Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Faults Classification Of Power Electronic Circuits Based On A Support Vector Data Description Method

Cui J.

Metrology and Measurement Systems

|

2015

|

Vol. 22, nr 2

205--220

EN

Power electronic circuits (PECs) are prone to various failures, whose classification is of paramount importance. This paper presents a data-driven based fault diagnosis technique, which employs a support vector data description (SVDD) method to perform fault classification of PECs. In the presented method, fault signals (e.g. currents, voltages, etc.) are collected from accessible nodes of circuits, and then signal processing techniques (e.g. Fourier analysis, wavelet transform, etc.) are adopted to extract feature samples, which are subsequently used to perform offline machine learning. Finally, the SVDD classifier is used to implement fault classification task. However, in some cases, the conventional SVDD cannot achieve good classification performance, because this classifier may generate some so-called refusal areas (RAs), and in our design these RAs are resolved with the one-against-one support vector machine (SVM) classifier. The obtained experiment results from simulated and actual circuits demonstrate that the improved SVDD has a classification performance close to the conventional one-against-one SVM, and can be applied to fault classification of PECs in practice.

2

Problem pomiaru sprawności energetycznej układów energoelektronicznych

Posobkiewicz K., Górecki K.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2012

|

R. 88, nr 1b

189-192

PL

Praca dotyczy pomiaru sprawności energetycznej układów impulsowego przetwarzania energii. Omówiono klasyczny sposób pośredniego pomiaru sprawności w oparciu o zmierzone wartości zaciskowych napięć i prądów rozważanej klasy układów. Przeanalizowano specyfikacje techniczne wybranych multimetrów, zaprezentowano wyniki pomiarów ich charakterystyk częstotliwościowych oraz zależności błędów pomiaru od kształtu mierzonego sygnału. Przedyskutowano wpływ dokładności pomiaru napięć zmiennych na błąd wyznaczenia sprawności energetycznej układów impulsowego przetwarzania energii.

EN

The paper refers measurements of watt-hour efficiency of power electronic circuits. The classical manner of the indirect measurement of the efficiency basing on measured values of terminal voltages and currents of considered class of circuits was described. Technical data of chosen multimeters are analysed and results of measurement of their frequency characteristics and dependences of errors of the measurement on the shape of measured signal are shown. Influence of the correctness of the measurement of ac voltages on the error of the watt-hour efficiency of power electronic circuits was discussed.

3

Wpływ wyższych harmonicznych w napięciu zasilającym zakłady przemysłowe na jakość pracy odbiorników elektrycznych

Szulc Z.

Elektro Info

|

2003

|

nr 6

14--21

PL

Wyższe harmoniczne w napięciu zasilającym zakłady przemysłowe istniały zawsze. Przyczyną ich istnienia są zjawiska nieliniowe w urządzeniach wytwarzających energię elektryczną oraz odkształcony prąd pobierany przez odbiorniki o nieliniowych charakterystykach wejściowych typu U = f (I). Jednak dopiero w ostatnich dziesięcioleciach ubiegłego wieko, kiedy gwałtownie wzrosła liczba odbiorników elektrycznych z energoelektronicznymi obwodami wejściowymi, pobierającymi odkształcony prąd z sieci zasilającej, problem ten stał się wyraźnie odczuwalny w zakładach przemysłowych.

4

Przełączanie tranzystorów IGBT w podstawowych układach sterowania i obciążenia

Pawelski W.

Elektronika : prace naukowe

|

2002

|

nr 7

95-119

PL

W artykule przedstawiono problematykę przełączania łącznika tranzystorowego IGBT w obwodach obciążenia rezystancyjnych, indukcyjnych (RL) oraz indukcyjnych z diodą rozładowującą (RLD) z uwzględnieniem zróżnicowanych warunków sterowania. Zwrócono szczególną uwagą na oddziaływanie zwrotne obwodu obciążenia na obwód sterowania, które jest szczególnie wyraźne w tego rodzaju łącznikach. Właściwości te zostały zilustrowane symulacjami z zastosowaniem nowego modelu IGBT, opracowanego przez autora. Zamieszczone symulacje potwierdzają przydatność tego modelu, implementowanego w symulatorach środowiska SPICE, do badania i projektowania złożonych układów elektronicznych mocy z tranzystorami IGBT.

EN

The influence of the parameters of direct gate control circuit on the propriety and switching parameters in load circuits of various characters are analysis and described. It is a question of influencing of control on the parameters in steady states and switching waveforms of the IGBT as a switch. They decided about switching times, power losses, overvoltages and result about the maximum loading capacity of that device in evidence condition of the work. The analysis and simulations including in this work can be the base to determine of the designation methods of the IGBT gate circuit. The selection of parameters of that circuit give for designer the valuable chance of the aware and active influence on the switching processes in power electronic circuits. In particular it affect of the switching speed and connected with him the great rate of slope of the currents and voltages in load circuit. New circuit-oriented IGBT transistor model has been used in this work for perform simulation analysis. For its application in this role enable its experimentally verified good accuracy of fit of the real characteristic and waveforms.