Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: population inversion

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

XUV and soft X-ray laser radiation from nickel-like lanthanide

Abdelaziz W. S., Hamed H. M., Farrag A. A. H.

Optica Applicata

2011

Vol. 41, nr 4

971--978

Atomic structure data and effective collision strengths for 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 and 54 fine-structure levels contained in the configurations 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d9 4l (l = s, p, d, f) for the nickel-like La ion have been investigated. These data are used in the determination of the reduced population for the 55 fine structure levels over a wide range of electron densities (from 1020 to 1022) and at various electron plasma temperatures. The gain coefficients for those transitions with positive population inversion factor are determined and plotted against the electron density.

Wykorzystanie metody Monte Carlo do modelowania właściwości struktur kwantowych laserów kaskadowych

Borowik P., Adamowicz L., Thobel J-L.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 10

96-98

Od wielu lat różne realizacje metody Monte Carlo (MC) znajdują zastosowanie jako jedne z najbardziej efektywnych narzędzi teoretycznych pozwalających na ilościowe poznanie właściwości materiałów i urządzeń elektronicznych, również na poziomie uwzględnienia złożonych efektów kwantowych. Wytwarzanie struktur kwantowych laserów kaskadowych (QCL) w Instytucie Technologii Elektronowej stało się dla nas impulsem do wykorzystania metody MC w odniesieniu do modelowania takich struktur półprzewodnikowych. Przeprowadzone badania pozwalają na głębsze poznanie mikroskopowych mechanizmów rządzących transportem elektronów w strukturze QCL. Możliwe jest uzasadnienie teoretyczne powstawania inwersji obsadzeń pomiędzy poziomami laserującymi. Analiza danych pokazuje, w jaki sposób dochodzi do inwersji oraz które poziomy energetyczne struktury mają wpływ na przebieg tego procesu.

For many years different implementations of Monte Carlo method (MC) are used as one of the most effective theoretical tools allowing the guantitative description of materials and electronic device properties. Also complex quantum effects can be included in these studies. Realization of quantum cascade laser (QCL) structures at the Institute of Electron Technology in Warsaw stimulated us to use the MC method for modeling such structures in order to bring a deeper understanding of microscopic mechanisms governing the transport of electrons. We are able to demonstrate the theoretical justification of formation of population inversion between the lasing levels. The data analysis allows us to determine which energy levels take part in the described process.