Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Biocybernetics and Biomedical Engineering

1 2001

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: pulsed laser deposition technique

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Innovative thin film techniques for microfabricating electrochemical sensors

Schöning M.J., Schubert J., Kloock J.P., Zander W., Mourzina Y.G., Legin A., Vlasov Y.G., Lüth H.

Biocybernetics and Biomedical Engineering

2001

Vol. 21, no. 4

107-119

The pulsed laser deposition (PLD) technique is proposed as an innovative semiconductor-compatible fabrication technique in order to realise different thin film materials for chemical sensor applications. As two examples, Ta(2)0(5) and Al(2)0(3) layers on top of capacitive Si/Si0(2) structures and chalcogenide glass layers on metallised Si substrates show a nearly-Nernstian pH sensitivity of about 55-58 mV per decade and a high sensitivity towards bi- and univalent heavy metal ions of about 25-29 mV and 56-60 mV per decade, respectively. The layer thickness of the sensor materials is in the nm range. Even multi-component systems consisting of up to five different elements can be stoichiometrically deposited. Besides the electrochemical sensor characterisation, Rutherford backscattering spectrometry, ion channeling experiments, X-ray diffractometry and transmission electron microscopy have been performed in order to study the physical layer structure of the pulsed laser-deposited thin film materials.

Zaproponowano technikę impulsowego laserowego osadzania (PLD), jako nową, kompatybilną z technologią półprzewodnikową metodę wykonania cienkich warstw w czujnikach chemicznych. Przykładowo, warstwy Ta(2)O(5) i AbO(3) nałożone na wierzchu struktur pojemnościowych Si/SiO(2) i warstwy szklistych halogenków na metalizowanych podłożach Si wykazały czułość na pH bliską Nernstowskiej, około 55-58 mV na dekadę i dużą czułość na jony metali ciężkich, około 25-29 mV i 56-60 mV na dekadę, odpowiednio dla jonów dwu- i jednowartościowych. Grubość warstwy czułej chemicznie była rzędu nanometrów. Można również nakładać stechiometrycznie układy wieloskładnikowe, zawierające do pięciu pierwiastków. Oprócz charakteryzacji czujników elektrochemicznych, wykonano: pomiary spektrometryczne rozpraszania wstecznego Rutherforda, eksperymenty tunelowania jonów, dyfraktometrię rentgenowską i pomiary z użyciem elektronowego mikroskopu prześwietleniowego, w celu zbadania fizycznej struktury warstw wykonanych techniką impulsowego laserowego osadzania.