor behaviour with diffuse phase transition. High value of ∈max > 10000 was realized with the temperature of the permittivity maximum (Tm) around room temperature at 1 kHz. The frequency dependence of Tm has been modeled using Vogel-Fulcher relation. The dielectric relaxation in the present system was found analogous to the magnetic relaxation in spin-glass system. The shape of the complex impedance curve indicated that the system exhibited almost Debye type dielectric relaxation at 350 °C, where as non-Debye character was observed at temperatures ≥ 325 °C. Further the relaxation frequency was found to shift towards higher frequencies with an increase in temperature.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.