Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: przewodnictwo hoppingowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Studies of the dc and ac hopping electrical conductivity in ferroelectric Pb[(Fe[1/3]Sb[2/3])[x]Ti[y]Zr[z]]O[3]

Osak A., Piwowarczyk J.

Czasopismo Techniczne. Nauki Podstawowe

2011

R. 108, z. 1-NP

59-75

In the paper results of the dc and ac conductivity measurements in ferroelectric ceramics Pb[(Fe[1/3]Sb[2/3])[x]Ti[y]Zr[z]]O[3] with x + y + z = 1, x = 0.1 and y = 0.43 - 0.47 are presented. The measurements have been carried out in the temperature range 77-750 K. DC conductivity in the range low temperature obeys Mott's law [sigma](0) [tilde] exp[-(T[0]/T)[^1/4]]. The values of T[0] are the order 10[^6] K. In the high temperature range dc conductivity shows an activated temperature dependence. Ac conductivity has been measured in the range of frequency 50 Hz-100 kHz. It is shown that ac conductivity fulfills the relations [sigma]([omega]) [tilde] [omega][^S], where the power exponent depends on temperature and frequency. The values of the density of states at the Fermi level N(E[F]), the most probable Mott's hopping distance R and hopping energy W were also determined.

W artykule przedstawiono wyniki pomiarów przewodnictwa zmienno- i stałoprądowego ferroelektrycznej ceramiki [Pb(Fe[1/3]Sb[2/3])[x]Ti[y]Zr[z]]O[3] gdzie x + y + z = 1, x = 0,1 i y = 0,43 -0,47. Pomiary zostały wykonane w zakresie temperatur 77-750 K. Przewodnictwo stałoprądowe w niskich temperaturach jest opisane prawem Motta [sigma](0) [tylda] exp[-(T[0]/T)[^1/4]]. Wartość T[0] jest rzędu 10[^6] K. W zakresie wysokich temperatur przewodnictwo stałoprądowe ma charakter aktywacyjny. Przewodnictwo zmiennoprądowe zostało zmierzone w zakresie od 50 Hz do 100 kHz. Przewodnictwo zmiennoprądowe jest opisane zależnością [sigma]([omega]) [tylda][omega][^S], gdzie wykładnik potęgowy jest zależny zarówno od temperatury, jak i częstotliwości. W pracy wyznaczono również wartości gęstości stanów na poziomie Fermiego N(E[F]), najbardziej prawdopodobną odległość hoppingu Motta R i energię hoppingu W.

The transport properties of sputter-deposited Ge-Sb-V thin films

Beensh-Marchwicka G., Prociów E., Berlicki T.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2007

Vol. 48, nr 12

49-50

Temperature-dependent transport properties of p-type Ge-Sb-V films prepared by the pulse magnetron sputtering technique have been studied. Doping of Ge by Sb and V and post-deposition annealing in air atmosphere at 823 or 923 K were the necessary preconditions of obtaining enhanced p-type conduction and considerable high values of Seebeck coefficient ranging from 400 to 160 µV/K. The temperature of post-deposition annealing and V content were taken as varying parameters to observe any variations in temperature dependent resistivity and thermoelectric power in the film and tried to explain the electrical transport mechanism therefrom. The structural analysis showed that films 3 µm thick remained microcrystalline and the variable range hopping (VRH) in three dimension system was dominant mechanism for d.c. charge transport.

Analizowano temperaturowo zależne własności transportu warstw Ge-Sb-V, otrzymywanych techniką impulsowego rozpylania magnetronowego, wykazujących przewodnictwo typu p. Domieszkowanie Sb i V germanu i starzenie po wytworzeniu w atmosferze powietrza przy 823 lub 923 K było warunkiem koniecznym otrzymania przewodnictwa typu p i bardzo dużej wartości współczynnika Seebecka od 400 do 160 µV/K. Temperaturę wygrzewania warstw po nanoszeniu i zawartość wanadu w warstwie przyjęto jako zmienne parametry do badania wpływu na zachowanie się rezystywności i siły termoelektrycznej w funkcji temperatury i na tej podstawie próbowano określić mechanizm transportu nośników w warstwach. Analiza struktury wykazała, że warstwy o grubości około 3 µm pozostają mikrokrystaliczne oraz, że dominującym mechanizmem transportu nośników dla prądu stałego był trójwymiarowy hopping zmienno-zasięgowy (VHR).