Zaprezentowano wyniki badań wpływu częstotliwości zasilania wyrzutni magnetronowej WMK 50 na proces rozpylania miedzi. Wykorzystywano dwa zasilacze (o maksymalnych prądach wyjściowych 8 i 12 A) oraz zewnętrzny moduł kluczujący zapewniający regulację częstotliwości napięcia zasilającego wyrzutnię w zakresie 12... 70 kHz. Analizowano widma emisyjne plazmy wyładowania w zakresie 400...410 nm oraz szybkości nanoszenia warstw na podłoże oddalone o 130 mm od targetu.
EN
The influence of power supply frequency on the process of magnetron sputtering of copper is presented. In this work two power supplies were used (with maximum output currents 8 and 12 A) and yhe switching module that provided cathode voltage switching in range of 12...70 kHz. The plasma emission spectra (400...410 nm) and the deposition rate (130 mm target to sample distance) were examined.
Zaprezentowano konstrukcję oraz zasadę działania rezonansowego zasilacza impulsowego DPS. Za pomocą systemu do magnetronowego nanoszenia warstw (zasilacz DPS MSS-10 i magnetron WMK-50) otrzymywano warstwy AINx w procesie reaktywnego rozpylania targetu Al w atmosferze mieszaniny Ar i N2. Wykazano istnienie zależności pomiędzy stanem powierzchni targetu (modem pracy magnetronu) a parametrami zasilania impulsowego („moc krążąca").
EN
The design and operating principle of resonant pulsed power supply DPS are presented. Magnetron sputtering system (DPS MSS-10 pulsed power supply and WMK-50 magnetron) was used to reactive deposition of AINx. The aluminium target was sputtered in a mixture of Ar and N2. The dependence between state of target surface and pulsed power supply parameter ("circulating power") is pointed.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.