Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2013

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: pomiary MOSFETs

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wpływ obudowy urządzenia elektronicznego na przejściową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS

Górecki K., Zarębski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2013

Vol. 54, nr 9

111-113

W pracy przedstawiono i przedyskutowano wyniki badań eksperymentalnych dotyczących wpływu obudowy urządzenia elektronicznego na przejściową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS umieszczonego w takiej obudowie. Opisano sposób realizacji pomiaru przejściowej impedancji termicznej rozważanych tranzystorów, a także opisano zastosowany układ pomiarowy. Wyznaczono wartości parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej badanego tranzystora i przeanalizowano wpływ materiału obudowy na wartości tych parametrów.

In the paper the investigations results concerning the influence of the electronic equipment housing on the transient thermal impedance of the power MOSFET situated in such housing are presented and discussed. The manner of the realization of the measurement of the transient thermal impedance of considered transistors is described, and the used measuring set is presented. Values of parameters of the model of the transient thermal impedance of the investigated transistor are calculated and the influence of a material used for the housing building on the value of these parameters is analysed.