Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Homoepitaksja węglika krzemu dla przyrządów mocy w Sieci Badawczej Łukasiewicz - ITME

Ciuk Tymoteusz, Kaszub Wawrzyniec, Kościewicz Kinga, Czołak Dariusz, Dobrowolski Artur, Jagiełło Jakub, Chamryga Adrianna, Budzich Rafał, Stańczyk Beata, Przyborowska Krystyna, Harmasz Anna, Góra Krzysztof, Kozłowski Andrzej, Michałowski Paweł, Ciepielewski Paweł, Jóźwik Iwona, Teklińska Dominika, Tymicki Emil, Kozłowski Roman, Kozubal Michał, Kamiński Paweł

Przegląd Elektrotechniczny

|

2019

|

R. 95, nr 9

154--156

PL

Sieć Badawcza Łukasiewicz – ITME posiada wieloletnie doświadczenie w homoepitaksji warstw węglika krzemu na przewodzących podłożach 4H-SiC o średnicy do 3 cali. Technologia wzrostu obejmuje warstwy nieintencjonalnie domieszkowane, warstwy typu „n” oraz warstwy typu „p”. Koncentracja powierzchniowa defektów wynosi ~7000 cm-2 dla przypadku podłoża odchylonego o 4° od płaszczyzny (0001) w kierunku [11-20]. Nowoczesne wyposażenie laboratoryjne pozwala na kompleksową charakteryzację w oparciu o techniki AFM, SEM, SIMS, DLTS, spektroskopię Ramana oraz pomiar charakterystyk I-V i C-V.

EN

Lukasiewicz Research Network – ITME has had many years of experience in silicon carbide homoepitaxy on conducting up to 3-in 4H-SiC substrates. The growth technology covers unintentionally doped layers, n-type layers and p-type layers. Surface etched pit density is below 7000 cm- 2 for a substrate that is 4° off-axis from the (0001) plane towards the [11-20] direction. Modern laboratory equipment allows for a comprehensive characterisation based on AFM, SEM, SIMS, DLTS, Raman spectroscopy, and I-V and C-V measurements.

2

Zastosowanie dielektryków high-k w przyrządach mocy wytwarzanych w technologii węglika krzemu

Król K., Sochacki M., Kwietniewski N., Gierałtowska S., Wachnicki Ł.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2017

|

R. 93, nr 8

106--109

PL

W artykule omówiono zalety zastosowania warstw dielektrycznych o wysokim współczynniku przenikalności elektrycznej osadzanych techniką ALD (ang. Atomic Layer Deposition) i praktyczne aspekty ich wykorzystania w przyrządach mocy typu MOSFET wytwarzanych w technologii węglika krzemu (SiC).

EN

This article describes the benefits of high-k dielectrics’ application in silicon carbide (SiC) technology aimed for production of power MOSFETs. The importance of the finding a new dielectric material for SiC MIS structures is explained and the main application problems are disscussed. The stacked dielectric layers of Al2O3/SiO2 and ZrO2/SiO2 manufactured by atomic layer deposition technique (ALD) on 4H-SiC substrates are then investigated by means of electrical methods useful in power device technology.

3

Europejskie konferencje poświęcone energoelektronice i jej zastosowaniom

Januszewski S.

Wiadomości Elektrotechniczne

|

1998

|

nr 1

10-17

PL

Omówiono przygotowanie organizacyjne i merytoryczne konferencji EPE,odbywających się od 1985r.w różnych krajach europejskich.Przedstawiono główne zadania dyskutowane na tych konferencjach .

EN

The author discusses the organizationai and substantial preparations of the European Conferences on Power Electronics and Applications(EPE)that are held from 1985 in different European countries.Main problems tackled at these conferences are presented.

4

40 lat rozwoju i zastosowań półprzewodnikowych przyrządów mocy

Januszewski S.

Wiadomości Elektrotechniczne

|

1998

|

nr 5

275-282

PL

Scharakteryzowano diody mocy, tranzystory mocy, tyrysory. Opisano energetyczne układy scalone.Przedstawiono nowe materiały dla PPM i perspektywy w tej dziedzinie. Omówiono tradycyjne i nowe zastosowania oraz prognozy rozwoju PPM.

EN

Power diodes, power transistors and thyristors are charkterized. There are also presented new materials for the semiconductor power devices and prospects in this area,as well as traditional and new applications and forecasting.