Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Increasing radiation resistance of memory devices based on amorphous semiconductors

Kychak Vasyl, Slobodian Ivan, Vovk Victor

Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska

|

2020

|

T. 10, nr 3

78--81

EN

A memory cell structure is proposed that uses a Schottky barrier thin film transistor based on an amorphous semiconductor as a junction element, and a chalcogenide glassy semiconductor film as a switching element. A physical storage cell model has been developed. The dependenceof the transistor and memory cell parameters on the dose of neutron flux and γ-quanta was investigated. It is shown that when the dose of neutron irradiation is changed, the steepness of the drain-gate characteristic (DGC) decreases by 10% at a dose of the order of 1015n/s, and at the same time,the transfer coefficient of the bipolar n-p-n transistor decreases by 20% at doses of 1013n/s, indicating a significant increase in the radiation resistanceof the proposed memory cell. In the case of irradiation with γ-quanta in the range up to 2.6 MRad, the steepness of the DGC of the proposed structure changes by only 10%. When used as an isolation element, a field-effect transistor with an insulated gate, the slope of the DGC is reduced by 50%.It is shown that the current of recording information of the proposed structure when changing the dose of γ -quantum flux to 2.6 MRad changes by about 10%, and at the same time, in the case of using a field-effect transistor with an isolated cover, the information recording current changes by 50%.The study of the dependence of the gate current on the dose of the γ-quanta is shown. When the radiation dose changes from 0 to 2.6 MRad, the gate current changes only by 10%, which indicates the high resistance of the proposed structure to the action of permeable radiation. Also, studiesof the dependence of the conductivityof single-crystal semiconductors on aradiation dose ɣ by quanta and neutron flux show that a significant increasein the specific resistivity of amorphous semiconductors occurs at doses 2–3 orders of magnitude larger than in the case of single-crystal n-type conductivity semiconductors.

PL

Zaproponowano strukturę komórki magazynującej, która wykorzystuje barierowy cienki tranzystor Schottky'ego oparty na półprzewodniku amorficznym jako element łączący, a także chalkogenową szklistą błonę półprzewodnikową jako element przełączający. Opracowano fizyczny model komórki pamięci. Zbadano zależność parametrów tranzystora i komórki pamięci od dawki strumienia neutronów i promieni gamma. Pokazano, że przy zmianie dawki napromieniowania neutronowego stromość charakterystyki odpowiedzi drenu zmniejsza się o 10% przy dawkach rzędu 1015n/s, a jednocześnie współczynnik przenoszenia bipolarnego tranzystora npn spada o 20% już przy dawkach 1013n/s, wskazując znaczny wzrost odporności na promieniowanie proponowanej komórki pamięci. Po napromieniowaniu kwantami gamma w zakresie do 2,6 MRad stromość charakterystyki dren-przepustnica proponowanej konstrukcji zmienia się tylko o 10%. W przypadku połączenia jako cienkowarstwowego tranzystora polowego z izolowaną kurtyną charakterystyka stromego spadku zmniejsza się o 50%. Wykazano, że prąd zapisu informacji o proponowanej strukturze przy zmianie dawki strumienia kwantowego gamma na 2,6 MRad zmienia się o około 10%, przy jednoczesnym zastosowaniu cienkowarstwowego tranzystora polowego z izolowaną osłoną, prąd zapisu informacji zmienia się o 50%. Badanie zależności prądu kurtynowego od dawki promieniowania gamma–kwanty. Gdy dawka promieniowania zmienia się od 0 do 2,6 MRad, prąd kurtyny zmienia się tylko o 10%, co wskazuje na wysoką odporność proponowanej struktury na działanie promieniowania przepuszczalnego. Badania zależności przewodności półprzewodników monokrystalicznych od dawki promieniowania γ przez kwanty i strumień neutronów pokazują, że znaczny wzrost rezystywności właściwej półprzewodników amorficznych występuje przy dawkach2–3 rzędów wielkości większych niż w przypadku półprzewodników przewodnictwa monokrystalicznego typu n.

2

Application of Silica Aerogel in Composites Protecting Against Thermal Radiation

Krzemińska Sylwia, Cieślak Małgorzata, Kamińska Irena, Nejman Alicja

Autex Research Journal

|

2020

|

Vol. 20, no. 3

274--287

EN

Aerogels are characterized by excellent insulation properties and a good resistance to high and low temperatures. The objective of this study was to investigate the effects of silica aerogel on thermal properties of textile–polymer composites. Aerogel was applied in protective clothing fabric to improve its heat resistance. The composites were produced by coating a fabric made of meta-aramid (polyamide–imide) yarns with a dispersion of polychloroprene latex and synthetic resins or an acrylic–styrene dispersion with aerogel (100–700 μm particle size). The composites were subjected to thermal radiation (20 kW/m2) and their thermal properties were determined by thermogravimetry/derivative thermogravimetry (TG/DTG). Scanning electron microscopy/X-ray energy dispersive spectroscopy (SEM/EDS) was used to characterize the microstructure and study the elemental composition of materials. The thermal conductivity and resistance of composites were measured with an Alambeta apparatus. The tests indicated an increase in resistance to thermal radiation by approximately 15–25%. In TG/DTG analysis, the initial temperature for an unmodified fabric was 423.3°C. After modification, it decreased to 361.8° and 365.3°C for composites with 7 and 14% of aerogel, respectively. SEM images revealed a reduction in aerogel particle size.

3

Medical quality radiation resistant plasticized poly(vinyl chloride)

Świerz-Motysia B.

Polimery

|

2003

|

T. 48, nr 6

434-438

EN

The effect of modification of plasticizer and stabilizer systems on the radiation resistance of flexible PVC compositions for medical applications was studied. Samples were irradiated in a linear accelerator LAE 13/9 of electrons beam with dose of 25 kGy. Biological-chemical and mechanical- physical property data were measured for irradiated and additionally ageing plasticized PVC compositions of modified formulations and compared with those of standard medical grade compositions. Post-irradiated stability of flexible PVC meeting the Pharmacopoeia requirements has been achieved.

PL

W związku z coraz powszechniej stosowaną metodą radiacyjnej sterylizacji materiałów medycznych omówiono wpływ promieniowania na właściwości kompozycji PVC. Opracowano sy-nergistyczne (złożone ze stabilizatora i kostablilizatora) układy stabilizujące poprawiające odporność radiacyjną plastyfikowane-go PVC (tabela 1). Zastosowano przy tym typowe stabilizatory termiczne (sole Ca/Zn wyższych kwasów tłuszczowych i epoksydowany olej sojowy), a jako kostabilizatory - związki zawierające grupy epoksydowe oraz amidowe (działające jako akceptory chlorowodoru i blokujące proces tworzenia się wiązań podwójnych) oraz grupy fenylowc (wyłapujące wolne rodniki). Stwierdzono, że opracowane kompozycje plastyfikowanego PVC o odpowiednim stosunku stabilizator/kostabilizator są odporne na działanie dawki promieniowania (25 kGy) skutecznie stosowanej do sterylizacji. Dawka ta nie zmienia właściwości mechanicznych kompozycji (tabela 2) oraz wymaganej w farmakopei charakterystyki chemicznej (poziomy zawartości substancji o właściwościach redukujących i związków organicznych w wyciągach wodnych, tabela 3, rys lc i 2), jak również biologicznej (tabela 4) i nie powoduje niekorzystnej zmiany zabarwienia. Metodą przyspieszonego starzenia wykazano, że cechy te zostają zachowane w okresie dwuletniego przechowywania sterylizowanych wyrobów w temperaturze pokojowej.