Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

3 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: power MOSFETs

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wpływ obudowy urządzenia elektronicznego na przejściową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS

Górecki K., Zarębski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2013

Vol. 54, nr 9

111-113

W pracy przedstawiono i przedyskutowano wyniki badań eksperymentalnych dotyczących wpływu obudowy urządzenia elektronicznego na przejściową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS umieszczonego w takiej obudowie. Opisano sposób realizacji pomiaru przejściowej impedancji termicznej rozważanych tranzystorów, a także opisano zastosowany układ pomiarowy. Wyznaczono wartości parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej badanego tranzystora i przeanalizowano wpływ materiału obudowy na wartości tych parametrów.

In the paper the investigations results concerning the influence of the electronic equipment housing on the transient thermal impedance of the power MOSFET situated in such housing are presented and discussed. The manner of the realization of the measurement of the transient thermal impedance of considered transistors is described, and the used measuring set is presented. Values of parameters of the model of the transient thermal impedance of the investigated transistor are calculated and the influence of a material used for the housing building on the value of these parameters is analysed.

DC measurements method of the thermal resistance of power MOSFETs

Górecki K., Zarębski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 12

10-12

In this paper a new direct-current measuring method of thermal resistance of power MOS transistors is proposed. The conception of this method and the way of its realization are presented. The discussion on the influence of selected factors on the accuracy of the elaborated method is included in this paper. The correctness of the method is verified by comparing the results of measurements obtained with the use of the new method with the results obtained with the infrared method.

W pracy zaproponowano nową statoprądową metodę pomiaru rezystancji termicznej tranzystorów mocy MOS. Przedstawiono koncepcję tej metody i sposób jej realizacji. Przedyskutowano wpływ wybranych czynników na dokładność opracowanej metody. Poprawność metody zweryfikowano przez porównanie wyników pomiarów otrzymanych z wykorzystaniem tej metody z wynikami uzyskanymi przy wykorzystaniu metody pirometrycznej.

Charakterystyki statyczne i parametry tranzystorów MOSFET mocy z krzemu i z węglika krzemu

Górecki K., Zarębski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 9

94-97

W pracy przedstawiono charakterystyki statyczne wysokonapięciowych tranzystorów MOSFET mocy wykonanych z krzemu i z węglika krzemu. Przedyskutowano przebieg tych charakterystyk oraz przeanalizowano wpływ materiału, z którego wykonano tranzystor, na jego właściwości statyczne. Wskazano sytuacje, w których korzystniejsze jest stosowanie elementów wykonanych z węglika krzemu.

In this paper, dc characteristics of high-voltage power MOSFETs fabricated from silicon and silicon carbide are presented. The influence of semiconductor materials on transistors properties are discussed. The situations, in which superiority of silicon carbide transistors is visible, are shown.