PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  prąd ciemny
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available A review of dark current nonlinearities in CCD image sensors
Popowicz A.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2014
|
R. 60, nr 6
362--365
EN
Charge coupled devices are the image sensors extensively used in scientific imaging. One of the problems of low light imaging is the collection of additional thermal charge during the exposure. In the paper the results and conclusions of 4-year research on dark current abnormalities are presented. Their sources and possible explanation for the observed phenomena are investigated. The dark current unique behavior should be taken into account especially while imaging in extremely low light level conditions.
PL
Matryce CCD są czujnikami wykorzystywanymi do rejestracji obrazów. Ze względu na pełne wykorzystanie powierzchni światłoczułej są one wykorzystywane, gdy ilość padającego światła jest bardzo niska. Do takich zastosowań należy m.in. obrazowanie w astronomii, gdzie czasy naświetlania pojedynczego zdjęcia sięgają wielu minut. Jednym z problemów przy tego typu zastosowaniach jest obecność prądu ciemnego, który wnosi do obrazu składową addytywną zależną od temperatury czujnika. W celu wyeliminowania tych zjawisk temperaturę matrycy CCD stabilizuje się wykorzystując m.in. ogniwa Peltiera oraz wykonuje się tzw. klatki ciemne (zdjęcia bez dostępu światła), aby następnie odjąć je od otrzymanego obrazu. Taka technika korekcji zakłada, że procesy termiczne przebiegają w sposób stały oraz, że są one niezależne od oświetlania matrycy. W artykule przedstawiono trzy typy nieliniowości prądu ciemnego, dla których powyższe założenia nie są spełnione. Pierwszy typ powiązano ze specyficznym położeniem defektu generującego ładunek termiczny, natomiast drugi typ skojarzono z obecnością defektów strukturalnych - dyslokacji. Trzecim rodzajem opisywanych zjawisk są losowe skoki tempa generacji termicznej. Wiedza o problemach prądu ciemnego jest kluczowa w przypadku dokonywania korekcji naukowych zdjęć źródeł emitujących niewielką ilość światła. Uwzględnienie odmiennych zachowań generacji termicznej pozwala na poprawę jakości skorygowanych obrazów.
2
Content available remote Optical identification of crystal defects in CCD matrix
Popowicz A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 3a
79--82
PL
Celem artykułu jest zaprezentowanie oryginalnego pomysłu identyfikacji typów defektów struktury krystalicznej czujników światła jakimi są matryce CCD. Procedura jest nieskomplikowana i możliwa do przeprowadzenia bez specjalistycznej i drogiej aparatury. Metoda ta umożliwia rozróżnienie defektów na: punktowe oraz defekty przestrzenne – dyslokacje. Podczas badań wykazano również, iż typ defektu wpływa na zachowanie generacji prądu ciemnego podczas rejestracji światła.
EN
An original idea of semiconductor defects identification in CCD matrix was presented in the article. The procedure is simple and easy to execute because of no need for special and expensive equipment. The method classifies defects into two groups: the point defects and the spatial defects (dislocations). During the experiments it was proven that the type of defect affects the behavior of the dark current generation during the light gathering .
3
Content available remote Aproksymacja czasowych zależności ładunku ciemnego w matrycy CCD
Popowicz A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 1a
126--128
PL
Celem artykułu jest przedstawienie propozycji aproksymacji zależności prądu ciemnego w matrycach CCD. Jak wcześniej zauważono, gromadzenie ładunku termicznego w pikselu może następować w sposób nieliniowy, wykazując z czasem znaczący spadek tempa generacji. Prezentowana aproksymacja bazuje na fakcie, iż prędkość generacji związana jest z ilością już zgromadzonego ładunku. Metoda została sprawdzona na charakterystykach czasowych prądu ciemnego dla matrycy KAI-11000M firmy Kodak.
EN
In the article a new approximation method for exposure time dependencies of dark current in CCD was presented. As it was reported before, some pixels had nonlinear dark current characteristics with a significant drop of dark charge generation. The novel approximation is based on the fact that the dark current generation ratio depends on the amount of already collected charge. The method was examined on dark current dependencies of Kodak KAI-11000M CCD sensor.
4
Analysis of temperature dependence of dark current mechanisms in MWIR type-II superlattice photodiodes
Wróbel J., Madejczyk P., Gawron W., Rogalski A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 9
113-116
EN
We report on temperature dependence characteristics of mid wavelength InAs/GaSb type-II superlattice photodiodes in a temperature range from 120 K to 240 K. A bulk based model with an effective bandgap of superlattice material has been used in modelling of the experimental data. Temperature and bias dependent differential resistances have been analyzed in detail due to contributing mechanisms that limit the electrical performance of the diodes. C1-HH1 reduced mass was estimated from the fitting to the high reverse bias (< - 1.0 V) voltage, and given about 0.015 m0 in the whole considered temperature range. This value agree well with much more complex simulations and cyclotron resonance measurements. Obtaining so good results was possible thanks to including series resistance into calculations.
PL
W pracy przedstawiono analizę charakterystyk prądowo-napięciowych oraz rezystancji dynamicznych fotodiod PIN z supersieci II typu InAs10ML/ GaSb10ML zakresu średniej podczerwieni. Rozważania teoretyczne transportu nośników przeprowadzono stosując teorię Shockley’a złącza wykonanego w materiale objętościowym. W zakresie temperatur 120 - 240 K zaobserwowano kilka mechanizmów składowych prądu ciemnego, w tym: mechanizm dyfuzyjny i generacyjno-rekombinacyjny, dwa mechanizmy tunelowania, oraz upływność powierzchniową. W obliczeniach uwzględniono również wpływ rezystancji szeregowej, który szczególnie w zakresie temperatur osiąganych przez chłodziarki termoelektryczne (T > 180 K), okazał się znaczący. Wybrane parametry dopasowujące uzyskane z analitycznych zależności na składowe prądu ciemnego (w tym masę zredukowaną przejścia C1-HH1) zostały porównane z dostępnymi literaturowymi danymi eksperymentalnymi.
5
Content available remote Metoda korekcji prądu ciemnego w matrycach CCD
Popowicz A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2011
|
R. 87, nr 11
318-320
PL
Celem artykułu jest zaprezentowanie nowego podejścia do korekcji prądu ciemnego w matrycach CCD. Szczególne zastosowanie tej metody dotyczy zdjęć o bardzo długich czasach naświetlania, gdzie ładunek generowany termicznie wpływa wyraźnie na jakość otrzymywanych obrazów. W odróżnieniu od dotychczas stosowanej metody odejmowania klatki ciemnej, nowy pomysł opiera się na zależnościach czasowych generacji prądu ciemnego, uwzględnia budowę piksela i procesy zachodzące podczas długotrwałej rejestracji materiału. Nowa idea została porównana z klasycznym podejściem korekcyjnym na rzeczywistych zdjęciach astronomicznych.
EN
A new correction algorithm for dark current generation in CCDs was presented in the article. The suggested application includes long exposure images correction when the thermally generated charge significantly degrades image quality. Unlike the nowadays widely used dark frame subtraction method, the new concept is based on time dependencies of dark current in CCDs, provides for pixel structure and processes during long term image acquisition. Both – the present and the new method – were compared on sample real astronomical images.
6
Content available remote Analiza prądu ciemnego w matrycach CCD
Popowicz A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2011
|
R. 87, nr 4
260-263
PL
Celem artykułu jest zaprezentowanie analizy czasowych zależności prądu ciemnego w matrycach CCD. Prezentowane wyniki zostały uzyskane na współczesnej profesjonalnej kamerze CCD SBIG STL 11000M. Udowadniają one, iż stosowana dotychczas korekcja zdjęć o wysokich czasach ekspozycji (np. zdjęcia astronomiczne) jest zbyt uproszczona, gdyż nie uwzględnia procesów zachodzących w obrębie piksela, które to mają wpływ na wielkość wygenerowanego ładunku termicznego. W artykule została również przedstawiona teoria generacji prądu ciemnego dla struktury piksela.
EN
Exposure time dependencies of dark current in CCD were presented in the article. The professional modern CCD camera SBIG STL 11000M was examined. Results proved inefficiently of widely used dark frame subtraction method which doesn't provide for processes of dark current generation in pixel cell. Dark current generation theory for single pixel was also presented.
7
Badanie wpływu technologii na parametry wybranych elementów optoelektronicznych
Zborowska-Lindert I., Boratyński B., Paszkiewicz B., Ohly T.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2004
|
Vol. 45, nr 10
41-43
PL
Przedstawiono wyniki badań związanych z konstrukcją i wytwarzaniem fotodetektorów MSM oraz mikrobaterii fotowoltaicznych ze związków Ga(Al,In)As. W prawidłowej konstrukcji obydwu grup przyrządów, niezwykle istotna jest minimalizacja prądu ciemnego i upływności elementów. Opisano efekty pasywacji powierzchni fotodetektorów poprzez zastosowanie warstw dielektrycznych Si3NOx i AIN. Badano także wpływ konpozycji materiału warstwy aktywnej mikrobaterii fotowoltaicznej na jej prąd zwarciowy i napięcie rozwarcia.
EN
Influence of process technology on electrical parameters of Ga(Al,In)As MSM photodetectors and photovoltaic micro-arrays was envestigated. The effects of the dark current suppression due to surface passivation in MSM photodetectors with AIN and Si3NOx layers are presented. The photovoltaic arrays were fabricated as a series connection of seven Ga((Al,In)As PIN diodes. The influence of device active layer composition on the open circuit voltage and the short circuit current values was investigated.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.