Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : prace naukowe

1 2005

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: proces sublimacji

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Procesy wysokotemperaturowe w węgliku krzemu

Kalinowski A., Kubiak A., Kubiak J.

Elektronika : prace naukowe

2005

nr 10

23-34

Artykuł ten porusza problem wykorzystania węglika krzemu w nowoczesnej mikroelektronice. Materiał ten posiada szereg fizycznych parametrów predysponujących go do wytwarzania nowoczesnych przyrządów półprzewodnikowych mocy, mogących ze względu na szeroką przerwę energetyczną SiC pracować w wysokich temperaturach. Duża wartość krytycznego natężenia pola przebicia pozwala na wykonywanie złącz wysokonapięciowych o napięciach przebicia przekraczających 10 kV. Prace prowadzone w Zakładzie Przyrządów Półprzewodnikowych nad węglikiem krzemu mają na celu opracowanie technologii wytwarzania złącz metodą dyfuzji termicznej.

The primary goal of the paper is to present advantages of silicon carbide as a new material in modern microelectronics. Due to its unique physical parameters silicon carbide is suitable to produce semiconductor power devices working in high temperatures because of wide bandgap. The high permissible electrical field allows making high breakdown voltage junctions up to 10kV. The investigations run in Semiconductor Devices Division concern thermal diffusion technology in silicon carbide.