PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  przyrząd energoelektroniczny
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Wyznaczanie parametrów cieplnych przyrządów półprzewodnikowych dużej mocy metodą eksperymentalną
Domino A., Mazurek P., Sikora J., Zymmer K.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 5
228--232
PL
W artykule przedstawiono eksperymentalną metodę wyznaczania parametrów cieplnych przyrządu energoelektronicznego Rth i Zth. Podano wyniki pomiarów tych danych wykonane dla diody dużej mocy. Omówiono problemy występujące w trakcie realizacji procedury pomiarowej. Przedstawiono także autorską metodę obliczania parametrów czteroczłonowego modelu cieplnego przyrządu na podstawie zależności Zth(t) uzyskanej eksperymentalnie.
EN
The paper presents experimental method of marking out of the semiconductor power devices thermal parameters – RthandZth. The results of the measuring these parameters for high power diode are presented also. Problems which appeared during of the measuring this procedure are discussed. The authors method of calculating of semiconductor power device four-part thermal model is exposed. This calculations are based on function thermal impedance performed by experimental method.
2
Content available remote Wyznaczanie temperatury struktury przyrządu półprzewodnikowego w warunkach przeciążeń i zwarć
Zymmer K., Domino A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 10
242-245
PL
W artykule przedstawiono wygodny sposób wyznaczania temperatury struktury półprzewodnikowej przyrządów energoelektronicznych uzyskiwanej przez badania symulacyjne modelu cieplnego przyrządu. Opisano też sposób wykorzystania tej temperatury dla określania zagrożeń uszkodzeniem diod i tyrystorów w warunkach przeciążeń i zwarć oraz doboru zabezpieczeń przeciwzwarciowych.
EN
The paper presents a convenient way of determining the temperature of a semiconductor structure of an power electronic devices obtained during simulation investigations of a thermal model of the device. A method of using this temperature for determining hazards of damage for diods and thyristors in conditions of overloads and short circuits, a nd for selection of short circuit protection.
3
Kryteria doboru dyskretnych przyrządów energoelektronicznych do wysokonapięciowych układów przekształtnikowych dużej mocy
Januszewski S.
Wiadomości Elektrotechniczne
|
2001
|
R. LXIX, nr 4
140-145
PL
W układzie energoelektronicznym półprzewodnikowy przyrząd mocy spełnia funkcję łącznika, dzięki któremu przez odpowiednie sterowanie można przekształcać parametry energii elektrycznej zgodnie z życzeniami użytkowników. Wymaga się, aby przyrząd działał szybko, ale bez wytwarzania nadmiernych sygnałów zakłócających, miał wystarczająco duże prądy i napięcia, aby nie było potrzeby łączenia równoległego lub/i szeregowego w celu uzyskania żądanej mocy wyjściowej układu, wykazywał wymaganą niezawodność działania oraz był bezpieczny dla obsługi przekształtnika i środowiska.
EN
Economic aspects of high-voltage power electronic devices. Limitations of improving power electronic devices. Basic criteria for selection of semiconductor devices for high-power converters. Profits resulting from an innovation of system solutions.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.