Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

The modeling of thermal and electrothermal phenomenon in power semiconductor and VLSI circuits

Kamiński M.

Zeszyty Naukowe. Elektryka / Politechnika Łódzka

|

2007

|

z. 111

37-46

EN

In the paper a principle of improving the methodology of ordering equations in thermal problems and designing a simulator of electrothermal phenomenon has been presented.

PL

Głównymi zadaniami pracy było opracowanie metod przyspieszających rozwiązywanie równania przewodnictwa ciepła z wykorzystaniem metody różnic skończonych i napisanie dwóch symulatorów zjawisk elektrotermicznych odpowiednio dla przyrządów półprzewodnikowych mocy i dla układów scalonych. Autor zaproponował dwa algorytmy porządkowania układu równań liniowych o podobnej skuteczności jak metoda prawie optymalna (minimum degree) ale działające w znacząco krótszym czasie. Przedstawiono również sposoby przyspieszenia obliczeń w przypadku uwzględniania w modelu termicznym nieliniowych warunków brzegowych. W drugiej części pracy autor zaprojektował dwa symulatory elektrotermiczne: MOPS + TULSOFT i DUET. W pierwszym symulatorze zastosowano autorską koncepcję łączenia dwuwymiarowego symulatora zjawisk elektrycznych z trójwymiarowym symulatorem zjawisk termicznych. W symulatorze DUET najważniejszym elementem jest zastosowanie ekstraktora schematu elektrycznego również do generacji trójwymiarowego modelu termicznego w celu automatycznego uzyskania powiązanych modeli termicznego i elektrycznego na podstawie plików w formacie GDSII. Oba symulatory wykorzystano w analizie zjawisk elektrotermicznych w wybranych strukturach półprzewodnikowych: diodach PIN, tranzystorach IGBT i VDMOS, bramkach cyfrowych, zwierciadłach prądowych i wzmacniaczach operacyjnych.

2

Stanowiska do badań właściwości dynamicznych polowych przyrządów półprzewodnikowych mocy w typowych konfiguracjach układowych

Starzak Ł., Simiński S., Bek S.

Mikroelektronika i Informatyka : prace naukowe

|

2007

|

Z. nr 7

113-116

PL

W badaniach z dziedziny elektroniki przemysłowej niezbędne są często pomiary przyrzadów półprzewodnikowych mocy. W artykule przedstawiono opracowane i skonstruowane stanowisko pozwalające na prowadzenie pomiarów zgodnie z ogólnie przyjętymi wymaganiami. Podano przykłady jego zastosowania do badania diod wysokonapięciowych oraz współpracy kluczy półprzewodnikowych w konfiguracji mostka.

3

Kondensatory nieliniowe w układach regeneratywnych tłumików napięcia

Napiórkowski K.

Elektronika : prace naukowe

|

2002

|

nr 7

121-145

PL

W artykule omówiono możliwość zastosowania kondensatorów nieliniowych w tłumikach regeneratywnych dla procesów wyłączania wymuszonego szybkich przyrządów półprzewodnikowych mocy (tzw. układów turn - off snubbers). Przedstawiona została technologia kondensatorów nieliniowych oraz charakterystyki kondensatorów w funkcji napięcia. Zaprezentowana została aproksymacja wielomianowa charakterystyki kondensatora nieliniowego a także model dla potrzeb symulacji w programie SPICE. Przedstawione zostały wyniki symulacji i badań doświadczalnych opracowanego przez autora układu tłumika regeneratywnego z wykorzystaniem kondensatorów liniowych i nieliniowych jako kondensatorów tłumiących. Zaprezentowane zostały wyniki badań termograficznych łącznika półprzewodnikowego współpracującego z różnymi kondensatorami tłumiącymi.

EN

This paper presents a new snubber circuit with energy recovery and relative simple configuration. Most industrial high power converters and inverters, require snubber circuits to protect the main power semiconcuctor switches and to limit over voltage and high dv/dt caused by stray inductance in practical circuits. The conventional RCD snubber circuit uses resistors to dissipate all snubber energy. Circuit efficiency is improved if snubber energy is recovered back to the DC supply or load. Turn-off snubber reduces turn-off losses in semiconductor switch (Bipolar Transistors, IGBT, VMOS, GTO). Regenerative snubber permits the semiconductor switch to operate at high frequencies with an improved SO A. In the new regenerative turn-off snubber energy stored in the stray inductance is absorbed in the snubber capacitor and then this absorbed energy is returned in significant part through the snubber inductor to the supply. Return of energy is made by using an auxiliary switch. The size of the auxiliary switch compared to the main switch makes this snubber a good alternative to the conventional snubber or even to passive low-loss snub-bers. When operating at higher power levels and switching frequencies, it is common practice to use regenerative snubber circuits, where the stored energy in the snubber elements may be recovered for example by feeding it back to the supply. The operating phases have been shown by using IS SPICE simulation program for linear and nonlinear snubber capacitors. Next the analytical methods have been used to find the equivalent value of snubber nonlinear capacitor. A prototype of regenerative snubber with the selected values of the snubber capacitor and circuit components was built and tested to verify the results. The practical circuit waveforms are presented. The comparison of the work conditions of the switching element (energy losses, case temperature) at the presence of linear and nonlinear capacitors is done.