Niniejsza praca omawia możliwości użycia kwasu H3PO4, jako źródła domieszki donorowej do krzemu typu p w kontekście zastosowania otrzymanej struktury w celu wytwarzania krzemowych ogniw słonecznych metodą produkcji ciągłej. Opracowaną metodą uzyskano emiter typu n o żądanych wartościach rezystancji warstwowej w przedziale 10...90 Ω/. Na bazie otrzymanej struktury wytworzono ogniwa słoneczne o sprawności konwersji fotowoltaicznej ponad 15%. W artykule omówiono także technologiczne czynniki wpływające na parametry charakterystyki prądowo-napięciowej i sprawności fotokonwersji wytworzonych ogniw słonecznych.
EN
This paper discusses the possibility of application of H3PO4, acid in a spray source of dopant donor into the p type silicon. The method can be used in production of silicon solar cells in a continuous manufacturing process. The n-type emitter was obtained by this procedurę leading to layer resistance in the range of 10...90 Ω/. The silicon solar cell was produced with the use of spray technology and characterized by conversion efficiency over 15%. The technological factors affecting the current-voltage characteristic and conversion efficiency of the solar cells have been discussed.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.