Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2003

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: program SATVAL

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zmiana współczynnika rozpylania tarcz Be i C podczas bombardowania niskoenergetycznymi jonami In⁺

Sielanko J., Filiks J., Hereć J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2003

Vol. 44, nr 11

27-29

Badano parametry implantacji niskoenergetycznych jonów indu do tarcz z lekkich pierwiastków Be i C wykorzystując do pomiarów spektrometr SIMS. Porównano dane eksperymentalne z obliczeniami przy użyciu programu komputerowego SATVAL.

Experimental data of sputtering investigations of the light targets, such as berylium and graphyte, during low energy indium ions bombardment are compared with the computer simulation results. The relative sputtering yield of In atoms - implanted due to irradiation of the target by the In ion primary beam - was measure as a function of irradiation dose. The experiment was performed by the use of the SIMS technique. For the computer simulations purpose we used SATVAL code.