Praca poświęcona jest problematyce modelowania półprzewodnikowych elementów mocy z uwzględnieniem temperatury, w szczególności zaś temperatury wnętrza elementu wynikającej z samonagrzewania i wzajemnych oddziaływań termicznych między elementami, np.: w scalonym układzie mocy. Omówiono wpływ temperatury na podstawowe parametry materiałów półprzewodnikowych. Przedstawiono wady i zalety izotermicznych modeli i makromodeli elementów mocy dostępnych w programie SPICE. Podano zasady formułowania elektrotermicznych makromodeli elementów półprzewodnikowych, a rozważania teoretyczne zilustrowano przykładami nieizotermicznych charakterystyk wybranych elementów mocy.
EN
The paper deals with the problem of the modelling of the semiconductor power devices with the thermal phenomena, such as the selfheating and the mutual thermal interactions, taken into account. It should be underlined that this second phenomenon occurs in the case when a few devices are situated in the same integrated circuit or on the same heatsink. In the paper the temperature influence on the fundamental parameters of semiconductor materials are discussed. The advantages and disadvantages of the isothermal models and macromodels of the power devices available in the SPICE - software are presented. Moreover, some rules of the construction of the so called - electrothermal macromodels of devices are described. The theoretical considerations are illustrated by means of some examples of the nonisothermal characteristics of the selected power devices.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.