PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 9

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  przejściowa impedancja termiczna
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Measurements of transient thermal impedance of SiC BJT
Szelągowska Joanna, Bisewski Damian, Zarębski Janusz
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 2
178--181
EN
The paper presents the computer-aided method of measuring of the transient thermal impedance of SiC BJTs. The advantages of this method are illustrated by means of measurements of the silicon carbide BJT operating at the different cooling conditions.
PL
W pracy przedstawiono komputerową metodę pomiaru przejściowej impedancji termicznej tranzystora SiC BJT. Zalety tego sposobu zilustrowano za pomocą pomiarów tranzystora SiC BJT pracującego w różnych warunkach chłodzenia.
2
Content available remote Parametry cieplne wybranych paneli fotowoltaicznych
Krac E., Górecki K.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2016
|
nr 95
92--98
PL
W artykule przedstawiono metodę pomiaru przejściowej impedancji termicznej oraz rezystancji termicznej paneli fotowoltaicznych. Omówiono sposób realizacji wymienionej metody oraz zaprezentowano uzyskane wyniki pomiarów parametrów cieplnych wybranych paneli fotowoltaicznych. Przedyskutowano również wpływ wybranych czynników na przebiegi przejściowej impedancji termicznej rozważanych paneli fotowoltaicznych.
EN
The article presents the method of measuring the transient thermal impedance and thermal resistance of photovoltaic panels. Implementation of said method has been discussed as same as the results of measurements of thermal parameters of selected photovoltaic panels. Moreover, the impact of selected factors on transient thermal impedance of mentioned photovoltaic panels is also discussed.
3
Content available remote Zależność parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora MOS mocy od konstrukcji układu chłodzenia
Bisewski D., Górecki K., Zarębski J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2015
|
R. 91, nr 4
139--143
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych, ilustrujących wpływ takich czynników jak wielkość pól lutowniczych, powierzchnia miedzi na płytce drukowanej oraz zastosowanie wodnego systemu chłodzenia na parametry modelu przejściowej impedancji termicznej Zth(t) tranzystora MOS mocy. Pomiary Zth(t) wykonano pośrednią metodą elektryczną, a wartości parametrów jej modelu wyznaczono przy wykorzystaniu autorskiego algorytmu. W oparciu o uzyskane wyniki badań wskazano zależność między konstrukcją układu chłodzenia a parametrami modelu cieplnego tego elementu.
EN
The paper presents the results of experimental studies that illustrate the influence of the selected factors, i.e. the size of soldering pads, the PCB copper area as well as the use of aqueous cooling system on the transient thermal impedance model parameters of MOSFET. Measurements of thermal parameters were performed using the indirect electrical method. Parameters of the transient thermal impedance model were calculated using the estimation procedure elaborated by the authors. The obtained results show an influence of the system cooling parameters on the thermal model parameters of the semiconductor device.
4
Content available remote Wpływ mocowania elementu półprzewodnikowego na jego przejściową impedancję termiczną
Górecki K., Zarębski J.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2014
|
z. 1
57--64
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań wpływu sposobu mocowania elementu półprzewodnikowego na jego przejściową impedancję termiczną. Opisano zastosowaną przez autorów metodę pomiaru tego parametru oraz wyniki pomiarów cza-sowych przebiegów przejściowej impedancji termicznej wybranych typów tranzystorów pracujących przy różnych warunkach mocowania. Przy wykorzystaniu autorskiego programu ESTYM wyznaczono wartości parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej i przeanalizowano wpływ sposobu mocowania na wartości tych parametrów. Badania przeprowadzono zarówno dla elementów pracujących pojedynczo, jak i dla analogowego układu scalonego oraz tranzystorów pracujących na wspólnym radiatorze.
EN
In the paper some results of investigations of the influence of the manner of mounting semiconductor devices on its transient thermal impedance are presented. The applied by the authors the method of measurements of this parameter is described and some results of measurements of waveforms of the transient thermal impedance of selected types of transistors operating at different mounting conditions are shown. With the use of the authors’ program ESTYM the values of parameters of the model of the transient thermal impedance were estimated. The influence of the manner of mounting manner on the value of these parameters is analysed. Investigations were passed both for devices operating one by one, as and for the analog integrated circuit and transistors situating on the common heat-sink.
5
Content available System do automatycznego pomiaru parametrów termicznych półprzewodnikowych przyrządów mocy
Bisewski D., Zarębski J.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2014
|
R. 60, nr 12
1150--1153
PL
W pracy omówiono budowę i zasadę działania autorskiego systemu do automatycznego pomiaru parametrów termicznych, w tym czasowych przebiegów przejściowej impedancji termicznej oraz rezystancji termicznej półprzewodnikowych przyrządów mocy. W rozważanym systemie zaimplementowano popularną impulsową metodę pomiaru parametrów termicznych opartą na wykorzystaniu krzywej chłodzenia elementu półprzewodnikowego. Działanie systemu pomiarowego zilustrowano wynikami pomiarów parametrów termicznych wybranych półprzewodnikowych przyrządów mocy.
EN
Generally, manufacturers of semiconductor devices do not provide in datasheets detailed information about thermal parameters of semiconductor devices, i.e. time waveform of junction-to-ambient transient thermal impedance or dependence of junction-to-ambient thermal resistance versus dissipated power. Therefore, the designers of electronic circuits do not have reliable information about thermal properties of semiconductor devices in the designed circuit [1 - 3]. The paper discusses the construction and operation of automatic measurement system of thermal parameters, including transient thermal impedance and thermal resistance of semiconductor power devices. Block diagram of the measurement system is shown in Fig. 1. In the measurement system, the popular Rubin and Oettinger [6] pulse method for measuring thermal parameters based on the cooling curve of semiconductor device, has been implemented. For reading and archiving the results of measurements, A/D and D/A converter USB-1608GX-2AO fabricated by Measurement Computing [5], has been used. Usefulness of the measuring system is illustrated by results of measurements of thermal parameters of silicon MOSFET (IRFR420A - International Rectifier), silicon carbide MESFET (CRF24010 - Cree) and silicon carbide Schottky diode (IDT06S60C - International Rectifier). As seen in Fig. 3, the thermal resistance junction-to-ambient strongly depends on semiconductor device dissipated power. For example, the thermal resistance of MOSFET decreases about 20% with increase of the dissipated power from 0.1 W to 1 W, at constant ambient temperature. It has been shown, that realization of such measurements allows to obtain more precise information about the thermal parameters of semiconductor devices in comparison to the device catalogue data.
6
Wpływ obudowy urządzenia elektronicznego na przejściową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS
Górecki K., Zarębski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 9
111-113
PL
W pracy przedstawiono i przedyskutowano wyniki badań eksperymentalnych dotyczących wpływu obudowy urządzenia elektronicznego na przejściową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS umieszczonego w takiej obudowie. Opisano sposób realizacji pomiaru przejściowej impedancji termicznej rozważanych tranzystorów, a także opisano zastosowany układ pomiarowy. Wyznaczono wartości parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej badanego tranzystora i przeanalizowano wpływ materiału obudowy na wartości tych parametrów.
EN
In the paper the investigations results concerning the influence of the electronic equipment housing on the transient thermal impedance of the power MOSFET situated in such housing are presented and discussed. The manner of the realization of the measurement of the transient thermal impedance of considered transistors is described, and the used measuring set is presented. Values of parameters of the model of the transient thermal impedance of the investigated transistor are calculated and the influence of a material used for the housing building on the value of these parameters is analysed.
7
Efektywność odprowadzania ciepła z elementów półprzewodnikowych za pomocą pompy EHD
Janke W., Hapka A., Kraśniewski J., Oleksy M., Mizeraczyk J., Kocik M., Barbucha R., Tański M., Janke M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 10
58-60
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań nad efektywnością odprowadzania ciepła z diod półprzewodnikowych, chłodzonych przepływem cieczy wymuszanym pompą EHD. Wykonano pomiary przejściowej impedancji termicznej wybranych elementów oraz określono wpływ natężenia przepływu na ich rezystancję termiczną.
EN
The paper presents results of research on the efficiency of cooling of semiconductor diodes, with the use of liquid flow from EHD pump. Measurements of transient thermal impedance of the selected devices has been performed and the influence flow rate on their thermal resistance has been investigated.
8
Content available remote Przejściowa impedancja termiczna diod Schottky’ego z węglika krzemu w szerokim zakresie temperatur
Janke W., Hapka A., Oleksy M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2009
|
R. 85, nr 11
203-205
PL
W pracy omówiono badania przejściowej impedancji termicznej diod Schottky’ego z węglika krzemu, w szerokim zakresie temperatur otoczenia. Scharakteryzowano parametry elektryczne węglika krzemu oraz wpływ temperatury na parametry decydujące o przebiegu przejściowej impedancji termicznej. Omówiono sposób pomiaru, oraz wyniki badań impedancji termicznej kilku typów diod Schottky’ego w zakresie temperatur otoczenia od 25°C do 300°C.
EN
In the paper, the investigations of SiC Schottky diodes thermal characteristics in the wide range of ambient temperature are presented. The electrical parameters of silicon carbide are described and the temperature dependence of the thermal parameters of this material is outlined. The transient thermal impedance measurement results, obtained for several types of SiC Schottky diodes for the ambient temperature range of 250C to 3000C are shown and discussed.
9
Content available remote Estymacja parametrów modelu termicznego elementów półprzewodnikowych
Górecki K., Zarębski J.
Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji
|
2006
|
Vol. 52, z. 3
347-360
PL
W pracy przedstawiono opracowaną przez autorów metodę estymacji parametrów modelu termicznego elementów półprzewodnikowych i układów scalonych oraz program komputerowy MASTER2 realizujący tę metodę. Program MASTER2 steruje procesem pomiaru przejściowej impedancji termicznej Z(t) badanych elementów półprzewodnikowych i na podstawie uzyskanego przebiegu Z(t) wyznacza wartości parametrów skupionego modelu termicznego – rezystancji termicznej, termicznych stałych czasowych i odpowiadających im współczynników wagowych, a także wartości elementów biernych występujących w analogu elektrycznym modelu termicznego sformułowanego w postaci sieci Cauera lub Fostera. Poprawność opracowanej metody i programu zweryfikowano doświadczalnie przez porównanie zmierzonych i obliczonych przebiegów przejściowej impedancji termicznej Z(t) tranzystora mocy MOS.
EN
This paper deals with the problem of the estimation of the thermal model parameters of semiconductor devices. A new computer tool – MASTER2 for estimation of these parameters is presented. MASTER2 controlls the method of measuring the transient thermal impedance Z(t) as well as it estimates both the value of Z(t) parameters: Rth, ai, [tau]thi (i = 1, 2, 3,..., N) and the values of RC elements existing in the electrical analogues of a device thermal model of the form of Cauer or Foster network. The procedure of estimation of the parameters of the device thermal model is automatically realised on the authors' special algorithm implemented in MASTER2. In this algorithm, in the first place the values of the parameters: coefficients a i, thermal time constant [tau]thi and the thermal resistance Rth are calculated using the measured Z(t) dependence. Next, the values of RC elements in the Foster and Cauer networks are computed. The considered algorithm is valid in the case when the values of the successive thermal time constants differ from each other at least a few times. Therefore, the dependence Z(t) normalized to Rth is a intervally linear function in the lin-long scale. The value of Rth results directly from Z(t) at the ateady-state. Values of the remaining parameters are calculated by the last-square method used for approximation of any special function with Z(t) as an argument. At first the longest thermal time constant and the coefficient a1 corresponding to them are calculated. The values of RC elements of the Foster network are calculated after analytical dependences containing the considered parameters. In turn, to calculate the values of the Cauer network, the operational thermal impedance Z(s) has to be formulated. Next, division of the values of coefficients corresponding to the highest degree of polynominals representing the numerator and the denominator of Z(s) respectively, have to be performed. The value of such division at the k-th iteration is denoted as Dk. In each iteration step, the product of the denominator value and the value of Dk is substracted from the numerator and the denominator are transformed to each other. The presented computer tool was verified experimentally by comparing the measured and calculated dependence of Z(t) of the VDMOS transistor IRF840. The very well agreement between measurements and simulations have been obtained.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.