Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: rapid thermal annealing

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Low resistance ohmic contacts to n-GaAs for application in GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers

Karbownik P., Barańska A., Szerling A., Macherzyński W., Papis E., Kosiel K., Bugajski M., Tłaczała M., Jankieła R.

Optica Applicata

2009

Vol. 39, nr 4

655-661

This paper reports on the results of optimization of ohmic contacts for GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers (QCLs). Technological parameters during optimization concerned surface preparation, evaporation method, and thermal treatment. The aim of this research was to obtain low resistance and time stable ohmic contacts. The average specific contact resistance was 6×10-7 ?cm-2 with record value below 3×10-7 ?cm-2. It appears that the crucial role in contact formation is played by the in-situ surface pretreatment and thermal processing. Circular transmission line method (CTLM) was applied for electrical characterization of Ni/AuGe/Ni/Au metallization system. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) was used for determination of Au diffusion into semiconductor. The system presented was used in fabrication of pulse operating QCLs. The lasers mounted with diamond heat spreaders on copper block cooled by liquid nitrogen (LN) achieved optical powers over 1 W, threshold current density values of 7 kAcm-2 and differential efficiencies above 1 W/A.

Urządzenie do szybkiej obróbki termicznej (RTA)

Macherzyński W., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2007

Vol. 48, nr 7

37-38

Formowanie i wtapianie kontaktów metalicznych, szczególnie do półprzewodników z szeroką przerwą wzbronioną, wymaga krótkich czasów procesu oraz wysokich temperatur. Klasyczne wygrzewanie w piecu oporowym nie spełnia wymagań zaawansowanej elektroniki. Dlatego opracowano i wykonano urządzenie RTA do szybkiej obróbki termicznej. Szeroki zakres temperatur pracy urządzenia (200...1000°C) oraz w pełni programowalny profil temperatury powodują, że jest to doskonałe urządzenie badawcze o szerokim spektrum aplikacji. W urządzeniu zastosowano od 1 do 14 halogenowych promienników podczerwieni o mocy 1,6 kW każdy, promienniki z powłoką tlenku aluminium zwiększającą sprawność przekazywania mocy, reaktor od strony wlotu gazu, zakończony jest specjalną głowicą umożliwiającą jednorodne wymieszanie gazów technologicznych. Szybkie chłodzenie próbki zapewnia podstawa grafitowa o małej masie i wymiarach 30 x 6 x 2 mm.

Post-deposition annealing of a multilayer metallization, for a wide band-gap semiconductors in particular, must be performed in short time and high temperature. Annealing in a classical resistance furnace can not fulfill requirements of the advanced microelectronic devices. This is the reason why we design and set up a rapid thermal annealing (RTA) system. Wide temperature range of the RTA system (200...1000°C) and full-programmable temperature profile caused that this system is dedicated for research and can find wide range of application. The system can be equipped with one to fourteen short wavelength halogen-IR-emitters 1.6 kW each, with integrated alumina ceramic reflector. The application of a reflector increases the efficiency of transfer of IR power. Low mass of graphite susceptor of a dimension 30 mm x 6 mm x 2 mm allows the fast cooling of a sample. The reactor have a specialized input head which allows the uniform mixing of technological gases.