Ograniczanie wyników
Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  przyrządy półprzewodnikowe SiC
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Power Losses in PWM Inverters using Silicon Carbide Devices
EN
In this paper the power losses in PWM-VSI inverters using SiC devices are investigated. The power losses are determined by simulation based on the loss models for different load conditions. For the conduction loss evaluation the device models simplified to a voltage source in series with a resistor. Theoretical models are correlated well with the experimental data.
PL
W artykule są badane straty mocy w falownikach PWM z przyrządami SiC. Straty mocy są określane poprzez modelowanie w różnych warunkach obciążenia. Do oceny strat przewodzenia używany jest uproszczony model przyrządu stanowiący szeregowe połączenie źródła napięcia i rezystora. Wyniki badań eksperymentalnych potwierdzają założenia teoretyczne.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.