Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska

1 2018

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: przeciwrównoległy obwód memrystorowy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Analysis of an anti-parallel memristor circuit

Mladenov V., Kirilov S.

Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska

2018

T. 8, nr 2

9--14

The basic purpose of the present paper is to propose an extended investigation and computer analysis of an anti-parallel memristor circuit with two equivalent memristor elements with different initial values of the state variables using a modified Boundary Condition Memristor (BCM) Model and the finite differences method. The memristor circuit is investigated for sinusoidal supply current at different magnitudes – for soft-switching and hardswitching modes, respectively. The influence of the initial values of the state variables on the circuit’s behaviour is presented as well. The equivalent i-v and memristance-flux and the other important relationshipsof the memristor circuit are also analyzed.

Podstawowym celem niniejszego artykułu jest zaproponowanie rozszerzonego badania i komputerowej analizy przeciwrównoległego układu memrystorowego z dwoma równoważnymi elementami memrystorowymi o różnych wartościach początkowych zmiennych stanu z wykorzystaniem zmodyfikowanego modelu Boundary Condition Memristor (BCM) i metody różnic skończonych. Obwód memrystorowy jest badany dla sinusoidalnego prądu zasilania o różnych wielkościach – odpowiednio dla trybów miękkiego przełączania i twardego przełączania. Przedstawiono również wpływ wartości początkowych zmiennych stanu na zachowanie obwodu. Analizowane są również równoważne charakterystyki prądowo-napięciowe zależność między memrystancją i strumieniem magnetycznym oraz inne ważne cechy obwodu memrystora.