PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 11

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  przełączanie
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Wpływ zjawisk cieplnych na parametry dynamiczne tranzystora IGBT
Górecki P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 9
44--47
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych ilustrujących wpływ zjawisk cieplnych na parametry dynamiczne tranzystora IGBT. Zaprezentowano zastosowany układ pomiarowy oraz przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk i parametrów dynamicznych wybranego tranzystora IGBT typu STGF14NC60KD wyprodukowanego przez firmę ST Microelectronics pracującego w różnych warunkach. Przeanalizowano wpływ temperatury otoczenia oraz zjawiska samonagrzewania na przebieg charakterystyk dynamicznych tego tranzystora.
EN
The paper concerns the study on an influence of thermal phenomena on selected parameters of the IGBT. In the paper, the used measurement set-up and the measured waveforms of waveforms of the investigated transistor obtained under different operating conditions are presented. Particulary, the influence of the ambient temperature and the self-heating phenomenon on the shape of these waveforms is discussed.
2
Content available Multi-spark modeling of very fast transient overvoltages for the purposes of developing HV and UHV gas-insulated switchgear and of conducting insulation co-ordination studies
Szewczyk M.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2017
|
Vol. 65, nr 6
871--882
EN
Very fast transient overvoltages (VFTO) originate from steep voltage breakdowns in SF6 gas that are inherent to operation of any switching device of the gas-insulated switchgear (GIS) type. For power stations with voltage ratings exceeding 500 kV, the ratio between equipment rated- and withstand-voltage levels becomes relatively low, which causes the VFTO peak values to reach the component’s insulation withstand-voltage levels, thus becoming a design factor for high- and ultra-high voltage GIS. While well-established approach to VFTO analyses involves only single VFTO events (the so-called single-spark approach), there is often the need to analyze the entire VFTO generation process, for which the multi-spark approach to VFTO modeling is to be employed. The multi-spark approach allows one to evaluate the VFTO impact on the GIS disconnector design along with the impact of the VFTO on selection and dimensioning of the VFTO damping solutions. As the multi-spark approach to VFTO modeling is now being increasingly used in UHV GIS developments as well as for the insulation co-ordination studies of power stations, the present paper is motivated by the need to report on the VFTO multi-spark modeling approach and to lay a common ground for development works that are supported extensively with VFTO simulations. The paper presents physical assumptions and modeling concepts that are in use in such modeling works. Development of the multi-spark GIS disconnector model for VFTO simulations is presented, followed by an overview of examples of the model application for the GIS development works and for insulation co-ordination studies.
3
Zarządzanie mobilnością w nowoczesnych sieciach IR. Cz. 1, Potrzeby, wymagania i podstawowe rozwiązania
Woźniak J., Gierłowski K., Gierszewski T., Hoeft M.
Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne
|
2012
|
nr 8-9
626-633
PL
Przedstawiono krótką charakterystykę rynku teleinformatycznego i wymagań nowych usług sieciowych, porównując je z możliwościami funkcjonalnymi oferowanymi przez współczesne systemy i sieci, tak przewodowe, jak i bezprzewodowe. Sformułowano ograniczenia architektury TCP/IP w aspekcie obsługi urządzeń mobilnych i nowych scenariuszy mobilności. Wzięto pod uwagę zarówno oczekiwania użytkowników, jak i możliwości sprzętowe oraz naturalne ograniczenia stosu protokołów IP. Na podstawie dokonanej oceny przedstawiono rozwiązania protokolarne niezbędne do realizacji usług pożądanych przez użytkowników mobilnych. Wskazano na tendencje w rozwoju protokołów mobilności, zarówno w kontekście współczesnej sieci IR jak też nowych propozycji Internetu przyszłości.
EN
In this paper (a first piece of two-part series devoted to modem network mobility protocols) we present a short analysis of current telecommunication market trends and user expectations concerning availability of new services. Network requirements emerging from introduction of such services are then compared with functionality provided by currently deployed networking technologies, both wired and wireless. Further analysis covers the foundation of global Internet network - the TCP/IP protocol stack architecture - and its current ability to support device mobility. Elements such as user expectations, hardware capabilities and limitations of protocol stack arę taken into account. Based on the this analysis, we then present a chosen set of fundamental mobility protocols necessary to fulfill the abovementioned requirements along with their evolution trends, both in context of current global IP network and new approaches to Future Internet architecture.
4
Content available remote A novel control strategy for the switched reluctance generator
Kosmatin P., Miljavec D., Vončina D.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 7a
49-53
EN
The paper proposes a novel switching strategy that increases the efficiency of the energy conversion and reduces the noise level produced by the generator. The technique redistributes the three switching stages of the converter within one working cycle. Such technique is viable when the generator operates below its base speed. Here, the back electromagnetic force is always lower than the DC-link voltage, hence the phase current is controlled at a desired value. The proposed control method is validated using a commercially available four phase 8/6 switched reluctance generator.
PL
W artykule zaproponowano nową strategię przełączania generator reluktancyjnego. Metoda zwiększa skuteczność konwersji energii I redukuje szumy. W jednym cyklu realizuje się trzy etapy przełączeń. Metoda jest zalecana gdy generator operuje poniżej bazowej szybkości.
5
Content available Zdalne Laboratorium Sieciowe
Skibniewski Ł., Furtak J.
Biuletyn Instytutu Automatyki i Robotyki
|
2012
|
R. 18, nr 32
1-20
PL
W artykule opisany jest projekt i konfiguracja techniczna urządzeń systemu Zdalnego Laboratorium Sieciowego. Przedstawiono koncepcję i implementację systemu umożliwiającego realizowanie zadań dotyczących sieci komputerowych na fizycznych urządzeniach za pośrednictwem sieci Internet.
EN
The paper describes a project of Remote Network Laboratory system along with its technical configuration. The design and implementation of the system is presented. The system enables performing computer network tasks on physical devices via the Internet.
6
Standard IEEE 802.21 - mechanizmy wspierania mobilności
Machań P., Jordan A., Wieczorkowska A.
Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne
|
2007
|
nr 7
211-216
PL
Rosnąca liczba dostępnych technik bezprzewodowych o zróżnicowanych funkcjonalnościach tworzy naturalną potrzebę opracowania metody koegzystencji i współpracy tych rozwiązań. Przedmiotem artykułu są mechanizmy wspierania mobilności w szerokopasmowych sieciach heterogenicznych serii IEEE 8O2.x, w szczególności IEEE 802.11 (Wi-Fi) i IEEE 802.16 (WiMAX), a także UMTS, oferowane przez standard IEEE 802.21. Zawarte w pracy opisy 802.21 zostały zaczerpnięte ze wstępnej wersji 4.00 standardu IEEE 802.21.
EN
The growing number of wireless technologies raises the demand for interoperability mechanisms between networks. The article discuss the mobility support algorithms for IEEE 802.x standard family {mai- nly concentrated on IEEE 802.11 and IEEE 802.16) and UMTS that are offered by IEEE 802.21 standard. The paper is based on IEEE 802.21 draft 4.0 published in February 2007.
7
Content available remote Układ sterowania PWM multirezonansowego przekształtnika ZVS podwyższającego napięcie
Szychta E.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2006
|
R. 82, nr 4
29-32
PL
Artykuł przedstawia układ sterowania PWM multirezonansowego przekształtnika ZVS podwyższającego napięcie do zastosowania w systemach zasilania napięcia DC. Przedstawione są wyniki badań symulacyjnych przekształtnika w oparciu o program Simplorer. Podane są charakterystyki regulacyjne oraz wyznaczona jest sprawność przekształtnika.
EN
The article presents PWM control system of multiresonant voltage-increasing converter to be applied in DC voltage supply systems. Results of simulation tests of the converter, based on Simplorer, are discussed. Regulation characteristics are presented and the converter's efficiency is determined.
8
Content available remote Multiresonant ZVS buck-boost converter
Szychta E.
Archives of Electrical Engineering
|
2006
|
Vol. 55, nr 2
193-205
EN
The paper presents properties of multiresonant DC/DC ZVS buck-boost converter. The control system of the converter is based on PWM technique. The operating range of the converter is defined where ZVS operation is assured. Regulation characteristics are given and the converter's efficiency is defined. The converter's operation is analysed on the basis of results of the converter simulation using Simplorer programme.
PL
Artykuł przedstawia własności multirezonansowego przekształtnika ZVS podwyższająco-obniżającego napięcie DC. Układ sterowania przekształtnika oparty jest na technice PWM. Określony jest obszar pracy tranzystora, zapewniający działanie przekształtnika z przełączaniem ZVS. Podane są charakterystyki regulacyjne oraz wyznaczona jest sprawność przekształtnika. Analiza pracy układu jest wykonana na podstawie wyników badań symulacyjnych przekształtnika z wykorzystaniem programu Simplorer.
9
Content available remote Własności multirezonansowych przekształtników DC
Szychta E.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2005
|
R. 81, nr 9
46-50
PL
W artykule omówiono własności przekształtników multirezonansowych o przełączaniu zero-napięciowym. Przedstawiono podstawowe struktury przekształtników multirezonansowych ZVS oraz struktury przekształtników multirezonansowych ZVS z izolacją galwaniczną. Konfiguracja elementów układów umożliwia zastosowanie techniki przełączania przy zerowym napięciu zarówno tranzystora jak i diody. Przełączanie tranzystora i diody zwrotnej przy zerowym napięciu w przekształtnikach rezonansowych ZVS pozwala na uzyskanie wysokich częstotliwości pracy układu przy zachowaniu wysokiej sprawności energetycznej oraz niezawodności działania, ponieważ pasożytnicze pojemności tranzystora i diody i pasożytnicze indukcyjności połączeń oraz indukcyjność rozproszenia transformatora są pochłonięte przez obwód rezonansowy.
EN
The article discusses properties of zero-voltage switching multiresonant converters. Basic topologies of multiresonant converters ZVS and topologies of isolated multiresonant converters ZVS are discussed. Configuration of system elements enables application of the technique of switching at zero voltage of both the transistor and the diode. Zero-voltage switching of the transistor and the backward diode in resonant converters ZVS allows for high frequencies of the system operation while maintaining a high energy efficiency and operating reliability, since parasitic capacities of the transistor and the diode, parasitic inductances of the circuit and the leakage inductance of transformer are absorbed by the resonant circuit.
10
Radiowy mieszacz próbkujący z konwersją bezpośrednią i dużym tłumieniem w kanale pasożytniczym
Andersson S., Konopacki J., Dąbrowski J., Svensson C.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2005
|
Vol. 46, nr 10
11-13
PL
Przedstawiono mieszacz z konwersją bezpośrednią wykorzystujący technikę próbkowania. W przyjętym rozwiązaniu sygnał radiowy jest próbkowany i poddawany filtracji oraz decymacji. Czynności te zrealizowano w technologii CMOS z przełączanymi kondensatorami. Filtracja zapewnia redukcję szumów i zabezpiecza przed nakładaniem się widma powstającym w wyniku decymacji. Do ilustracji użyto sygnału w paśmie 2,4 GHz i szerokości 20 MHz, zgodnego ze standardem Wi-Fi WLAN.
EN
In this paper we present a zero-IF down-conversation mixer using sampling technique. The sampled RF signal is subjected to filtering and decimation, all performed with SC circuits implemented in CMOS. The filtering is aimed at rejecting noise and interferers (images) arising during decimation. For demonstration purposes an RF signal of 20 MHz bandwidth in the 2.4 GHz band, consistent with Wi-Fi WLAN standard, was chosen.
11
Przełączanie tranzystorów IGBT w podstawowych układach sterowania i obciążenia
Pawelski W.
Elektronika : prace naukowe
|
2002
|
nr 7
95-119
PL
W artykule przedstawiono problematykę przełączania łącznika tranzystorowego IGBT w obwodach obciążenia rezystancyjnych, indukcyjnych (RL) oraz indukcyjnych z diodą rozładowującą (RLD) z uwzględnieniem zróżnicowanych warunków sterowania. Zwrócono szczególną uwagą na oddziaływanie zwrotne obwodu obciążenia na obwód sterowania, które jest szczególnie wyraźne w tego rodzaju łącznikach. Właściwości te zostały zilustrowane symulacjami z zastosowaniem nowego modelu IGBT, opracowanego przez autora. Zamieszczone symulacje potwierdzają przydatność tego modelu, implementowanego w symulatorach środowiska SPICE, do badania i projektowania złożonych układów elektronicznych mocy z tranzystorami IGBT.
EN
The influence of the parameters of direct gate control circuit on the propriety and switching parameters in load circuits of various characters are analysis and described. It is a question of influencing of control on the parameters in steady states and switching waveforms of the IGBT as a switch. They decided about switching times, power losses, overvoltages and result about the maximum loading capacity of that device in evidence condition of the work. The analysis and simulations including in this work can be the base to determine of the designation methods of the IGBT gate circuit. The selection of parameters of that circuit give for designer the valuable chance of the aware and active influence on the switching processes in power electronic circuits. In particular it affect of the switching speed and connected with him the great rate of slope of the currents and voltages in load circuit. New circuit-oriented IGBT transistor model has been used in this work for perform simulation analysis. For its application in this role enable its experimentally verified good accuracy of fit of the real characteristic and waveforms.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.