Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Wybrane problemy konstrukcji i montażu układów RF

Kowalke Wojciech, Górecki Krzysztof, Ptak Przemysław

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2021

|

Vol. 62, nr 11

16--22

PL

W pracy przedstawiono wybrane problemy konstrukcji i montażu układów elektronicznych dedykowanych do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Opisano problem powiązania procesu projektowania układów elektronicznych w odniesieniu do wymogów jakościowych. Rozważono wpływ wybranych parametrów elektrycznych na konstrukcje wybranych elementów mocy. Na przykładzie wzmacniacza Doherty’ego opisano właściwości układu wzmacniającego RF i jego konstrukcję ze szczególnym uwzględnieniem procesu jego montażu na płytce drukowanej. Omówiono problemy związane z różnymi ograniczeniami takich układów, w tym konstrukcyjne. Na przykładzie wzmacniacza Doherty’ego, przedstawiono sposób wzmocnienia sygnałów RF, który pozwala zredukować koszt drogich elementów elektronicznych mocy stosowanych w układach wzmacniaczy mocy.

EN

The paper presents selected problems of the construction and assembly of electronic systems dedicated to operate in the high frequency range. The problem of linking the process of designing electronic circuits with regard to quality requirements are described. The influence of selected electrical parameters on the structures of selected power devices is considered. Using the example of the Doherty amplifier, the properties of the RF amplifying circuit and its construction are described, with particular emphasis on the process of its assembly on a printed circuit board. Problems related to various limitations of such systems, including design, are discussed. On the example of the Doherty amplifier, a method of amplifying RF signals is presented, which allows to reduce the cost of expensive power electronic components used in power amplifiers.

2

Badanie właściwości wybranych modeli tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką

Górecki P., Górecki K., Zarębski J.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2017

|

R. 93, nr 7

81--85

PL

W pracy przeanalizowano właściwości wybranych literaturowych modeli tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką. Przedstawiono postać modelu tego elementu wbudowanego w programie SPICE oraz modelu zaproponowanego na stronie internetowej firmy International Rectifier. Za pomocą rozważanych modeli wyznaczono charakterystyki wybranego typu tranzystora IGBT pracującego przy różnych wartościach temperatury, a uzyskane wyniki obliczeń porównano z wynikami pomiarów badanych tranzystorów wykonanymi przez Autorów. W oparciu o uzyskane wyniki badań, przedyskutowano zakres przydatności obu rozważanych modeli.

EN

On the paper proprieties of selected literature models of the insulated gate bipolar transistor (IGBT) are analysed. The forms of the model of this element built-in in the SPICE software and the model proposed on web-side of International Rectifier are presented. By means of the considered models some characteristics of the selected type of the IGBT operating at different values of the temperature are calculated. Obtained results of calculations are compared with results of measurements of the investigated devices performed by the Authors. Basing on obtained results of investigations, the range of the usefulness of both the considered models are discussed.

3

Obrazowanie termiczne stanów przejściowych przy załączaniu tyrystora

Kałuża M., Napiórkowski K.

Pomiary Automatyka Kontrola

|

2011

|

R. 57, nr 10

1199-1201

PL

W artykule przedstawiono wyniki badań dotyczące możliwości zastosowania kamery termowizyjnej do rejestracji termogramów szybkich procesów przejściowych generacji ciepła w czasie załączania otwartej struktury półprzewodnikowej tyrystora. Badania wykazały możliwość rejestracji termogramów w czasie załączania przyrządu półprzewodnikowego mocy przy odpowiednim doborze niestandardowych ustawień pracy kamery termowizyjnej.

EN

The paper presents the results of investigations on possible use of a thermal imaging camera for the recording of fast transient processes of heat generation during the switching of semiconductor structures in semiconductor power devices, based on measurements of a thyristor semiconductor structure. Using a measurement setup consisting of an IR camera and of a purpose build current pulse generator, the thermal behaviour of the T00-80 thyristor semiconductor structure during turn on was investigated. The thermograms were recorded at speeds reaching 1400 frames per second. Studies of the semiconductor structure of the thyristor mounted in a special holder showed the possibility of using a thermal camera for analyzing the behaviour of power semiconductor devices, however further increase in the temporal resolution of the recording process will be needed. One of the solutions will be to synchronize operation of a pulse generator and a thermal camera, including a controlled, variable time delay between current pulse generation and image acquisition.

4

IGBT static model based on diffusion equation implemented in SPICE source code

Starzak Ł., Napieralski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 3

41-43

EN

A compact physical model of the Insulated Gate Bipolar Transistor has been presented. It has been based on the modular approach where the semiconductor structure is represented with several modules. The most important is the charge storage region where excess carriers are described with the ambipolar diffusion equation which enables obtaining carrier concentralion distribution along the wide, lightly doped base. In the future, it will enable implementing a dynamic device model. The model has been implemented in SPICE source code, which makes it accessible for the average electronic engineer.

PL

Przedstawiony został kompaktowy model fizyczny tranzystora IGBT. Jest on oparty na podejściu modułowym, w którym struktura półprzewodnikowa odzwierciedlona jest za pomocą szeregu modułów. Najistotniejszym z nich jest obszar składowania ładunku, w którym nośniki nadmiarowe opisane są równaniem dyfuzji ambipolarnej, które umożliwia otrzymanie rozkładu koncentracji nośników wzdłuż szerokiej, słabo domieszkowanej bazy. W przyszłości możliwa będzie implementacja dynamicznego modelu przyrządu. Model został zaimplementowany w kodzie źródłowym symulatora SPICE, co czyni go dostępnym dla przeciętnego inżyniera elektronika.

5

SVMOS : nowy unipolarny przyrząd mocy

Podgórski J., Lisik Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 11

53-55

PL

Przedstawiono koncepcję nowego przyrządu półprzewodnikowego mocy. Wprowadzono zmiany konstrukcyjne do typowego unipolarnego tranzystora mocy VDMOS, polegające na zastąpieniu wyspy źródła złączem Schottky'ego. Wyniki symulacji numerycznych dla zmodyfikowanej struktury w pełni potwierdziły tę nową koncepcję.

EN

The concept of the new semiconductor power device was presented. This solution bases on the conventional VDMOS transistor. In this device was changed the source island on the Schottky contact. Such a numerical investigation performed for a VSMOS structure has been made and its results are presented.

6

Modern active filters and traditional passive filters

Akagi H.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

|

2006

|

Vol. 54, nr 3

255-269

EN

Unlike traditional passive filters, modem active filters have the following multiple func-tions; harmonic filtering, damping, isolation and termination, reactive-power control for power factor correction and voltage regulation, load balancing, voltage-flicker reduction, and/or their combinations. Significant cost reductions in both power semiconductor devi-ces and signal-processing devices have inspired manufactures to put active filters on the market. This paper deals with general pure active filters for power conditioning, and spe-cific hybrid active filters for harmonic filtering of three-phase diode rectifiers, as well as traditional passive filters.

7

Działanie i budowa tyrystorów GTO

Lisik Z.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

|

2000

|

Vol. 46, nr 1

91-119

PL

Mimo ogromnej ekspansji przyrządów półprzewodnikowych mocy sterowanych polowo, podstawową grupą przyrządów półprzewodnikowych mocy były i jeszcze w dalszym ciągu pozostają przyrządy bipolarne z tyrystorem GTO jako ich głównym przedstawicielem. Na przestrzeni prawie 30 lat, to jest od pojawienia się pierwszego tyrystora GTO, konstrukcja tego przyrządu podlegała szeregu istotnym zmianom mającym na celu polepszenie jego parametrów oraz sprostanie stale rosnącym wymaganiom rynku przyrządów półprzewodnikowych mocy. W pracy omówiono szczegółowo mechanizm działania tyrystorow GTO ze szczególnym uwzględnieniem zjawisk charakterystycznych dla tych przyrządów, przedstawiono drogi rozwoju ich konstrukcji oraz zasady jej optymalizacji. Szczególnie dużo uwagi poświęcono przedstawieniu nowego rozwiązania tyrystora GTO, tak zwanego tyrystora ze zintegrowaną bramką IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor). Jest to najnowsze osiągnięcie konstruktorów i producentów tyrystorów GTO, będące ich odpowiedzią na konkurencję ze strony tranzystorów IGBT.

EN

Inspite of a large expansion of field control power semiconductor devices, the bipolar power semiconductor device with their main representative, GTO thyristor, remain still the basic ones high power applications. Within the compass of almost 30 years, i. e. sine the first GTO thyristor was presented, the construction of GTO thyristors was changed significantly in order to improve their features and to be equal to increasing demands of power semiconductor device mark as well. In the paper the principles of GTO thyristor work and design have been presented in detail with a special emphasis placed on the phenomena which are characteristic for these devices. A special attention has been also devoted the presentation of a new and very promising solution of GTO, called IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor). It is the newest achievement of the GTO producers and desingers, which is their response on the IGBT competition on the power semiconductor market.