Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Nukleonika

1 1999

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: przemiany termicznie aktywowane

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Thermally activated defect transformations in III-V compound semiconductors

Turos A., Stonert A., Breeger B., Wendler E., Wesch W.

Nukleonika

1999

Vol. 44, nr 2

93-102

Defect properties are usually studied by the analysis of their thermally activated transformations. In this paper the results of the first RBS/channeling study of the simple defect behavior in the GaAs single crystals and AlxGa1-xAs epitaxial layers irradiated at 77K and annealed at temperatures ranging from 77 to 650K are presented. Two important recovery stages at 280 and 450K were revealed. They were attributed to the defect mobility in the Ga- and As-sublattice, respectively. The structure of defects and their properties are discussed and the comparison with findings obtained using other analytical techniques is made.

Własności defektów strukturalnych są zazwyczaj badane na drodze analizy ich termicznie aktywowanych przemian. W artykule przedstawiono wyniki pomiarów własności defektów prostych w monokryształach GaAs i warstwach epitaksjalnych AlGaAs bombardowanych jonami azotu w temperaturze 77K i wygrzewanych w przedziale temperatur od 77K do 650K. Zaobserwowano dwie granice ruchliwości defektów w temperaturach 280K i 450K. Zostały one przyporządkowane ruchliwości defektów odpowiednio w podsieci Ga i As. Przedstawiono hipotezy odnośnie struktury tych defektów i porównano je z obserwacjami uzyskanymi za pomocą innych metod pomiarowych.