Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Porous silicon : obtainig, properties and applications

Craciunoiu F., Miu M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 8

24-27

EN

Silicon wafer during electrochemical etching process is changed into a sponge structure named porous silicon. Porous silicon due to the well-developed surface area can be used in many applications. The present paper tries to review some of our recent results related to porous silicon, a special attention being dedicated using it as the substrate for cold field emitters.

PL

W czasie trawienia elektrochemicznego płytka krzemu jest przekształcana w strukturę typu gąbka zwaną porowatym krzemem. Porowaty krzem z powodu dobrze rozwiniętej powierzchni właściwej może być stosowany w wielu aplikacjach. W artykule przedstawiono wyniki ostatnich badań wykonanych w IMT-Bucharest, dotyczących porowatego krzemu, zwłaszcza jego zastosowania jako podłoża dla emiterów polowych.

2

Liquid crystal monolayers on silicon surface

Szeląg A., Trybała A., Stańczyk W.

Polish Journal of Applied Chemistry

|

2009

|

Vol. 53, nr 1

93-99

EN

Surface Organometallic Chemistry (SOMC) methods have been applied, for the first time, in synthesis of liquid crystalline (LC) layers on silicon wafer surface. We have obtained unique materials with modified semiconductor (Si) surface, which can be applied in opto-electronics as switching and coupling devices as well as orienting optical elements in liquid crystalline cells. The covalently bonded LC monolayers can orient low molecular weight LC thin films up to -10 |im thickness. They are expected to be used primarily as a novel type of couplers and routers in laser telecommunication technology. The evaluation of the most effective analytical methods is also presented.

3

Porous surface silicon layers in silicon solar cells

Panek P., Dutkiewicz J., Levy-Clement C., Lipiński M., Bielańska E., Wodnicka K.

Archives of Metallurgy and Materials

|

2005

|

Vol. 50, iss. 2

417-421

EN

The porous silicon (PSi) layers have been studied in the aspect of their application in the multicrystalline silicon (mc-Si) solar cells. The macroporous layers were prepared by double-step chemical etching prior to the donor diffusion. They have been investigated using scanning (SEM) and transmission (TEM) electron microscopy to reveal the morphology of PSi layers. The techniques of spectral response and current-voltage characteristics have been used to determine the opto-electrical parameters of the solar cells. The porosity was measured by the mercury porosimetry and nitrogen sorption method. The porous layers reported here have had a sponge-like homogeneous structure over the whole 25 cm2 surface of each sample and the decreased effective reflectance (Reff) below 10%. As a final result the mc-Si solar cells with PSi layer were obtained with the conversion effciency (Eff) over 13%.

PL

W pracy przedstawiono metodę uzyskania redukcji odbicia fektywnego ( Eeff) poniżej 10% od powierzchni krzemu multikrystalicznego ( mc-Si ) dla promieniowania w zakresie 400÷1100 nm długości fali. Metoda polega na chemicznym trawieniu powierzchni mc-Si w roztworach na bazie HNO3:HF i wytworzeniu powierzchniowej tekstury geometrycznej w formie porów o średnicy od 30÷800 nm i porownywalnej głębokości. Krzem multikrystaliczny z warstwami krzemu porowatego wykorzystano do wytworzenia ogniw słonecznych. W zależnosci od wielkości porów otrzymano ogniwa o sprawności konwersji fotowoltaicznej od 9.8% do 13.0%.

4

Optical and microstructural properties of granded porous silicon layer

Lipiński M., Czternastek H., Sokołowski M., Panek P.

Archives of Metallurgy and Materials

|

2005

|

Vol. 50, iss. 2

387-393

EN

In this work we present the results of investigations of porous silicon (PS) layers for solar cells application. The PS was formed by chemical etching (stain etching) of n+-p Si substrate in a solution of HF, HNO3 and H2O. The dielectric response of a PS layer was modeled using a Bruggeman effective-medium approximation. It was shown that PS layer could be described by a model of graded layer with effective optical constants n(eff) and k(ef f) changing from these of bulk material (silicon) to these of surrounding (air). The porosity of the PS layer changed from 10% near the bulk silicon region to nearly 85% at the silicon-air interface. The effective reflectance of Cz-Si surface decreased to about 5% after PS layer formation.

PL

Przedstawiono wyniki badań własności optycznych i mikrostrukturalnych gradientowej warstwy z porowatego krzemu naniesionej metodą chamicznego trawienia. Podłożem były płytki polerowanego krzemu typu p z uformowanym złaczem n+-p. Do symulacji własności wynikających z istniejącego gradientu założono wielowarstwową strukturę porowatego krzemu stosując przybliżenie Bruggeman’a efektywnego ośrodka. Określono wartości współczynnika załamania i ekstynkcji (neff i keff) w warstwie porowatego krzemu w funkcji długosci fali światła oraz odległoćci od powierzchni krzemowego podłoża. Porowatość zmieniała się w granicach od 10% w pobliżu granicy podłoże-krzem porowaty do około 85% na granicy krzem porowaty-powietrze. Efektywny współczynnik odbicia dle krzemu z naniesiona warstwa porowatego krzemu wynosił tylko 5% w porównaniu z 25% wartoscią współczynnika odbicia od steksturyzowanej w KOH powierzchni multikrystalicznego krzemu.