Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: pomiary C-V

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Osadzanie i charakteryzacja cienkich warstw dielektrycznych AlOxNy

Firek P., Veklych A., Sochacki M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2016

Vol. 57, nr 10

54--57

W pracy przedstawiono wyniki badań warstw dielektrycznych tlenkoazotku glinu (AlOxNy), wytworzonych metodą reaktywnego osadzania magnetronowego na podłożach krzemowych oraz węgliko-krzemowych. Zbadany został wpływ parametrów technologicznych procesu na najważniejsze parametry elektrofizyczne uzyskiwanych warstw. Redukcja liczby eksperymentów przy użyciu tablic ortogonalnych Taguchi’ego oraz charakteryzacja optyczna i elektryczna struktur MIS (Metal-Isolator-Semiconductor) wytwarzanych na podłożach Si w pierwszej części pracy umożliwiły dokonanie wyboru najkorzystniejszych parametrów procesów osadzania z punktu widzenia docelowych parametrów warstwy dielektrycznej. Pozwoliło to w dalszej kolejności na realizację odpowiednich procesów osadzania na podłożach SiC, które zostały przeanalizowane w drugiej części pracy. Uzyskane wyniki badań wskazały potencjalne zastosowanie warstw dielektrycznych na bazie glinu, które mogą zostać wykorzystane jako warstwy pasywujące w przyrządach wysokonapięciowych.

In this work, the results of investigations of aluminum oxynitride (AlOxNy) dielectric thin films, deposited by reactive magnetron sputtering on silicon and silicon carbide substrates were presented. The main purpose of this work was the development of AlOxNy dielectric thin films and investigation of the influence of deposition parameters on the electrophisical parameters. The use of Taguchi’s orthogonal arrays methods to reduce the number of experiments and the optical and electrical characterization of MIS (Metal-Isolator-Semiconductor) structures on Si in the first part of the work allow the deposition process optimization. Subsequently, mentioned earlier reasons allow to prepare processes based on the SiC substrate analysis of these processes has been presented in the second part of the work.The results of this work show the opportunity of potential applications of the AlOxNy dielectric thin films as passivation layers in the production of high voltage devices.

Elektryczne profile w epitaksjalnym GaAs:Si z dużą koncentracją defektów o niejednorodnych rozkładach przestrzennych indukowanych przerwą wzrostu

Kaczmarczyk M., Kaniewska M., Engström O.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 5

163-171

Przedmiotem badań w niniejszej pracy były głębokie pułapki w strukturach z GaAs:Si, które stanowiły odniesienie dla struktur z kropkami kwantowymi (quantum dots, QDs) z InAs/GaAs. Struktury te wykonano podobnie jak struktury z QDs, tj. epitaksją z wiązek molekularnych (molecular beam epitaxy, MBE) stosując technikę przerwy wzrostu w nadmiarze arsenu, jedynie wykluczając depozycję In. Pułapki charakteryzowano spektroskopią głębokich poziomów (deep level transient spectroscopy, DLTS), techniką pomiarów pojemności w funkcji napięcia polaryzacji, C-V, oraz wykorzystując obie te techniki w modzie profilowań wgłębnych. Profilowanie C-V włącza opis teoretyczny, który uwzględnia wyniki DLTS, tj. wysoką koncentrację defektów R4 i R5 i ich niejednorodny rozkładach przestrzenny. Umożliwił on interpretację tych zarówno już znanych, jak i nowych anomalii zaobserwowanych w takiej sytuacji w eksperymentalnych rozkładach koncentracji nośników. Zaproponowany model teoretyczny wraz z wynikami pomiarów w szerokim zakresie temperatury i ich prezentacją w postaci konturowych wykresów koncentracji nośników, Ncv, na płaszczyźnie we współrzędnych napięcia, VR i temperatury, T, (VR, T) stanowi alternatywne podejście w zakresie charakteryzacji defektów. Prezentowana metodologia profilowania C-V ma charakter ogólnego zastosowania i może być wykorzystana w diagnostyce zdefektowanych materiałów i struktur.

Deep level transient spectroscopy, DLTS, and capacitance versus voltage measurements, C-V, as well as both techniques in their profiling modes, were used to study electron traps in MBE-grown GaAs structures. The structures were reference samples for devices containing InAs/GaAs quantum dots and were prepared by an identical technique, except for the introduction of the quantum dots. C-V profiling includes theoretical description and interpretation of new anomalies in the carriers concentration profiles found in the presence of the defects with high concentrations and inhomogeneous distributions. The theoretical model together with experimental results of free-carrier concentrations in a wide temperature range and their presentation in a contour representation on a (VR T)- plane is a novel approach for defect characterization. The methodology can be used for diagnostics and characterization of defected semiconductor materials and structures.