Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2 2001

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: procedura eksperymentalna

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wzrost epitaksjalny i właściwości warstw poczwórnych na bazie GaSb

Piskorski M., Papis E., Gołaszewska K., Piotrowski T. T., Piotrowska A., Barcz A., Zieliński M., Adamczewska J., Sawicki M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2001

Vol. 42, nr 8-9

29-31

Quaternary compounds grown on GaSb substrates are very attractive materials for IR applications. Ga1-xJnxASySb1-y are used as active layers in emitters and detectors, for mid infrared region, whereas Ga1-xAlxASySb1-y compounds are usefull materials for low refractive index cladding layers in DH lasers and for wide gap window layer in photodetectors operating at wavelengths up to 2,4 um. Among various techniques of growing epitaxial layers of III—V semiconductors, liquid phase epitaxy (LPE) still remains interesting method due to its simplicity and satisfactory results.

Słabe międzywarstwowe sprzężenie wymienne poprzez quasi-amorficzną przekładkę Ti-Co

Smardz L., Smardz K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2001

Vol. 42, nr 3

34-35

Warstwy wielokrotne Co/Ti otrzymano metodą ultra wysoko-próżniowego (5 x 10-10 mbar) rozpylania katodowego DC/RF. Planarny wzrost subwarstw Co i Ti został potwierdzony in-situ metodą rentgenowskiej spektroskopii fotoelektronów. Subwarstwy Co rosły na Ti w miękkiej magnetycznie fazie nanokrystalicznej (średni rozmiar ziarna D << 10 nm) do grubości krytycznej dcrit ~ 3 nm. Dla grubości większych niż dcrit, subwarstwy Co rosły w fazie polikrystalicznej ze średnim rozmiarem ziarna D > 10 nm. Badania pętli histerezy w płaszczyźnie warstw wykazały, że subwarstwy Co są bardzo słabo sprzężone lub rozprzężone dla grubości dTi > 2.7 nm. Szybki zanik sprzężenia wraz ze wzrostem grubości subwarstwy Ti związany jest z silnym jego tłumieniem, wynikającym z quasi-amorficznej struktury przekładki niemagnetycznej Ti-Co, która tworzy się na interfejsach w czasie procesu nanoszenia. Ponadto, nanokrystaliczne subwarstwy Co o grubości 2.2 nm wykazywały słabe 90° sprzężenie wymienne w pobliżu strefy przejściowej od sprzężenia typu ferromagnetycznego do słabego antyferromagnetycznego.

Co/Ti multilayers were prepared using ultra high vacuum (5 x 10 -10 mbar) DC/RF magnetron sputtering. The planar growth of the Co and Ti sublayers was confirmed in-situ by X-ray photoelectron spectroscopy. Cobalt sublayers grow in the soft magnetic nanocrystalline phase (with average grains size D << 10 nm) up to a critical thickness dcrit ~ 3 nm. For a thickness greater than dcrip the Co sublayers undergo a structural transition to the polycrystalline phase with D > 10 nm. In-plane hysteresis loop measurements show that the Co sublayers are very weakly exchange coupled or decoupled for dTi > 2.7 nm. The rapid decrease of the interlayer exchange coupling with increasing of the Ti sublayer thickness could be explained by its strong damping due to formation (during the deposition process) of a nonmagnetic quasi-amorphous Co-Ti alloy layer at the interfaces. The nanocrystalline Co sublayers with dCo = 2.2 nm showed a weak 90° coupling near the transition zone (dTi ~2nm) from ferromagnetic to weak antiferromagnetic coupling.