Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: post-process annealing

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wpływ wygrzewania na właściwości cienkich warstw tlenku wanadu

Kiełczawa Szymon, Lubańska Aneta, Mazur Michał, Wiatrowski Artur

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2021

Vol. 62, nr 4

18--20

W pracy przedstawiono wyniki badań wpływu wygrzewania na właściwości cienkich warstw tlenków wanadu (VxOy) wytworzonych metodą rozpylania magnetronowego. Cienkie warstwy bezpośrednio po naniesieniu oraz po wygrzewaniu w 200°C zostały poddane badaniom strukturalnym, optycznym oraz elektrycznym. Współczynnik transmisji cienkich warstw po wygrzewaniu zmniejszył się z około 70% na 50%. Z kolei rezystywność cienkiej warstwy tlenku wanadu po naniesieniu wynosiła 3.4·10⁴ Wcm, natomiast powłoki po wygrzaniu 1.6·10² Wcm. Badania współczynnika Seebecka wykazały, że wraz ze wzrostem różnicy temperatury między kontaktami elektrycznymi następuje zmiana typu przewodnictwa z dziurowego na elektronowy, a wygrzanie warstwy spowodowało uwydatnienie elektronowego typu przewodnictwa.

This paper provides the research results of the influence of the post-process annealing of vanadium oxide (VxOy) thin films deposited by magnetron sputtering on their properties. As-deposited and annealed at 200°C thin films were analysed by means of their structural, optical and electrical properties. The transmission of thin films after annealing decreased from ca. 70% to 50%. In turn, the resistivity of the vanadium oxide thin films was equal to 3,4·10⁴ Wcm, while after post-process annealing it decreased to 1.6·10² Wcm. The studies of the Seebeck coefficient showed that with the increase of the temperature difference between the electrical contacts, the type of conductivity changes from hole to electron type, while the annealing of the layer enhances the electronic type of conductivity.

Właściwości termoelektryczne cienkich warstw tlenków miedzi wytworzonych metodą rozpylania magnetronowego

Mańkowska Ewa, Lubańska Aneta, Kaczmarek Danuta

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2020

Vol. 61, nr 10

4--6

W niniejszej pracy przedstawiono wyniki badań właściwości termoelektrycznych cienkich warstw tlenków miedzi (CuxO). Metodą rozpylania magnetronowego wytworzono powłokę cienkowarstwową składającą się z krystalitów metalicznej miedzi oraz Cu2O. Wygrzewanie poprocesowe w temperaturach 200°C, 300°C i 350°C spowodowało zmiany składu fazowego powłoki. Rezystywność cienkiej warstwy CuxO tuż po naniesieniu wynosiła 1,9•10-4Ωcm, natomiast powłoki wygrzanej w temperaturze 200°C wynosiła 3,2 Ωcm. Dalszy wzrost temperatury wygrzewania powodował spadek wartości rezystywności. Na podstawie pomiarów współczynnika Seebecka stwierdzono, że wszystkie wytworzone warstwy charakteryzowały się dziurowym typem przewodnictwa.

This paper provides the results of research on the thermoelectric properties of copper oxides (CuxO) thin films. Produced by magnetron sputtering method CuxO thin film consists of metallic copper and Cu2O crystallites. Post-process annealing at 200°C, 300°C and 350°C resulted in the modification of coating phase composition. The resistivity of the as-deposited CuxO thin film was equal to 1.9•10-4Ωcm, while the resistivity thin film annealed at 200°C was equal to 3.2 Ωcm. A further increase in the annealing temperature resulted in a decrease of resistivity value. Based on Seebeck coefficient measurements, it was found that all coatings were characterized by p-type conductivity.