In this paper photothermal transformation in semiconductor structures with modified properties of subsurface layer under its irradiation by pulse laser (~10 ns) radiation was analyzed. It was show that the presence of this surface modified layer leads to increasing of surface temperature in comparison with homogeneous case. Moreover, this increasing could even compensate the temperature decreasing induced by thermal source redistribution caused by charge carrier diffusion.
PL
W pracy zaprezentowano wyniki badań konwersji fototermicznej w półprzewodnikowych strukturach ze zmodyfikowanymi własnościami warstwy wierzchniej, pod wpływem impulsów laserowych o długości 10 ns. Obecność takiej zmodyfikowanej warstwy prowadzi do zwiększenia powierzchniowej temperatury w porównaniu do temperatury jednorodnej struktury. W pracy pokazano, że wzrost temperatury może kompensować spadek temperatury indukowanej przez przepływ związany dyfuzją nośników ładunku.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.