Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2010

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: pułapki w sąsiedztwie interfejsu

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Structural investigation of silicon carbide with micro-Raman spectroscopy

Borowicz P., Gutt T., Małachowski T., Łatek M.

Przegląd Elektrotechniczny

2010

R. 86, nr 11a

123-128

Silicon carbide (SiC) is a suitable wide band gap semiconductor for high power and frequency electronic devices. The most important advantages of the material are good thermal conductivity and high critical electric field. Surface oxidation of SiC wafers results in forming of native SiO2 layer on the surface of the substrate. However, the material has significant drawbacks. The most important one for the application in electronic devices is the reduction of the carrier mobility by near interface traps (NIT's). Raman spectroscopy is the experimental technique that can give information about the structure of the material without destruction of the sample. The Raman spectra depend on the investigated polytype the size of the microcrystals and the “impurities” such as carbon structures in the sample. The aim of this work was to investigate different polytypes of SiC (4H and 3C) with one-phonon and two-phonon Raman spectra. The attention was focused on this part of the range of the Raman Shift which contains the information about carbon related species that may be responsible for forming the traps. The structural data obtained from Raman spectra can be correlated with the electrical properties of the investigated structures.

Węglik krzemu (SiC) jest półprzewodnikiem o szerokiej przerwie energetycznej bardzo obiecującym jako materiał do wytwarzania tranzystorów wysokiej częstości i mocy. Najważniejsze zalety materiału to dobra przewodność cieplna oraz wysokie, krytyczne pole elektryczne. Powierzchniowe utlenianie SiC prowadzi do utworzenia dielektrycznej warstwy SiO2 na podłożu z węglika krzemu. Niestety, materiał ma również istotne wady. Najważniejsza z nich, z punktu widzenia zastosowania w podzespołach elektronicznych, to redukcja mobilności nośników ładunku elektrycznego przez położone w sąsiedztwie interfejsu pułapki (NIT's). Spektroskopia ramanowska jest techniką eksperymentalną umożliwiającą badanie struktury materiału bez konieczności destrukcji próbki. Widma rozpraszania Ramana zależą badanego politypu węglika krzemu, wielkości mikrokryształów oraz wtrąceń takich jak np. struktury węglowe. Celem pracy było zbadanie różnych politypów węglika krzemu (4H oraz 3C) za pomocą jedno- i dwu-fononowych widm rozpraszania Ramana. Uwaga została skupiona na tym zakresie przesunięcia Ramana, gdzie zawarte są informacje na temat struktur węglowych, które mogą być odpowiedzialne za tworzenie pułapek położonych w sąsiedztwie interfejsu SiC / SiO2. Dane dotyczące struktury mogą być skorelowane z własnościami elektrycznymi badanych próbek.