Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Zastosowanie metody MPAS do określania przekrojów czynnych pułapek powierzchniowych w węgliku krzemu

Gutt T., Przewłocki H. M

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 9

20-22

PL

W pracy przedstawiono nową, szybką metodę pomiaru przekrojów czynnych pułapek powierzchniowych, wykorzystującą mapę konduktancji w graficznej analizie pułapek MPAS. Przy użyciu tej metody określono przekroje czynne pułapek w próbkach SiC-3C z tlenkiem bramkowym SiO2 wytwarzanym dwiema metodami (PECVD i mokre utlenianie termiczne 3C-SiC) i z różnymi materiałami bramki (AI, Au, Ni i poli-Si). Uzyskane wyniki wskazują, że pułapki w większości próbek mają typowe wartości przekroju czynnego on ok. 10-15 cm2, charakterystyczne dla centrów Pb. Większe przekroje czynne stwierdzono jedynie w próbkach WET/Ni (on ok. 10-13 cm2), ale wyjaśnienie przyczyny tego odchylenia wymaga dalszych badań.

EN

The MPAS maps are a new, convenient and fast method of interface trap characterization. Using the same data as measured by the conductance method, the MPAS technique requires much less computational effort, allowing for graphical analysis of the distributions of traps in the space of energy position vs. trapping speed, and enabling direct evaluation of trap density and capture cross-section. The graphical method of trap capture cross-section evaluation is proposed based on MPAS. A grid made of lines is calculated for a sequence of capture cross-section values, and superimposed on the MPAS maps. The straight ridge formed by measured conductance In(Gm/ω) in (fs, In(ω-1)) coordinates aligns well with the grid lines, what enables the evaluation of trap capture cross-sections in the constant on range by matching the nearest on line with the In(Gm/ω) ridge line. Using this method, a set of samples of SiC-3C based MOS capacitors with different oxide preparation technology and different gate materials was analyzed and only small deviations from on=10-15 cm2 were detected. As that is the typical trap size of the commonly found Pb - centres, we concluded that the trap centres observed on the MPAS maps in this experiment were mainly, although not exclusively, the dangling bonds.

2

Chemia kwantowa w molekularnej optyce nieliniowej

Wielgus M., Kozłowska J., Bartkowiak W.

Wiadomości Chemiczne

|

2012

|

[Z] 66, 1-2

1-18

EN

We review quantum-chemical methodologies based on simple two- and three- state models for molecular hyperpolarizabilities and two-photon cross-sections. In this article we show that simplified few-state models, obtained from sum -over-states formalism, are important tools for investigations structure-property relationships for various type of đ-conjugated compounds. These relationships are important for rational design of molecules with large nonlinear optical response

3

Elektryczny moment dipolowy atomu He wzbudzonego poprzez zderzenie z jonem He+ - spektroskopia antykrzyżujących się poziomów

Baszanowska E., Kamiński P., Drozdowski R.

Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni

|

2011

|

nr 71

5-14

PL

Wykorzystując spektroskopię antykrzyżujących się poziomow, wyznaczono elektryczne momenty dipolowe atomow He wzbudzanych do stanow z powłoki z n = 4 poprzez zderzenia z jonami He+ o energii 26 keV. Oczekiwana wartość elektrycznego momentu dipolowego, wyznaczona na podstawie obserwacji natężenia linii widmowej λ(1s4d³D - 1s2p³P) = 447 nm w funkcji natężenia osiowego pola elektrycznego, wynosi -12,5 j.a.

EN

Using the anticrossing spectroscopy, the electric dipole moment of He atoms excited by 26 keV He+ ions impact to the states of the shell n = 4 was determined. Observations of the intensity of the spectral line λ(1s4d³D - 1s2p³P) = 447 nm as a function of the intensity of axial electric field allow to determine the expectation value of the electric dipole moment: -12.5 a.u.