Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: przyrządy unipolarne

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

SMIS : nowa struktura unipolarna

Rosowski A., Lisik Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2006

Vol. 47, nr 11

59-64

Zaprezentowane zostały wyniki symulacji statycznych nowych struktur półprzewodnikowych, określanych jako struktury SMIS. Struktury te należy zaliczyć do grupy przyrządów unipolarnych z izolowaną bramką które wykorzystują właściwości prostujące złącza metal - półprzewodnik. Zaprezentowano podstawowe charakterystyki jednego z przyrządów typu SMIS i podstawowe zjawiska fizyczne istotne dla tego rodzaju struktur. Otrzymane wyniki zestawiono z symulacjami klasycznej struktury tranzystora MOS o analogicznych parametrach konstrukcyjnych.

The results of numerical simulations of novel unipolar semiconductor structure called SMIS have been presented. The structure belongs to the family of isolate gate control devices, in which the rectifier metal - semiconductor junction is applied to form source or dren contacts. The results concerns the steady-state featurs of one of such SMIS structures and have been compared with the results obtained for clasical MOS structure having the same construction parameters.

Numeryczny model struktury SMIS

Lisik Z., Rosowski A.

Elektronika : prace naukowe

2005

nr 10

79-96

W artykule zaprezentowane zostały wyniki symulacji statycznych nowej struktury półprzewodnikowej SMIS oraz jej modyfikacji. Strukturę tę należy zaliczyć do grupy przyrządów unipolarnych z izolowaną bramką, które wykorzystują własności prostujące złącza metal - półprzewodnik. W pracy zaprezentowane zostały podstawowe charakterystyki badanego przyrządu SMIS i jego modyfikacji oraz wpływ parametrów konstrukcyjnych na nie. Omówione zostały także podstawowe zjawiska fizyczne istotne dla tej struktury. Otrzymane wyniki zostały zestawione z symulacjami klasycznej struktury tranzystora MOS o analogicznych parametrach konstrukcyjnych.

This paper presents simulation of SMIS (Schotty MISFET) and SB-MOS (Schottky Barrier MOS). The SMIS structure replaces the doped source and ohms contact of conventional MOS with contact with Schottky barrier. On the basic of the SMIS structure are made a new semiconductor power device - SV MOS (Schottky Vertical MOS). The SB-MOS structure replaces the doped source and drain and ohms contact with contact with Schotty Barrier. This simple change provides numerous performance, manufacturability and cost advantages compared to competing silicon MOS architecture. This architecture provides numerous and broad benefits, which are highly relevant considering the industry's roadmap and technology challenges in both the near and long term. Technology benefits include scalability to the sub-10nm channel length regime. Remarkably, this is accomplished using a manufacturing process that is simpler and requires fewer masks than conventional silicon CMOS, a feature not found in other competing transistor technologies.