PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 11

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  power MOSFET
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Wpływ mozaiki płytki drukowanej na parametry cieplne tranzystorów MOS mocy w obudowach D2PAC
Górecki Krzysztof, Posobkiewicz Krzysztof
Przegląd Elektrotechniczny
|
2023
|
R. 99, nr 9
209--212
PL
W pracy przeanalizowano wpływ mozaiki dwustronnej płytki drukowanej na własne i wzajemne parametry cieplne tranzystorów MOS mocy w obudowach D2PAC. Pomiary przeprowadzono dla 9 różnych rozwiązań systemów chłodzenia rozważanych tranzystorów charakteryzujących się różnym rysunkiem mozaiki, różną liczbą i średnicą przelotek, a także konstrukcją zastosowanych radiatorów. Opisano zastosowaną metodę pomiarową i badane płytki testowe. Przedstawiono i przedyskutowano uzyskane wyniki pomiarów parametrów cieplnych.
EN
The paper analyzes the influence of double-sided printed circuit board mosaic on self and transfer thermal parameters of power MOSFETs in D2PAC packages. The measurements were carried out for 9 different solutions of the cooling systems of the transistors under consideration, characterized by different mosaic patterns, different number and diameter of vias, as well as the design of the heat sinks used. The measurement method used and the tested PCBs are described. The obtained results of measurements of thermal parameters are presented and discussed.
2
Content available remote Realizacja praktyczna układu do pomiaru parametrów cieplnych tranzystorów MOS mocy
Posobkiewicz Krzysztof, Data Aleksander, Górecki Krzysztof
Przegląd Elektrotechniczny
|
2022
|
R. 98, nr 1
143--146
PL
W pracy przedstawiono autorski system pomiarowy do wyznaczania parametrów cieplnych tranzystorów mocy MOSFET umieszczonych na wspólnym podłożu. Zaprezentowano koncepcję metody pomiarowej oraz układ umożliwiający wyznaczenie własnych i wzajemnych przejściowych impedancji termicznych tranzystorów MOSFET. Przedstawiono podstawowe informacje o zastosowanych komponentach układu pomiarowego oraz opisano autorskie oprogramowanie. Pokazano i przedyskutowano przykładowe wyniki pomiarów własnych i wzajemnych przejściowych impedancji termicznych.
EN
The paper presents an original measuring system for determining thermal parameters of power MOSFETs placed on a common base. The concept of the measurement method and the system enabling the determination of self and transfer transient thermal impedances of power MOSFETs are presented. Basic information about the applied components of the measuring system is presented and the proprietary software was described. Some measurements results of the self and transfer transient thermal impedance are shown and discussed.
3
Content available Multiparameter reliability model for SiC power MOSFET subjected to repetitive thermomechanical load
Bąba Sebastian
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2021
|
Vol. 69, nr 3
art. no. e137386
EN
The main drawback of any Design for Reliability methodology is lack of easy accessible reliability models, prepared individually for each critical component. In this paper, a reliability model for SiC power MOSFET in SOT – 227 B housing, subjected to power cycling, is presented. Discussion covers preparation of Accelerated Lifetime Test required to develop such reliability model, analysis of semiconductor degradation progress, samples post-failure analysis and identification of reliability model parameters. Such model may be further used for failure prognostics or useful lifetime estimation of High Performance Power Supplies.
4
Content available remote Wpływ obwodów odciążających na łączeniowe straty energii w przekształtnikach wysokiej częstotliwości
Grzejszczak Piotr, Czaplicki Adam, Szymczak Marek, Barlik Roman
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 6
93--97
PL
Niniejsza praca dotyczy analizy procesów łączeniowych w gałęzi z szybkimi tranzystorami MOSFET. Opisano podstawowe zjawiska towarzyszące szybkim procesom łączeniowym oraz zdefiniowano źródła drgań wartości chwilowych prądu i napięcia na łącznikach. Przybliżono znane z literatury sposoby ograniczania przepięć i tłumienia pasożytniczych drgań obwodu komutacyjnego. Podstawowym celem prowadzonych badań była analiza wpływu obwodów odciążających na łączeniowe straty energii, które są szczególnie istotne w przekształtnikach wysokiej częstotliwości.
EN
This work is devoted to influence of snubber circuits to the fast MOSFET switching. Basic phenomena associated with fast switching were described and sources of transistor current and voltage ringing were defined. The most popular methods of limiting overvoltage and suppressing of parasitic ringing of the MOSFET circuit were presented. The main purpose of the research was the impact of snubber circuits on MOSFET switching energy losses analysis, which are very important in high frequency converters.
5
Content available Current-fed quasi-Z-source H7 inverter with reduced stress on SiC power devices
Trochimiuk P., Zdanowski M., Rabkowski J.
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
|
2019
|
Vol. 67, nr 6
1085--1094
EN
This paper discusses selected problems regarding a high-frequency improved current-fed quasi-Z-source inverter (iCFqZSI) designed and built with SiC power devices. At first, new, modified topology of the impedance network is presented. As the structure is derived from the series connection of two networks, the voltage stress across the SiC diodes and the inductors is reduced by a factor of two. Therefore, the SiC MOSFETs may be switched with frequencies above 100 kHz and volume and weight of the passive components is decreased. Furthermore, additional leg with two SiC MOSFETs working as a bidirectional switch is added to limit the current stress during the short-through states. In order to verify the performance of the proposed solution a 6 kVA laboratory model was designed to connect a 400 V DC source (battery) and a 3£400 V grid. According to presented simulations and experimental results high-frequency iCFqZSI is bidirectional – it may act as an inverter, but also as a rectifier. Performed measurements show correct operation at switching frequency of 100 kHz, high quality of the input and output waveforms is observed. The additional leg increases efficiency by up to 0.6% – peak value is 97.8%.
6
Content available remote Opis procesu wyłączania tranzystora MOSFET w przekształtnikach wysokiej częstotliwości
Grzejszczyk P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2016
|
R. 92, nr 5
171--174
PL
W pracy został przedstawiony zwarty opis analityczny procesu wyłączania tranzystora MOSFET, odnoszący się do rozwiązań stosowanych w układach wysokoczęstotliwościowych. W opisie wykorzystano wyniki analizy symulacyjnej, opartej na bardzo precyzyjnym modelu tranzystora CoolMOS firmy Infineon (IPW60R070C6). Przedstawiono wyniki pomiarów eksperymentalnych mocy traconej przy wyłączaniu tranzystora w falowniku mostkowym pracującym z częstotliwością 100kHz, które potwierdzają poprawność rozważań teoretycznych.
EN
This paper contain a detailed study of high voltage Power MOSFET turn off process which occur in high frequencies applications. Presented description is based on simulation with very precious simulation model of Infineon’s CoolMOS transistor (IPW60R070C6). Experimental results of MOSFET turn off power losses measurement in H-bridge inverter works with 100kHz were also presented. This results confirmed correctness of analytical description presented by the author.
7
Content available The desctiption of turn-off process and evaluation of switching power losses in the ultra fast power MOSFET
Grzejszczak P., Barlik R.
Power Electronics and Drives
|
2016
|
Vol. 1 (36), No. 1
55--67
EN
The article presents an analytical description of the turn-off process of the power MOSFET suitable for use in high-frequency converters. The purpose of this description is to explain the dynamic phenomena occurring inside the transistor and contributing to the switching power losses. The detailed description uses the results of simulation studies carried out using a very precise model of the CoolMOS transistor manufactured by Infineon (IPW60R070C6). The theoretical analysis has been verified in experimental measurements of power dissipated during turn-off transient of MOSFET operating in a full bridge converter with switching frequency of 100 kHz. To estimate these switching losses an original thermovision method based on the measurement of heat dissipated in the power semiconductor switches has been used. The obtained results confirm the correctness of the conclusions drawn from the theoretical analysis presented in this paper.
8
Procesy łączeniowe tranzystorów MOSFET w mostkach wysokonapięciowych
Grzejszczak P., Nowak M., Barlik R.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 12
27-30
PL
W pracy przedstawiono popartą wynikami badań dyskusję nad specyfiką pracy tranzystorów MOSFET w układach mostków, przeznaczonych do pracy z wysoką częstotliwością przy napięciach 300 V lub wyższych. Na podstawie eksperymentów laboratoryjnych oraz symulacji w SPICE rozpoznano warunki przełączania charakteryzujące się z wielkimi stromościami narastania napięcia i prądu i wynikającymi stąd sprzężeniami pomiędzy obwodem głównym i obwodami sterowników bramkowych. Dzięki znajomości zjawisk możliwe jest podjęcie wskazanych w referacie środków prowadzących do zwiększenia odporności układów na interferencję elektromagnetyczną oraz do zmniejszenia strat łączeniowych.
EN
The paper presents discussion based on research results and devoted 3 specific very fast switching processes of high voltage power MOSFET a transistors, which occur in bridge converters operating with high frequency. With SPICE simulations and experimental measurements, specific ii switching conditions with very high dv/dt and di/dt which cause strong / electromagnetic coupling interference between main and driver circuits were recognized. Thanks to the knowledge gained, appropriate means could be proposed for decreasing switching losses and better electromagnetic interference resistance.
9
Combining various modeling techniques for power electronic systems in automotive applications
Niemiec H., Szelest M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 12
39-41
EN
Rapidly increasing complexity of electrical designs in automotive applications leads to growing role of system level modeling and simulation techniques in the design verification. This kind of verification requires integration of models describing system behavior at various fidelity levels: from behavioral control blocks to single device electrical models. Growing interest in power electronics applications due to hybrid vehicles developments has become another challenge for modeling and simulation engineers. This papers describes combination of various modeling techniques - from state diagrams to transistor level modeling - which allow time efficient and accurate representation of both steady-state and transient response (including self-heating effects) of a complex power electronics system in automotive applications.
PL
Gwałtownie rosnąca złożoność układów elektronicznych stosowanych w układach elektroniki samochodowej wymaga stosowania nowoczesnych technik modelowania i symulacji. Model urządzenia elektrycznego musi zapewniać wymaganą dokładność i jednocześnie gwarantować akceptowalny czas niezbędny do przeprowadzenia symulacji jego działania. Pociąga to za sobą konieczność modelowania na różnych poziomach abstrakcji, począwszy do modelu na poziomie fizycznym, poprzez model na poziomie połączeń między podstawowymi blokami funkcyjnymi, po model na poziomie systemowym. Dzięki temu można opracować bardzo wydajny i dokładny model symulacyjny wielofazowej przetwornicy prądu stałego uwzględniający zjawiska związane ze zmianą parametrów układu związane z nagrzewaniem się wybranych elementów.
10
Content available Analysis and optimization of LUDMOS transistors on a 0.18um SOI CMOS technology
Toulon G., Cortés I., Morancho F., Villard B.
International Journal of Microelectronics and Computer Science
|
2010
|
Vol. 1, nr 1
3-8
EN
This paper is focused on the design and optimization of power LDMOS transistors (V br > 120 Volts) with the purpose of being integrated in a new generation of Smart Power technology based upon a 0.18 μm SOI-CMOS technology. The benefits of applying the shallow trench isolation (STI) concept along with the 3D RESURF concept in the LDMOS drift region is analyzed in terms of the main static (Ron-sp/Vbr tradeoff) and dynamic (Miller capacitance and QgxRon FOM) characteristics. The influence of some design parameters such as the polysilicon gate electrode length and the STI length are exhaustively analyzed.
11
Analiza rezonansowego falownika klasy E
Szychta E.
Zeszyty Naukowe Politechniki Świętokrzyskiej. Elektryka
|
2005
|
Z. 42
353-370
PL
W artykule omówiono rezonansowy falownik ZVS przeznaczony do pracy z częstotliwością 100 kHz. Obwód rezonansowy falownika poddano analizie matematycznej z wykorzystaniem metody zmiennych stanu. Przedstawiono wyniki badań symulacyjnych w oparciu o programy: SIMULINK oraz Simplorer.
EN
The paper presents an one-phase resonant ZVS inverter using MOSFET transistor, designed to operate at frequency of 100 kHz. The resonant circuit have been analysed. Results of inverter simulation tests using SIMULINK and Simplorer software have been discussed.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.