Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: projektowanie przyrządów półprzewodnikowych

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Fizyka działania i projektowanie nowoczesnych laserów złączowych

Nakwaski W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 12

6-12

Przedstawiono podstawy fizyki działania nowoczesnych laserów złączowych oraz metody symulacji ich przewidywanych charakterystyk eksploatacyjnych metodami analizy komputerowej. Metody symulacyjne umożliwiają stosunkowo szybkie i tanie projektowanie struktur laserów oraz ich optymalizację do różnych zastosowań. Analizie poddano obie podstawowe konfiguracje laserów złączowych, tj. laserów o emisji krawędziowej oraz laserów z poprzecznym rezonatorem o emisji powierzchniowej (typu VCSEL). Rozpatrzono podstawowe procesy fizyczne decydujące o działaniu tych przyrządów, tj. zjawiska optyczne, elektryczne, cieplne, rekombinacyjne i mechaniczne, opisano metody i cele projektowania laserów złączowych oraz wybrane projekty zoptymalizowanych struktur tych przyrządów.

In the paper, principle of an operation of modern diode lasers and methods of a simulation of their anticipated performance characteristics using computer physics approaches are presented. The above simulation methods enable relatively rapid and cheap designing of diode-laser structures and their optimisation for various applications. Two basic diode-laser configurations, i.e. edge-emitting diode lasers and vertical-cavity surface-emitting ones (VCSELs) are analysed. Fundamental physical processes crucial for an operation of diode lasers i. e. optical, electrical, thermal, recombination and mechanical phenomena, are considered and very important interactions between them are thoroughly described. Subsequently, methods of diode-laser designing are presented and chosen designs of optimised structure of these devices are shown.

Działanie i budowa tyrystorów GTO

Lisik Z.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

2000

Vol. 46, nr 1

91-119

Mimo ogromnej ekspansji przyrządów półprzewodnikowych mocy sterowanych polowo, podstawową grupą przyrządów półprzewodnikowych mocy były i jeszcze w dalszym ciągu pozostają przyrządy bipolarne z tyrystorem GTO jako ich głównym przedstawicielem. Na przestrzeni prawie 30 lat, to jest od pojawienia się pierwszego tyrystora GTO, konstrukcja tego przyrządu podlegała szeregu istotnym zmianom mającym na celu polepszenie jego parametrów oraz sprostanie stale rosnącym wymaganiom rynku przyrządów półprzewodnikowych mocy. W pracy omówiono szczegółowo mechanizm działania tyrystorow GTO ze szczególnym uwzględnieniem zjawisk charakterystycznych dla tych przyrządów, przedstawiono drogi rozwoju ich konstrukcji oraz zasady jej optymalizacji. Szczególnie dużo uwagi poświęcono przedstawieniu nowego rozwiązania tyrystora GTO, tak zwanego tyrystora ze zintegrowaną bramką IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor). Jest to najnowsze osiągnięcie konstruktorów i producentów tyrystorów GTO, będące ich odpowiedzią na konkurencję ze strony tranzystorów IGBT.

Inspite of a large expansion of field control power semiconductor devices, the bipolar power semiconductor device with their main representative, GTO thyristor, remain still the basic ones high power applications. Within the compass of almost 30 years, i. e. sine the first GTO thyristor was presented, the construction of GTO thyristors was changed significantly in order to improve their features and to be equal to increasing demands of power semiconductor device mark as well. In the paper the principles of GTO thyristor work and design have been presented in detail with a special emphasis placed on the phenomena which are characteristic for these devices. A special attention has been also devoted the presentation of a new and very promising solution of GTO, called IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor). It is the newest achievement of the GTO producers and desingers, which is their response on the IGBT competition on the power semiconductor market.