Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  powder activation
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Otrzymywanie jednofazowych tworzyw z węglika krzemu metodą spiekania swobodnego wymaga aktywowania proszku - borem i węglem. Pierwszym, który użył wymienionych aktywatorów i wyjaśnił ich rolę był S. Prochazka. Sugerował on, że aktywatory zgodnie z równaniem Younga zwiększają poprzez zmiany energii powierzchniowej i granic międzyziarnowych kąt dwuścienny i w ten sposób doprowadzają do spieczenia układu. Wykonane pomiary kątów dwuściennych w następujących układach: czysty SiC, SiC dotowany węglem i borem, SiC dotowany węglem i SiC aktywowany borem wykazały, że ich wartości znacznie przewyższają wartość graniczną 60 stopni, powyżej której układ dobrze się spieka. Ponadto wartości kątów dwuściennych dla wymienionych układów są zbliżone. Sporządzona dodatkowo statystyczna weryfikacja hipotez potwierdziła wcześniejsze przypuszczenia, że otrzymane wartości kątów dwuściennych można uważać za porównywalne, a niewielkie różnice między nimi są powodowane błędem pomiarowym. Dane te pozwalają stwierdzić, że nie ma termodynamicznych przeszkód spiekania SiC.
EN
Obtaining SiC single phases by sintering method requires powder activation with boron and carbon. The first scientist who used these additives and explained of their role basing on process thermodynamics of sintering was Prochazka. Dihedral angle of pure SiC does not reach a boundary value 60 degrees and therefore the elimination of pores does not follow. In accordance with Youngs equation the additives increase dihedral angle value. They change surface and grain boundaries energies. Measurements of dihedral angles were made for the following systems: SiC activated of boron and carbon, SiC activated of boron, SiC activated of carbon and pure SiC. These measurements show that dihedral angles values exceed boundary value 60 degrees and these values are alike. The statistic verification of hypothesis shows that dihedral angles for different systems are comparable. Insignificant differences among dihedral angle values are caused by measurement errors. These data allow to conclude that thermodynamic obstacles do not exist in sintering of SiC.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.