Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: przekształtniki impulsowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wysokoczęstotliwościowa przetwornica dc/dc oparta na tranzystorach SIC dla zastosowań z odnawialnymi źródłami energii

Wolski L.

Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska

2016

nr 3

43--46

Artykuł prezentuje koncepcję budowy, konstrukcji oraz wyniki testów modelu przetwornicy DC/DC typu Buck-Boost o mocy do 1 kW z wykorzystaniem tranzystorów z węglika krzemu (SiC JFET). Przetwornica zaprojektowana została do współpracy z magazynem energii w postaci superkondensatora w układzie stabilizacji napięcia laboratoryjnego wieloźródłowego systemu odnawialnych źródeł energii (OZE). Małe straty przewodzenia oraz mała energia przełączeń tranzystorów Sic JFET umożliwiły zwiększenie częstotliwości pracy kluczy przetwornicy do 500 kHz. Przeprowadzone badania laboratoryjne modelu potwierdziły wysoką sprawność przetwornicy na poziomie 95%.

The paper presents the concept of the design, construction and test results of the voltage DC/DC Buck-Boost Converter up to 1 kW with silicon carbide transistors (SiC JFET). The inverter is designed to work with the supercapacitor energy storage bank as voltage stabilization system in multisource renewable energy sources (RES) laboratory stand. Small conduction losses and low switching energy of SiC JFET transistors make possible to increase the operating frequency of the inverter to 500kHz. Conducted laboratory tests confirmed the high efficiency model of the inverter at 95%.

Analiza strat powstających podczas załączania pary tranzystorów mocy MOS-FET oraz IGBT, pracujących w przekształtnikach rezonansowych

Balcerak M.

Prace Instytutu Elektrotechniki

2010

Z. 246

59-72

W niniejszym artykule przedstawiono topologię rezonansowego układu przekształtnikowego służącego do generacji bardzo krótkich impulsów o wysokiej mocy. Omówiono celowość równoległego łączenia ze sobą dwóch typów tranzystorów: MOS-FET i IGBT, pracujących jako klucze w przekształtnikach rezonansowych typu Kicker Power Supply (KPS). Przedstawiono wpływ niejednoczesności załączenia tranzystorów na sprawność przetwornicy oraz na straty mocy na tych tranzystorach. Zwrócono również uwagę na opóźnienia czasu załączania wprowadzane przez sterowniki tranzystorów mocy. Omówiono także wpływ wartości rezystancji łączącej sterownik z tranzystorem mocy na sprawność przetwornicy rezonansowej.

Paper presents topology of resonant inverter which is used to generate very short, high-power pulses. Advisability of parallel connecting two kinds of transistors: MOS-FET and IGBT, working as keys in resonant inverters in Kicker Power Supply (KPS) were discussed. Influence of unsimultaneity of turning on transistors to efficiency of inverter and the power losses on these transistors was presented. Paper discussed also the delays added by the drivers of power transistors and the influence of value of resistance connecting driver with power transistor on efficiency of resonant inverter.