Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2010

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: power swmiconductor devices

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Nonlinear compact thermal model of SiC power semiconductor devices

Górecki K., Zarębski J., Bisewski D., Dąbrowski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 11

9-12

The paper deals with the nonlinear compact thermal model of Sil semiconductor devices, based on the Cauer network. The analylitical description of the model and the method of the model parameter estimation are presented. The accuracy and usefulness of the model is verified experimentally for the Schottky diode and MESFET transistor at their various cooling conditions.

W pracy przedstawiono nieliniowy skupiony model termiczny półprzewodnikowych elementów mocy wykonanych z węglika krzemu, sformułowany na bazie sieci Cauera. Zaprezentowano opis analityczny modelu oraz metodę wyznaczania wartości parametrów tego modelu. Dokładność i przydatność zaproponowanego modelu zweryfikowano doświadczalnie dla diody Schottky'ego i tranzystora MESFET przy różnych warunkach chłodzenia tych elementów.