Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC

Przybyła K.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2018

|

R. 94, nr 1

129--132

PL

W artykule przedstawiono wyniki pomiarów mocy strat w obwodzie bramkowym dla tranzystorów MOSFET na bazie Si: APT5010JFLL, IXFN44N80P oraz APT40SM120J na bazie SiC. Pomiary były wykonywane w układzie falownika klasy DE w przedziale częstotliwości od 275 kHz do 525 kHz i przy napięciu zasilania falownika E=0 V i E=300 V. Wyniki pomiarów porównano z wynikami obliczeń mocy strat na podstawie danych katalogowych. Wykazano rozbieżności wyników i podano możliwe przyczyny.

EN

Measurement results of power losses in the gate circuit in Si: APT5010JFLL, IXFN44N80P and SiC: APT40SM120J MOSFET transistors are presented in the paper. Measurements were taken in class DE inverter configuration in frequency range from 275 kHz to 525 kHz and with inverter supply voltage E=0 V and E=300 V. The article contains also the comparison of evaluated power loss values, based on datasheets, with laboratory results.

2

Straty mocy i rezystancja zastępcza związane z przeładowywaniem nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET

Kaczmarczyk Z., Zellner M., Frania K.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2018

|

R. 94, nr 3

55--59

PL

Projektowanie przekształtników energoelektronicznych wymaga odpowiedniego doboru ich podzespołów aktywnych – tranzystorów. W przypadku zastosowań wysokoczęstotliwościowych falowników rezonansowych istotną grupę parametrów stanowią parametry pasożytnicze tranzystora MOSFET w stanie wyłączenia – nieliniowa pojemność wyjściowa oraz straty mocy i rezystancja zastępcza związane z jej cyklicznym przeładowywaniem. W ramach pracy przedstawiono nową metodę wyznaczania strat mocy i rezystancji zastępczej tranzystora MOSFET w stanie wyłączenia.

EN

The design of power electronic converters requires the proper selection of their active components – transistors. In the case of highfrequency resonant inverter applications, a significant group of parameters to be considered are MOSFET transistor parasitic parameters in the offstate – nonlinear output capacitance, power losses and equivalent resistance associated with its cyclic charging and discharging. The paper presents a new method of determining these power losses and equivalent resistance of MOSFET transistor in the off-state.

3

Falownik klasy E (30 MHz, 300 W) z niskostratnym drajwerem hybrydowym

Legutko P.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2018

|

R. 94, nr 3

69--74

PL

W artykule przedstawiono realizację, analizę właściwości i badania eksperymentalne nowego typu niskostratnego drajwera hybrydowego dedykowanego dla tranzystorów MOSFET mocy serii DE pracujących w falowniku klasy E (30 MHz, 300 W). Nowa konstrukcja drajwera została wykonana w postaci obwodu drukowanego na płytce PCB o podłożu aluminiowym (ang. thermal clad) z wykorzystaniem dostępnych dyskretnych elementów małej mocy. Część połączeń została wykonana za pomocą tzw. bondingu kulkowego, drutem miedzianym o średnicy 75 μm, co znacząco wpłynęło na zmniejszenie gabarytów obwodu PCB. W ramach pracy drajwer hybrydowy został przebadany pod kątem strat mocy, czasów przełączeń i propagacji, a otrzymane wyniki badań zestawiono z badaniami przeprowadzonymi dla drajwerów scalonych dostępnych w sprzedaży. Nowoopracowana konstrukcja drajwera charakteryzuje się stratami mocy wynoszącymi 18 W, maksymalną częstotliwością pracy 30 MHz, czasami przełaczeń ok. 1 ns oraz niskim kosztem wykonania.

EN

This paper presents performance, property analysis, and experimental research of a new low-losses Hybrid Driver for DE-Series MOSFET power transistors. The new driver can operating in (30MHz, 300W) high-frequency class E inverter. The new hybrid driver design has been developed as a PCB circuit on a thermal clad technology with the use of discrete low power components. In the project tested three integrated drivers IXYS Corporation and additionally two discrete drivers and one hybrid driver have been designed. Additionally, in this paper presents characteristic power input by the drivers (fig.5) for three operating states: at idle, at capacitance load 3 nF and at gate MOSFET 501N16A load. Also in this paper presents voltage waveforms (fig.6) and pictures of the thermal camera. At the end presents the measurements of parasitic parameters (inductances LDR, capacities COUT and resistances RDR), switching and propagation times for all drivers.

4

Analityczne wyznaczanie temperatury w jednobiegunowym torze wielkoprądowym

Szczegielniak T.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2018

|

R. 94, nr 8

124--127

PL

W pracy przedstawiono matematyczny aparat analitycznego wyznaczania temperatury w jednobiegunowym torze wielkoprądowym. W obliczeniach uwzględniono zjawisko naskórkowości oraz zbliżenia. Parametry elektrodynamiczne i termiczne torów wielkoprądowych wyznaczane są zazwyczaj metodami numerycznymi jednakże to metody analityczne pozwalają wyprowadzić proste zależności wspomagające projektowanie tego typu urządzeń.

EN

This paper presents an analytical method for determining the temperature in the single-pole high-current busduct. The mathematical model takes into account the skin and the proximity effects. The temperature of the high-current busducts are usually calculated numerically with the use of a computer. However, the analytical calculation of the temperature is preferable, because it results in a mathematical expression for showing its dependences on various parameters of the busduct.

5

The new concept of the 2G HTS superconducting transformer

Wojtasiewicz G.

Prace Instytutu Elektrotechniki

|

2017

|

Z. 277

43--54

EN

The new 2G HTS tapes with high critical current and high resistivity in the normal state allow to build low-cost transformers with high short-circuit strength for the low and medium power distribution substations. The authors consider that currently the best chance of building have transformers, which rated currents of their windings do not exceed or slightly exceed the critical current of used superconducting tapes. Such units could be the low or medium voltage transformers with power less than 10 MVA, where the high voltage winding can be made with single HTS tape while the low voltage winding can also be made of single HTS tape or two – three tapes connected in parallel. This eliminates the need of tape transposition or application of the Roebel’s cable. Superconducting transformers could stabilize the low or medium power network and increase the connectivity of renewable and dispersed energy sources. The article presents an analysis of the possibility of using the low and medium voltage superconducting transformers. Such units could be e.g transformers working with renewable energy sources.

PL

Nowe taśmy nadprzewodnikowe 2G HTS o wysokim prądzie krytycznym i wysokiej rezystywności w stanie rezystywnym pozwalają na budowę transformatorów o wysokiej odporności na zwarcia dla sieci dystrybucyjnych niskich i średnich energii. Obecnie największe szanse na budowę mają transformatory, których znamionowe prądy uzwojeń nie przekraczają lub nieco przekraczają wartości prądu krytycznego zastosowanych taśm nadprzewodnikowych. Takimi jednostkami mogą być transformatory niskiego lub średniego napięcia o mocy poniżej 10 MVA, gdzie uzwojenie wysokonapięciowe może być wykonane pojedynczą taśmą HTS, a uzwojenie niskonapięciowe może być również wykonane z pojedynczej taśmy HTS lub dwóch - trzech taśm połączonych równolegle. Eliminuje to konieczność transpozycji taśm a tym samym zastosowania kabla Roebel. Zastosowanie transformatorów nadprzewodnikowych mogłoby ustabilizować sieć energetyczną niskiego i średniego napięcia i zwiększyć zdolność łączeniową odnawialnych i rozproszonych źródeł energii.