Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2008

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: quantum well solar cell

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Modelowanie zależności temperaturowej parametrów ogniw słonecznych ze studniami kwantowymi

Prażmowska J., Paszkiewicz R., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

Vol. 49, nr 1

91-93

Za pomocą symulacji komputerowych oraz wykorzystania odpowiedniego algorytmu zoptymalizowano strukturę ogniwa p-i-n ze studniami GaAs oraz barierami AlxGa1-xAs w obszarze "i". Jako wynik otrzymano strukturę p-i(GaAs/Al0.1Ga0.9As)-n z dwoma studniami kwantowymi. W dalszej części pracy badano wpływ temperatury na parametry ogniwa zoptymalizowanego, takie jak: prąd zwarcia, napięcie rozwarcia, maksymalny prąd i napięcie oraz sprawność konwersji. Wzrost temperatury nie wprowadził spodziewanego polepszenia sprawności konwersji przyrządu. Wyniki porównano ze strukturami odniesienia p-i-n, w których zastosowano obszar "i" GaAs lub AI01Ga09As. Wszystkie symulacje wykonano za pomocą programu SimWindows program v. 1.5.0

Within intrinsic layer of ordinary p-i-n solar cell GaAs wells and AlxGa1-xAs barriers were inserted. Solar cells structure was optimized by means of computer simulations assuming dedicated algorithm. In a result p-i(GaAs/AI0.1Ga0.9As)-n structure with two quantum wells was obtained. Influence of temperature of solar cell device on its parameters like: short-circuit current, open-circuit voltage, maximum current and voltage, and conversion efficiency was investigated. Temperature increase did not contributed significantly to the expected extension of investigated device's conversion efficiency. Two reference p-i-n solar cell structures with intrinsic layer composed of GaAs and AI0.1Ga0.9As were also examined for comparison purposes. All simulations were carried out by using SimWindows program v. 1.5.0.