Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Magnetronowe rozpylanie : technika i technologia

Posadowski W. M., Wiatrowski A., Tadaszak K., Kudzia J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 2

37-39

PL

W artykule zaprezentowano wyniki badań niestandardowych technologii nanoszenia cienkich warstw metodą impulsowego rozpylania magnetronowego. Warstwy otrzymywano za pomocą oryginalnych wyrzutni magnetronowych typu WM (planarne, cylindryczne), w szczególności przystosowanych do prowadzenia procesów wysokowydajnych. Badano procesy impulsowego, magnetronowego autorozpylania oraz impulsowego, reaktywnego rozpylania.

EN

The article presents results of research on non-standard technologies for deposition of thin films using magnetron sputtering method. The layers were obtained using the original magnetron sources of WM type (planar, cylindrical), especially suited for high-efficiency processes. The pulsed self-sustained magnetron sputtering and reactive pulsed magnetron sputtering were investigated.

2

Rozwój techniki i technologii magnetronowego rozpylania

Posadowski W. M., Wiatrowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 1

35-38

PL

Przedstawiono wyniki badań wybranych niekonwencjonalnych metod rozpylania magnetronowego na tle światowych trendów w tej dziedzinie. Zaprezentowano reaktywne, impulsowe rozpylanie magnetronowe i impulsowe autorozpylanie magnetronowe. Wykazano, że możliwe jest wysokowydajne nanoszenie warstw dielektrycznych (Al x O y AlN x , SiO x ) w tzw. metalicznym modzie rozpylania, tzn. z szybkościami porównywalnymi do tych, z jakimi nanoszone są czyste warstwy metaliczne w procesach niereaktywnych. Eksperymentalnie wykazano możliwość osadzania warstw w procesach impulsowego autorozpylania magnetronowego, tj. bez obecności gazu roboczego (przy ciśnieniu tła gazowego stanowiska próżniowego). Mod autorozpylania realizowano przy dwóch rodzajach zasilania impulsowego. W badaniach stosowano magnetron kołowy WMK-50 produkowany w WEMiF Politechniki Wrocławskiej, zdolny do prowadzenia procesów rozpylania dużej mocy. Wspomniane metody otwierają nowe możliwości sterowania parametrami procesu rozpylania, a tym samym nowy sposób kontrolowania właściwości osadzanych warstw.

EN

The pulsed, reactive high efficiency magnetron sputtering and self-sustained sputtering have been presented. A deposition rates of Al x O y , AlN x , SiO x were comparable respectively with deposition rates of Al and Si targets sputtered in argon ambient. It is assumed that it was possible thanks to the magnetron operation in the metallic mode. Concerning self-sustained magnetron sputtering it has been experimentally verified that such mode of magnetron operation can be achieved using impulse power supply.

3

Nowoczesne techniki rozpylania magnetronowego

Posadowski W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 4

40-43

PL

Badano zjawisko autorozpylania magnetronowego (bez gazu roboczego w atmosferze procesu) miedzi i niklu rozpylanych oddzielnie oraz podczas jednoczesnego rozpylania tych materiałów z dwóch niezależnie zasilanych magnetronów. Przedstawiono proces technologiczny otrzymywania warstw dielektrycznych (AIN, Al2O3) za pomocą impulsowych układów magnetronowych.

EN

Self-sustained magnetron sputtering (proceeds in the absence of working gas in the process atmosphere) has been described for copper and nickel being sputtered separately, or simultaneously from two individually powered magnetrons. Technology of dielectric films (AIN, Al2O3) produced with the aid of pulsed magnetron systems has been presented.

4

Nanoszenie warstw metodą impulsowego rozpylania magnetronowego

Posadowski W. M., Wiatrowski A.

Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika

|

2005

|

z. 153

25-32

EN

Aluminium films doped with oxygen were obtained during pulsed sputtering using high-power megnetron (target of 50 mm in diameter). Surface condition of the target (magnetron mode) sputtered at various pressures of reactive gas was estimated from the change of working gas pressure during sputtering, deposition rate and parameters of the power supply. At some sputtering parameters the deposition rate and parameters of the power supply. At some sputtering parameters the deposition rate of transparent aluminium oxide films was equal to the deposition rate of aluminium films (obtained at metallic mode). So high efficiency was the result of sputtering an aluminium target, not poisoned with the reactive compound.