PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  power transistors
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Współczesne tranzystory mocy w impulsowych przekształtnikach napięcia Flyback
Janke W., Bączek M., Kraśniewski J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 9
10--13
PL
W pracy omówiono współczesne tranzystory mocy używane najczęściej w impulsowych przekształtnikach mocy i porównano ich przydatność. Najwięcej uwagi poświęcono tranzystorom HEMT z azotku galu. Zaprezentowano i porównano parametry techniczne różnych odmian tranzystorów dostępnych komercyjnie. Jako przykład zastosowań omawianych tranzystorów pokazano impulsowe przekształtniki Flyback i przedstawiono wybrane charakterystyki tych przekształtników.
EN
Modern power transistors used currently in switch mode power converters are described and compared. The special attention is devoted to HEMT transistors made of gallium nitride (GaN). The representative parameters of commercially available transistors are presented and discussed. The exemplary application of the discussed transistors in switch-mode Flyback converters is presented.
2
Content available remote Przegląd metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy
Śleszyński W.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 6
143--148
PL
W artykule przedstawiono kilka metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy, które są lub mogą być wbudowane w układy przekształtnikowe. Celem artykułu jest określenie aktualnego stanu badań na ten temat. Prezentowane metody przeznaczone są do monitorowania istotnych objawów starzenia modułów mocy: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego, uszkodzeń połączeń drutowych wewnątrz modułu oraz degradacji izolacji bramkowej.
EN
This paper presents several methods for condition monitoring of power transistors that are or can be embedded in power converters. The aim of this article is to determine the current state of research on that subject. The presented methods are designed to monitor important ageing effects encountered in power modules: structure delamination as a result of thermomechanical solder fatigue, wire-bond lift-off and gate insulation degradation.
3
Charakteryzacja elektryczna ceramicznej oprawki tranzystora RF
Kopyt P., Gryglewski D., Korpas P., Wojtasiak W., Gwarek W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 9
82-85
PL
W artykule opisano sposób modelowania ceramicznej oprawki mikrofalowego tranzystora mocy. W celu przeprowadzenia pomiaru chip tranzystora został zastąpiony niesymetryczną linią, paskową o wymiarach zbliżonych do chipu i połączonych z wyprowadzeniami obudowy wieloma równoległymi połączeniami drutowymi. Na podstawie pomiarów przygotowano pełnofalowy model oprawki i wykorzystano go do znalezienia parametrów jej obwodu zastępczego.
EN
In this paper an approach to modeling of RF power transistor packages is discussed. The presented approach is based on measurements of a real package in which the transistor chip was replaced with a 2-port of known parameters and connected to the package leads with multiple parallel wirebonds. Based on measurements a full-wave model of the structure is prepared and used as an intermediary step to extract parameters of the equivalent circuit of the transistor package.
4
Content available remote Udoskonalony układ RLC do magnesowania magnesów trwałych
Życki Z.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2007
|
R. 83, nr 1
97-103
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań eksperymentalnego układu magnesującego RLC, przeznaczonego do magnesowania magnesów trwałych. W omawianym układzie zastosowano kondensatory elektrochemiczne - dwuwarstwowe, zamiast kondensatorów elektrolitycznych lub z izolacją papierową nasycaną olejem. Zastosowano również tranzystory mocy zamiast tyrystorów.
EN
The paper presents results of investigation into an experimental RLC system intended for magnetizing permanent magnets. Double - layered electrochemical capacitors were used in the presented system instead of electrolytical capacitors or those with oil - impregnated paper insulation. Power transistor were also used instead of thyristors.
5
Tranzystory mocy typu MOS z węglika krzemu
Zarębski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2004
|
Vol. 45, nr 7
11-17
PL
W pracy dokonano przeglądu literatury dotyczącej opracowanych laboratoryjnych struktur tranzystarów MOS mocy z węglika krzemu. Przedstawiono charakterystyki i podstawowe parametry tych elementów. Omawiane tranzystory, ze względu na rodzaj kanału, podzielono na dwie zasadnicze grupy - tranzystory z kanałem inwersyjnym (indukowanym) oraz z kanałem akumulacyjnym (wbudowanym).
EN
This paper deals with the literature review of the SiC power MOS transistors elaborated, fabricated and investigated in the laboratories of the known electronic concerns and some universities. The parameter values and characteristics are also presented. Depending on the kind of the channel, the SIC MOSFETs with the inversion and accummulation channel respectively, have been distinguished and discussed.
6
Content available The 100 W class A power amplifier for L-band T/R module
Wojtasiak W., Gryglewski D., Sędek E.
Journal of Telecommunications and Information Technology
|
2002
|
nr 1
11-13
EN
In the paper a balanced high power amplifier with class A silicon bipolar transistors for L-band T/R module is described. The amplifier was designed for maximum power and minimum transmitance distortions. The obtained parameters of the amplifier are as follow: output power at 1 dB compression P(1dB)>49 dBm, linear gain IS21I>10 dB, and transmitance deviations during the RF pulse: phase delta arg(S2)<0.9° and deltaP(out)<0.2 dB.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.