PL
 |
EN
Ograniczanie wyników
Czasopisma help
  1. 1 Optica Applicata
Autorzy help
  1. 1 Gao F.
  2. 1 Xiong G.
Lata help
  1. 1 2005
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  quantum beats
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Characteristics of quantum beats in InGaN/GaN quantum well
Gao F., Xiong G.
Optica Applicata
|
2005
|
Vol. 35, nr 4
919-926
EN
A L-type three level atom in the InGaN/GaN quantum wells is formed by the lowest energy level of conductive electrons and the highest sub-bands of light and heavy hole. With the excitation of the coherent light field, a quantum beat spectrum is obtained. The quantum beat spectrum can be calculated by using the theory of effective mass. Quantum beats do not exist in all polarization directions. The influence of quantum well width and the concentration of In on the spectra of quantum beats is also discussed.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.