W pracy przedstawiono genezę ogłoszenia konkursu na Projekt Badawczy Zamawiany dotyczący węglika krzemu i sformułowanie przez 19 jednostek badawczych całościowej oferty zawierającej 32 projekty cząstkowe. Omówiono założenia i główne cele sformułowane w tej ofercie oraz planowane wyniki, jakie zamierzają osiągnąć jej autorzy. Praca stanowi wstęp do następnych trzech artykułów opisujących proponowane założenia i metody realizacji zadań wymienionych w ogłoszeniu konkursowym Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego.
EN
This paper presents the genesis of announcing the competition for Ordered Research Project concerning silicon carbide and formulation by 19 research units the general offer, comprising of 32 partial projects. The assumptions and main goals of this offer as well as anticipated effects are also discussed here. This paper is the introduction to next three articles describing proposed assumptions and realization methods of the tasks listed in the competition announcement of the Minister of Science and Higher Education.
W odpowiedzi na ogłoszenie Projektu Zamawianego "Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowanie w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur" zgłoszono pakiet projektów badawczych, który składa się z czterech bloków, odpowiadających czterem zadaniom zawartym w ogłoszeniu. Artykuł zawiera przegląd 16 projektów zgłoszonych w zadaniu 2, które dotyczy metod projektowania oraz wytwarzania struktur i przyrządów w podłożu z węglika krzemu. Ujęto je w trzech blokach. Pierwszy z nich (6 projektów) dotyczy metod charakteryzacji niezbędnych dla monitorowania podłoży przed i pomiędzy procesami technologicznymi, drugi (6 projektów) dotyczy metod projektowania oraz procesów technologicznych niezbędnych dla wytwarzania przyrządów z SiC, natomiast trzeci (4 projekty) opracowania technologii realizacji wybranych przyrządów z SiC, takich jak sensory, diody i tranzystory.
EN
The proposal of package with research grants has been prepared as the answer to the call for the Ordered Project "New technologies based on silicon carbide and their application in high frequency electronics, power electronics and high temperature electronics". It consists of four blocks corresponding to four items listed in the call. The paper covers the review of 16 grants proposed for the second items aimed at the methods for design and manufacturing of structures and devices in SiC substrate. They are collected in three blocks, the first one, covering 6 grants, deals with the characterization methods necessary for substrate monitoring before and between technology processes, the second one, covering 6 grants, deals with the design and technology processes necessary for SiC device fabrication, whereas the third one, covering 4 grants, deals with working out the technologies of selected SiC devices like sensors, diodes and transistors.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.