PL
 |
EN
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 12 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
  2. 3 Prace Instytutu Elektrotechniki
  3. 2 Optica Applicata
  4. 2 Opto-Electronics Review
  5. 2 Przegląd Elektrotechniczny
Więcej...
Autorzy help
  1. 8 Tadaszak K.
  2. 6 Posadowski W. M.
  3. 5 Wiatrowski A.
  4. 3 Brudnik A.
  5. 3 Suszko T.
Więcej...
Lata help
  1. 1 2021
  2. 1 2018
  3. 1 2016
  4. 1 2015
  5. 1 2014
Więcej...
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 26

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  reactive magnetron sputtering
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Content available Solar cells based on copper oxide and titanium dioxide prepared by reactive direct-current magnetron sputtering
Wisz Grzegorz, Sawicka-Chudy Paulina, Sibiński Maciej, Starowicz Zbigniew, Płoch Dariusz, Góral A., Bester Mariusz, Cholewa M., Woźny Janusz, Sosna-Głębska A.
Opto-Electronics Review
|
2021
|
Vol. 29, No. 3
97--104
EN
In this study, solar cells based on copper oxide and titanium dioxide were successfully manufactured using the reactive direct-current magnetron sputtering (DC-MS) technique with similar process parameters. TiO₂/CuO, TiO₂/Cu₂O/CuO/Cu₂O, and TiO₂/Cu₂O solar cells were manufactured via this process. Values of short-circuit current efficiencies, short-circuit current density, open-circuit voltage, and maximum power of PV devices were investigated in the range of 0.02÷0.9%, 75÷350 µA, 75÷350 µA/cm², 16÷550 mV, and 0.6÷27 µW, respectively. The authors compare solar cells reaching the best and the worst conversion efficiency results. Thus, only the two selected solar cells were fully characterized using I-V characteristics, scanning electron microscopy, X-ray diffraction, ellipsometry, Hall effect measurements, and quantum efficiency. The best conversion efficiency of a solar cell presented in this work is about three times higher in comparison with the authors’ previous PV devices.
2
Content available remote Optical properties of Ti-Al-C-N films: effects of deposition parameters and carbon content
Klimovich I., Komarov F., Zaikov V., Opielak M., Kołtunowicz T. N.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 6
78--81
EN
Ti-Al-C-N films were obtained by reactive magnetron sputtering method under different deposition parameters (substrate temperature, bias voltage and relation between reactive gases partial pressure). Structure, elemental, phase and chemical compositiosn of the films were determined by scanning electron microscopy, energy dispersive X-ray analysis, X-ray diffraction and Raman scattering. It was found that the deposition parameters affect on the compositions and optical characteristics of Ti-Al-C-N coatings. The minimum absorptance and maximum reflectance correspond to Ti-Al-C-N film with carbon content of 36.44 at %.
PL
Warstwy Ti-Al-C-N uzyskano za pomocą metody reaktywnego napylania magnetronowego dla różnych parametrów osadzania (temperatura podłoża, napięcie odchylenia i zależność między ciśnieniem cząstkowym reaktywnych gazów). Struktura, faza oraz skład chemiczny warstw zostały określone za pośrednictwem skaningowej mikroskopii elektronowej, analizy rentgenowskiej dyspersji energii, dyfraktometrii rentgenowskiej i rozproszenia Ramana. Odkryto, że parametry napylania mają wpływ na kompozycję i charakterystyki optyczne powłok Ti-Al-C-N. Minimalna absorpcja i maksymalny współczynnik odbicia uzyskane zostały dla warstw Ti-Al-C-N o zawartości węgla wynoszącej 36.44%.
3
Osadzanie i charakteryzacja cienkich warstw dielektrycznych AlOxNy
Firek P., Veklych A., Sochacki M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 10
54--57
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań warstw dielektrycznych tlenkoazotku glinu (AlOxNy), wytworzonych metodą reaktywnego osadzania magnetronowego na podłożach krzemowych oraz węgliko-krzemowych. Zbadany został wpływ parametrów technologicznych procesu na najważniejsze parametry elektrofizyczne uzyskiwanych warstw. Redukcja liczby eksperymentów przy użyciu tablic ortogonalnych Taguchi’ego oraz charakteryzacja optyczna i elektryczna struktur MIS (Metal-Isolator-Semiconductor) wytwarzanych na podłożach Si w pierwszej części pracy umożliwiły dokonanie wyboru najkorzystniejszych parametrów procesów osadzania z punktu widzenia docelowych parametrów warstwy dielektrycznej. Pozwoliło to w dalszej kolejności na realizację odpowiednich procesów osadzania na podłożach SiC, które zostały przeanalizowane w drugiej części pracy. Uzyskane wyniki badań wskazały potencjalne zastosowanie warstw dielektrycznych na bazie glinu, które mogą zostać wykorzystane jako warstwy pasywujące w przyrządach wysokonapięciowych.
EN
In this work, the results of investigations of aluminum oxynitride (AlOxNy) dielectric thin films, deposited by reactive magnetron sputtering on silicon and silicon carbide substrates were presented. The main purpose of this work was the development of AlOxNy dielectric thin films and investigation of the influence of deposition parameters on the electrophisical parameters. The use of Taguchi’s orthogonal arrays methods to reduce the number of experiments and the optical and electrical characterization of MIS (Metal-Isolator-Semiconductor) structures on Si in the first part of the work allow the deposition process optimization. Subsequently, mentioned earlier reasons allow to prepare processes based on the SiC substrate analysis of these processes has been presented in the second part of the work.The results of this work show the opportunity of potential applications of the AlOxNy dielectric thin films as passivation layers in the production of high voltage devices.
4
Content available remote Surface morphology of titanium nitride thin films synthesized by DC reactive magnetron sputtering
Talu S., Stach S., Valedbagi S., Elahi S. M., Bavadi R.
Materials Science Poland
|
2015
|
Vol. 33, No. 1
137--143
EN
In this paper the influence of temperature on the 3-D surface morphology of titanium nitride (TiN) thin films synthesized by DC reactive magnetron sputtering has been analyzed. The 3-D morphology variation of TiN thin films grown on p-type Si (100) wafers was investigated at four different deposition temperatures (473 K, 573 K, 673 K, 773 K) in order to evaluate the relation among the 3-D micro-textured surfaces. The 3-D surface morphology of TiN thin films was characterized by means of atomic force microscopy (AFM) and fractal analysis applied to the AFM data. The 3-D surface morphology revealed the fractal geometry of TiN thin films at nanometer scale. The global scale properties of 3-D surface geometry were quantitatively estimated using the fractal dimensions D, determined by the morphological envelopes method. The fractal dimension D increased with the substrate temperature variation from 2.36 (at 473 K) to 2.66 (at 673 K) and then decreased to 2.33 (at 773 K). The fractal analysis in correlation with the averaged power spectral density (surface) yielded better quantitative results of morphological changes in the TiN thin films caused by substrate temperature variations, which were more precise, detailed, coherent and reproducible. It can be inferred that fractal analysis can be easily applied for the investigation of morphology evolution of different film/substrate interface phases obtained using different thin-film technologies.
5
Proces rozpylania techniką magnetronową w atmosferze dwóch gazów reaktywnych
Brudnik A., Zakrzewska K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 10
34-36
PL
W pracy przedstawiono opis zjawiska rozpylania tarczy tytanowej w atmosferze zawierającej dwa różne gazy reaktywne (azot, tlen). Analizę procesu przeprowadzono w oparciu o model procesu reaktywnego rozpylania bazujący na zmianie współczynników wydajności rozpylania tarczy, której powierzchnia jest częściowo metaliczna, a częściowo pokryta warstwą związków chemicznych (tlenków, azotków).
EN
This work presents description of sputtering of Ti target in gas atmosphere containing two reactive components (nitrogen, oxygen). Analysis of the process is performed on the basic of the model that assumes the changes in the yield of deposition of the metallic target partially covered with chemical compounds (oxides, nitrides).
6
Content available remote Nanocomposites deposited by reactive magnetron sputtering and their applications
Tadaszak K.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 7
307--309
PL
Cienkie warstwy nanokompozytów ze względu na ciekawe właściwości znajdują coraz szersze zastosowanie w różnych gałęziach przemysłu, od elektroniki, przez mechanikę po fotowoltaikę. W pracy zostały przedstawione możliwości wykorzystania reaktywnego rozpylania magnetronowego do nanoszenia warstw kompozytów o rozmiarach charakterystycznych 10 – 300 nm. Omówione zostały właściwości mieszanin tlenków i azotków z metalami (Al, Ti) i wstępnie scharakteryzowane pod kątem możliwych zastosowań.
EN
Nanocomposite thin films are popular in various industries, from electronics, mechanics to photovoltaics, because of their unusual properties. In paper, the possibility of composite deposition with characteristic size 10 to 300 nm (grains or single layers) with the use of reactive magnetron sputtering technology was indicated. The properties of mixture of oxides or nitrides with metal (Al, Ti) were discussed. The electrical and optical properties of nanocomposites were compared with those of clean oxides and then pre-characterized in terms of possible applications.
7
Content available Reactive pulsed magnetron sputtering of titanium : influence of process parameters on resistivity and optical properties
Tadaszak K.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2013
|
Z. 261
5--13
PL
Cienkie warstwy azotku i tlenku tytanu osadzane były z procesie impulsowego reaktywnego rozpylania magnetronowego. Przeanalizowano wpływ ciśnienia cząstkowego gazów reaktywnych na właściwości tych materiałów. Kontrola procesu oparta była na śledzeniu zmian parametru zasilacza – mocy krążącej. Zaprezentowana technologia umożliwia dowolne modyfikowanie składu chemicznego, od warstw z nadmiarową zawartością tytanu, przez składy stechiometryczne, po nadstechiometryczne, co jest powodem obserwowanych zmian w mierzonych charakterystykach związków tytanu. Zbadano elektryczne i optyczne właściwości warstw, a następnie oceniono je pod względem możliwych zastosowań. Dzięki specjalnemu źródłu zasilania i kontroli procesu, możliwe było nanoszenie materiałów o niskiej rezystywności, bez dodatkowego podgrzewania podłoża i z wysoką szybkością osadzania. Zaprezentowana technologia może zostać wykorzystana do pokrywania podłoży nieodpornych na wysokie temperatury.
EN
Titanium nitride and titanium oxide thin films were deposited by pulsed DC reactive magnetron sputtering. In this paper the influence of reactive gas partial pressure on the properties has been studied. The process control was realized by tracking the changes in the power supply parameter – circulating power. Presented technology enables free modification in the chemical composition, from titanium–rich to stoichiometric and overstoichiometric materials. The electrical and optical properties of titanium compounds were measured and then evaluated for possible electrode applications. Thanks to the special power supply and process control, it was possible to deposit low resistivity thin films without additional substrate heating and with high deposition rate. Presented technology is suitable for substrates with low temperature resistance.
8
Content available High rate deposition of thin film compounds - modeling of reactive magnetron sputtering process
Tadaszak K., Paprocki J.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2013
|
Z. 263
95--104
EN
Deposition of compound thin films with reactive magnetron sputtering method causes a lot of difficulties, of which the main ones are the instability of the process and decrease of the deposition rate. Computer simulations were performed using Berg’s model assumptions. Firstly, effect of basic process parameters on aluminum oxide deposition was examined, also theoretical characteristics of the deposition of Al2O3, AlN, TiO2, TiN were compared. Next, the parameters for efficient deposition of titanium oxide were determined. Simulations were confirmed by the results of experimental work. The purpose of presented work was to define, with Berg’s model, mechanisms which enable deposition, in metallic mode of magnetron work, of oxides with properties near to stochiometric. Presented analysis results were compared to real process parameters observed during reactive sputtering .
PL
Osadzanie cienkich warstw związków metodą reaktywnego rozpylania magnetronowego sprawia wiele trudności, spośród których głównymi są niestabilność procesu i spadek szybkości osadzania. Komputerowe symulacje wykonano wykorzystując założenia modelu Berga. W pierwszej kolejności sprawdzono wpływ podstawowych parametrów procesu na osadzanie tlenku glinu. Porównano również teoretyczne charakte-rystyki osadzania Al2O3, AlN, TiO2, TiN. Następnie określono parametry umożliwiające wydajne osadzanie tlenku tytanu. Symulacje potwierdzono wynikami prac eksperymentalnych. Głównym celem pracy była próba określenia mechanizmów umożliwiających osadzanie w modzie metalicznym tlenków o właściwościach zbliżonych do warstw o składzie stechio-metrycznym.
9
Content available Nanokompozyty osadzane metodą rozpylania magnetronowego i ich zastosowania
Tadaszak K.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2012
|
Z. 259
101--102
PL
Cienkie warstwy nanokompozytów ze względu na ciekawe właściwości znajdują coraz szersze zastosowanie w najróżniejszych gałęziach przemysłu, od elektroniki, przez mechanikę (warstwy odporne na ścieranie) po fotowoltaikę. W pracy zostały przedstawione możliwości wykorzystania technologii reaktywnego osadzania magnetronowego do nanoszenia warstw kompozytów o rozmiarach charakterystycznych 10 – 300 nm (jest to rozmiar ziarna lub pojedynczej warstwy). Zmierzone zostały właściwości kompozytów – mieszanin tlenków i azotków z metalami (Al2O3-Al, AlN-Al, TiO2-Ti, TiN-Ti). Badania przeprowadzono z użyciem niezbalansowanego magnetronu WMK-50. Korzystano w nich z targetów tytanowych i glinowych o średnicy 50 mm, które rozpylano w obecności mieszaniny gazu roboczego – argonu i gazu reaktywnego – tlenu lub azotu. W badaniach wykorzystywano metaliczny mod pracy magnetronu, nie dopuszczano do zatrucia powierzchni targetu związkiem. Umożliwiało to osadzanie warstw związków i wtrąceń metalicznych bez konieczności długotrwałego oczyszczania powierzchni rozpylanej. Właściwości elektryczne i optyczne tych warstw zostały porównane z czystymi tlenkami i azotkami bez wtrąceń metalicznych, a następnie wstępnie scharakteryzowane pod kątem możliwych zastosowań.
EN
Nanocomposite thin films are more and more popular in various industries, from electronics, mechanics (wear resistant films) to photovoltaics, because of their unusual properties. In this paper, the possibility of deposition of composite with characteristic size 10 to 300 nm (grains or single layers) with use of reactive magnetron sputtering technology was presented. The properties of mixture of oxides or nitrides with metal (Al2O3-Al, AlN-Al, TiO2-Ti, TiN-Ti) were measured. In presented research the unbalanced WMK-50 magnetron was used. The titanium and aluminum target with 50 mm in diameter was sputtered in mixture of working gas – argon and reactive gas – oxygen or nitride. The metallic mode of magnetron work was applied to ensure clean target surface without poisoning (with oxide or nitride). Keeping metal surface uncovered enabled to deposit nanocomposite without need of long-term cleaning of sputtering surface. The electrical and optical properties of nanocomposites were compared with those of clean oxides and nitrides (without the metal parts) and then pre-characterized in terms of possible applications.
10
Wydajność nanoszenia cienkich warstw związków metodą reaktywnego impulsowego magnetronowego rozpylania-zjawiska na powierzchni targetu
Tadaszak K., Posadowski W. M., Wiatrowski A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 11
58-60
PL
Wydajność procesów reaktywnego rozpylania magnetronowego jest w dużej mierze determinowana przez zjawiska zachodzące na powierzchni materiału rozpylanego. Większość związków na niej się tworzących cechuje się współczynnikiem rozpylania niższym niż czysty materiał, co znacznie wpływa na szybkość osadzania. Celem pracy było pokazanie możliwości śledzenia in situ zjawisk zachodzących na materiale rozpylanym (targecie) podczas reaktywnego impulsowego procesu na podstawie znajomości parametrów zasilania elektrycznego układu magnetronowego. Otrzymane wyniki zostały porównanie z odpowiednimi charakterystykami napięcia wyładowania - parametru powszechnie wykorzystywanego do kontroli procesów rozpylania.
EN
Efficiency of reactive magnetron sputtering is mainly determined by effects which took place on the target surface. Most of formed on the target compounds has lower sputtering yield than origin material, what leads to drop of deposition rate. The main purpose of presented work is to show possibilities of target surface phenomena monitoring, basing on investigation of power supply parameters. The results were compared with discharge voltage characteristics, which are widely used for control of sputtering processes.
11
Wpływ parametrów pracy magnetronu na warunki nanoszenia cienkich warstw podczas procesu rozpylania
Posadowski W. M., Wiatrowski A., Tadaszak K., Gruszka M., Zdunek K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 11
45-47
PL
Badano proces impulsowego, magnetronowego osadzania cienkich warstw. Celem prac było określenie wpływu parametrów układu magnetycznego oraz trybu pracy magnetronu na warunki osadzania warstw. Rozpylano targety o średnicy 50 mm: i) Cu (wpływ konfiguracji układu magnetycznego, ii) Al (otrzymywanie warstw w obecności gazu reaktywnego - mod argonowy, mod reaktywny). Stopień rozbalansowania magnetronu określano, mierząc gęstość prądu jonowego płynącego do spolaryzowanego podłoża (Up=-100 V) podczas rozpylania magnetronem z układami magnetycznymi o różnej konfiguracji magnesów NdFeB. Badano charakterystyki elektryczne magnetronu oraz temperaturę na napylanym podłożu.
EN
The pulsed reactive magnetron sputtering process was investigated. The estimating of influence of magnetic assembly parameters was the aim of works as well as the magnetron sputtering mode on conditions of thin layers condensation on substrate. The 50 mm in diameter targets were sputtered: i) Cu (the influence of the magnetic assembly configuration, ii) Al (reactive deposition of thin films - argon mode, reactive mod). The unbalancing of magnetron was estimated by substrate current density (Up=-100 V) measurements using magnetron equipped with magnetic assembly (different configuration of NdFeB magnets). Magnetron electrical characteristics and temperature near substrate were measured.
12
Próżniowe, wysokowydajne, osadzanie cienkich warstw dielektrycznych metodą reaktywnego, impulsowego rozpylania magnetronowego : wybór punktu pracy magnetronu
Posadowski W. M., Tadaszak K., Wiatrowski A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 8
90-94
PL
Badano proces impulsowego, reaktywnego magnetronowego osadzania cienkich warstw. Celem prac było określenie warunków pracy magnetronu z punktu widzenia stabilnego, wydajnego i kontrolowanego procesu otrzymywania cienkich warstw związków chemicznych (dielektrycznych). Rozpylano metaliczne targety o średnicy 50 mm. Badano charakterystyki procesu rozpylania pod kątem określenia modu pracy magnetronu oraz określano warunki niezbędne do prowadzenia procesu rozpylania w wybranym punkcie pracy magnetronu. Magnetron zasilano impulsowo za pomocą jednostki MSS firmy DORA. Zasilacz ten [1] umożliwia monitorowanie zmian impedancji obciążenia (wyładowanie jarzeniowe w układzie magnetronowym) za pośrednictwem parametru nazwanego przez producenta mocą krążącą. Stabilny i kontrolowany proces osadzania chemicznych związków prowadzono: i) przez ustalenie punktu pracy magnetronu w tzw. metalicznym/przejściowym modzie pracy tego urządzenia (niezbalansowany magnetron), ii) przez ustalenie punktu pracy magnetronu w przejściowym/dielektrycznym modzie, dzięki specjalnemu trybowi podawania gazu reaktywnego (automatyczne stabilizowanie punktu pracy magnetronu za pośrednictwem parametru zasilacza średniej częstotliwości - mocy krążącej).
EN
The pulsed reactive magnetron sputtering process was investigated. Metallic targets of 50 mm in diameter were sputtered. The aim of the investigation was description of magnetron sputtering conditions from the stability and controlling point of view during thin films reactive compounds (dielectrics) deposition. Sputtering characteristies were investigated taking into account the mode of sputtering and choice the working point of magnetron. A very helpful tool at these measurements was parameter of DPS pulsed power supply, so called circulating power [1]. The DPS unit enables monitoring of plasma impedance changes thanks to the observation of circulating power values. The stable compound creation was possible thanks to the application of special procedures during sputtering process (the choice of magnetron mode). The first one relied on the looking for possibilities for reactive compound deposition in reactive metallic/transient mode of magnetron sputtering. The second one was established by the control of circulating power in reactive transient/dielectric mode and it was achieved by coupling between gas injection into vacuum chamber and required circulating power value (depending on magnetron sputtering mode).
13
Model of high rate reactive pulsed magnetron sputtering
Tadaszak K., Posadowski W. M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 3
69-71
EN
Aluminium oxide trhin films were deposited with high rate reactive pulsed magnetron sputtering of the aluminium target in argon and oxygen mixture. Experiments showed that properties of achieved films were comparable for conventionally sputtered layers. The main purpose was to explain behaviour of the high rate sputtering classical Berg's model. The parameters which were important for efficiency of deposition have been estimated. However it occurred that it was impossible to fully explain this unusual process phenomenon, due to simplicity of the model. There was need to define additional factors which enabled high efficiency. Presented analysis will be the foundation of future research on high rate reactive pulsed magnetron sputtering.
PL
Cienkie warstwy tlenku glinu zostały osadzone za pomocą wysokowydajnego reaktywnego impulsowego rozpylania magnetronowego targetu glinowego w atmosferze mieszaniny argonu i tlenu. Właściwości otrzymanych warstw były porównywalne z parametrami struktur cienkowarstwowych osadzanymi standardowo. Głównym celem pracy była próba wyjaśnienia zjawisk zachodzących podczas procesu wysokowydajnego rozpylania za pomocą klasycznego modelu Berga. Niestety, uproszczenia tego modelu nie pozwoliły na pełną interpretację zjawisk zachodzących podczas reaktywnego magnetronowego rozpylania dużej wydajności. Zdefiniowano dodatkowe czynniki determinujące warunki rozpylania z dużą wydajnością. Zaprezentowana analiza będzie stanowiła punkt wyjściowy podczas badań i ustalania parametrów procesu wysokowydajnego reaktywnego impulsowego rozpylania magnetronowego.
14
Kontrola procesu reaktywnego rozpylania magnetronowego : analiza modelu
Brudnik A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 8
72-74
PL
W pracy przedstawiono zagadnienia związane z wyborem metody stabilizacji procesu reaktywnego rozpylania magnetronowego. W oparciu o model procesu przeanalizowano zmiany napięcia katody i zmiany natężenia linii widmowych dla tarcz Al i Ti rozpylanych w atmosferze argon-azot.
EN
In the present work, the model of reactive magnetron sputtering was discussed, related to sputtering Al and Ti targets in argon-nitrogen atmosphere.
15
Diagnozowanie procesu reaktywnego rozpylenia
Brudnik A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 5
132-134
PL
W pracy przedstawiono zagadnienia związane z występowaniem niestabilności procesu reaktywnego rozpylania magnetronowego, spowodowanej zmianami szybkości rozpylania materiału tarczy katody pokrytego produktami reakcji z gazem reaktywnym.
EN
In the present work, the effect of target poisoning and plasma diagnostics signals were discussed.
16
Cienkie warstwy ZnO:Al jako przezroczyste i przewodzące elektrody
Czternastek H., Sokołowski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 4
67-69
PL
Warstwy ZnO:Al otrzymywano metodą reaktywnego rozpylania magnetronowego tarczy metalicznej o składzie Zn: 3% at. Al w mieszaninie argon-tlen. Do stabilizacji przepływu tlenu do komory roboczej wykorzystano spektroskopię emisyjną plazmy. Przy wartości linii emisyjnej wzbudzonych atomów cynku l Zn / l Zn max = 0,60 warstwy ZnO:AI posiadały wysoko zorientowane ziarna z osią c prostopadłą, do podłoża i najlepsze parametry optoelektroniczne. Optyczne własności najlepszej warstwy były modelowane w obszarze widzialnym i bliskiej podczerwieni stosując prosty i rozszerzony model Drude'go. Tak otrzymany opór ρ (ω) był porównany z pomiarami stałoprądowymi wykonanymi metodą Van der Pauw'a.
EN
Al-doped ZnO films were prepared by a dc magnetron sputtering technique from Zn: 3 at.% Al target in an argon-oxygen mixture. Plasma-emission monitoring was used to stabilize oxygen flow to the deposition chamber. ZnO:AI films deposited at a relative intensity of the zinc emission line l Zn / l Zn max (λ = 480 nm) = 0.60 had highly oriented crystallites with c-axis normal to the substrate and the best optoelectronic properties. The optical properties of best Al-doped ZnO film for the visible and near-infrared region were modeled using the simple and extended Drude theory. The resulting resistivity ρ (ω) was compared with dc conductivity carried out in a Van der Pauw configuration.
17
Content available remote Properties of AlNx thin films prepared by DC reactive magnetron sputtering
Stafiniak A., Muszyńska D., Szyszka A., Paszkiewicz B., Ptasiński K., Patela S., Paszkiewicz R., Tłaczała M.
Optica Applicata
|
2009
|
Vol. 39, nr 4
717-722
EN
In this paper, the results of investigation of the influence of cathode current on optical and dielectric AlNx thin-film properties are presented. AlNx films were prepared by pulsed DC reactive magnetron sputtering of Al target on substrates at room temperature. For characterization of fabricated test structures C-V spectroscopy, ellipsometry measurement and atomic force microscopy (AFM) were used.
18
Content available ZnO films: propeties determined by electronic microscopy and ellipsometry
Rakov M., Poperenko L., Tkach V., Yurgelevich I.
Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems
|
2009
|
Vol. 3, No. 4
112-114
EN
Zinc oxide is a good material for application in nanoand optoelectronics due to its notable features, for example, large band gap. In this work ZnO films deposited by reactive magnetron sputtering at various pressure of residual gases and different temperatures of the substrate are investigated. The spectral dependences of ellipsometric parameters and of the films are determined by ellipsometry. The effective values of optical constants and are calculated. The roughness and the texture of the surfaces are obtained by Atomic-Force Microscopy (AFM) and Scanning Electronic Microscopy (SEM). One indicates that the refractive index decreases when reducing the pressure of residual gases, and the roughness decreases when elevating the temperature of the substrate. Thus, the behavior of some properties of the films at various conditions of deposition is determined.
19
Charakterystyka powłok z fazy S otrzymanych na drodze reaktywnego rozpylania magnetronowego
Baranowska J., Fryska S., Przekop J., Suszko T.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 9
19-21
PL
Badano możliwość otrzymywania fazy S metodą reaktywnego rozpylania magnetronowego. Powłoki zbudowane z fazy S poprawiają właściwości mechaniczne i tribologiczne stali austenitycznej bez obniżania jej odporności korozyjnej. Mikrostrukturę i budowę fazową powłok badano przy pomocy dyfrakcji rentgenowskiej, skaningowej mikroskopii elektronowej oraz mikroskopii sił magnetycznych. Ponadto zbadano twardość i przyczepność powłok. Badania potwierdziły możliwość otrzymywania tą metodą powłok o dobrych właściwościach mechanicznych i dobrej przyczepności. Przez zmianę udziału azotu w atmosferze możliwe było sterowanie jego zawartością w powłokach w szerokim zakresie stężeń. Wzrost zawartości azotu w powłoce wpływał w niewielkim stopniu na jej twardość, ale powodował wzrost kruchości. Wszystkie otrzymane powłoki były magnetyczne.
EN
In the paper the possibility to obtain S-phase by reactive magnetron sputtering was investigated. Coatings composed of S-phase improve mechanical and tribological properties of austenitic stainless steel maintaining at the same time its good corrosion resistance. Microstructure and phase composition were studied by means of X-ray diffraction (XRD and GXRD), Scanning Electron Microscopy (SEM) and Magnetic Force Microscopy (MFM). Moreover hardness and adhesion of the coatings were evaluated. The results confirmed possibility to produce coatings with good mechanical properties and good adhesion using this method. Through the change of nitrogen partial pressure in the atmosphere it is possible to get the coatings with wide range nitrogen content in S-phase. An increase of nitrogen content increases the brittleness of the coating but has no significant effect on its hardness. Ali the coatings under investigation appeared to be magnetic.
20
Badanie cienkich warstw nanoszonych metodą magnetronowego rozpylania krzemu w atmosferze Ar + O₂
Posadowski W. M., Chmiel Ł., Wiatrowski A., Krówka K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 9
16-18
PL
Badano proces reaktywnego, impulsowego, magnetronowego osadzania cienkich warstw krzemu w atmosferze mieszaniny argonu i tlenu. Rozpylano target Si o średnicy 50 mm przy różnych mocach i ciśnieniach parcjalnych tlenu. Mierzono szybkość osadzania warstw SiOx oraz tzw. moc krążącą - charakterystyczny parametr zasilacza impulsowego DORA. Na tej podstawie określano mody pracy reaktywnego rozpylania magnetronowego. Istotnym wynikiem badań było pokazanie możliwości wysokowydajnego osadzania cienkich warstw dielektrycznych w metalicznym trybie pracy magnetronu.
EN
The pulsed reactive magnetron sputtering process in Ar + O₂ atmosphere was investigated. The silicon target of 50 mm in diameter was sputtered at different target powers and oxygen partial pressures. The deposition rate of SiOx films and 50 called circulating power were measured. On this basls the modes of magnetron reactive sputtering were described. The point of investigation was the SiOx films high efficiency deposition possibility at metallic mode of sputtering.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.