Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 2010

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: powinowactwo elektronowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Potencjały jonizacji oraz powinowactwo elektronowe [Beta]-podstawionych nitroetenów w świetle obliczeń DFT

Mikulska M., Barański A.

Czasopismo Techniczne. Chemia

2010

R. 107, z. 1-Ch

205-213

Wytypowano metodę DFT pozwalającą na uzyskanie zadawalającego przybliżenia parametrów geometrycznych oraz potencjałów jonizacji i powinowactwa elektronowego nitroetenu. Wyprowadzono równania korelacyjne umożliwiające oszacowanie wartości IP i EA [Beta]-podstawionych nitroetenów w oparciu o obliczone za pomocą algorytmów B3LYP/6-31G(d) i OVGF/6-31G(d) wartości energii FMO.

The DFT method was found to be the best for satisfactory approximation of geometrical parameters and the ionization potentials and electron affinity of nitroethene. A correlation equations were derived for estimation of the IP and EA values of [Beta]-substituted nitroethenes on the basis of FMO energy values obtained from B3LYP/6-31G (d) and OVGF/6-31G (d) algorithms.

Detektory fotoemisyjne na bazie związków AIII BV

Wojas W., Wojas J.

Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej

2010

Vol. 59, nr 4

239-260

Autorzy szczegółowo omówili zjawisko ujemnego powinowactwa elektronowego w półprzewodnikach grupy AIII BV w aspekcie jego wykorzystania do konstrukcji czułych detektorów podczerwieni. Pokazano, dlaczego arsenek galu jest najbardziej odpowiednim materiałem z tej grupy związków półprzewodnikowych do wykorzystania zjawiska ujemnego powinowactwa do budowy czułych fotoemiterów. Opisano procesy technologiczne otrzymywania takich emiterów przez nakładanie (napylanie) warstw tlenku cezu na arsenek galu. Wymieniono warunki, jakie powinien spełnić fotoemiter. Podano przykłady budowy i zastosowania detektorów do wykrywania padającego promieniowania bliskiej i średniej podczerwieni.

The authors discuss in detail the phenomena of negative electron affinity for semiconductors AIII BV in aspect of construction of sensitive detectors for infrared radiation. We show that GaAs is the most suitable material of this group of semiconductors for application of negative electron affinity to construct sensitive photoemitters. The technological process of fabrication of these emitters with Cs2O layer on GaAs is described. We present the conditions for the photoemitter. We show the examples of detectors for detecting near infrared and middle infrared radiation.