Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Inżynieria Materiałowa

1 1999

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: proces elektroplazmowy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Cienkie powłoki osadzane z teraetoksykrzemu i heksametylodisilazanu w procesie elektroplazmowym pod ciśnieniem atmosferycznym

Schmidt-Szałowski K., Fabianowski W., Rżanek-Boroch Z., Sentek J., Gutkowski M.

Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Inżynieria Materiałowa

1999

z. 10

39-50

Kontynuowano prace nad zastosowaniem niejednorodnego wyładowania elektrycznego, stabilizowanego przegrodą dielektryczną do osadzania cienkich powłok ze związków krzemu pod ciśnieniem atmosferycznym. Przez polikondensację heksametylodisilazanu uzyskano cienkie powłoki złożone z azotowo-tlenowych związków krzemu o zawartości azotu do 8% at. Z mieszaniny gazowej TEOS + 02 + Ar (550 ppm 02) uzyskano powłoki o niewielkiej zawartości węgla (ok. 5% at.), nie zawierające wykrywalnych ilości substancji organicznych. Przedstawiono nowe rozwiązanie reaktora do osadzania cienkich powłok pod ciśnieniem atmosferycznym w warunkach wyładowania stabilizowanego przegrodą dielektryczną.

A study was continued on the application of non-homogeneous discharges, stabilised with a dielectric barrier, for deposition under atmospheric pressure of thin films composed of silicon compounds. Using hexamethyldisilazane, thin coatings were produced composed of nitrogen--oxygen compounds of silicon and containing up to 8% at. of nitrogen. From a mixture of TEOS + 02 + Ar (550 ppm 02) the coatings of Iow arbon content (ca. 5 % at.) were obtained. A new type of reactor was designed for the thin films deposition under atmospheric pressure by the discharges stabilised with a dielectric barrier.