Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  polycrystalline
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
In the present research, we used molecular dynamics simulation to determine the effect of cutting parameters on micro-grain boundary structures and Burgers vector distribution in single crystal iron and polycrystalline iron materials. The result showed that the destruction of the lattice in polycrystalline iron caused by the cutting tool was restricted to the contact surface area. In addition, in the precision machining process, a higher refining grain was observed on the iron surface. During the cutting process of single crystal iron, large-scale slip occurred along the <111> crystal direction on the {110} crystal plane. And the slip presented an annular shape.
EN
This experiment uses perforated ACP as a cooling medium mounted on the back of a 100 Wp polycrystalline type photovoltaic panel, ACP with a hole diameter of 10 mm as passive cooling, which functions to reduce the temperature of the photovoltaic panel which has increased due to an increase in temperature. Radiation and excess heat from the Sun from 09.00 am to 15.00 pm, which is the peak of solar heat in subtropical areas such as Indonesia. The decrease in the temperature of the PV panels installed using the ACP cooler with a maximum of 9.13C due to the free convection process will cause an increase in the maximum output power of the PV panel of 11.15 W.
PL
W tym eksperymencie zastosowano perforowany ACP jako czynnik chłodzący zamontowany z tyłu panelu fotowoltaicznego typu polikrystalicznego o mocy 100 Wp, ACP o średnicy otworu 10 mm jako chłodzenie pasywne, którego zadaniem jest obniżenie temperatury panelu fotowoltaicznego, która wzrosła ze względu na wzrost temperatury. Promieniowanie i nadmiar ciepła ze Słońca od 09:00 do 15:00, co jest szczytem ciepła słonecznego w obszarach podzwrotnikowych, takich jak Indonezja. Spadek temperatury paneli fotowoltaicznych zainstalowanych przy użyciu chłodnicy ACP o maksymalnie 9,13C w wyniku procesu konwekcji swobodnej spowoduje wzrost maksymalnej mocy wyjściowej panelu fotowoltaicznego o 11,15 W.
3
Content available remote Electrical properties mono- and polycrystalline silicon solar cells
EN
Purpose: The goal of this article was to compare the properties of mono- and polycrystalline silicon solar cells. It was based on measurements performed of current-voltage characteristics and calculated parameters using mathematical formulas. Design/methodology/approach: Light and dark current-voltage characteristics of solar cells were measured using a solar simulator PV Test Solutions company SS150AAA model. The measurements were performed under standard conditions (Pin = 1000 W/m², AM1.5G spectrum, T = 25°C). The basic characteristic of the solar cells were determined using the software SolarLab and calculated using mathematical formulas. Findings: Results and their analysis allow to conclude that measurements of current-voltage characteristics enable characterization of the basic parameters of solar cells. Can give important information about the property of prepared metallic contacts on the solar cells. Practical implications: Knowledge about the current-voltage characteristics of solar cells and their basic parameters enables the assessment of the quality of their production and the improvement. Originality/value: The paper presents some researches of the basic parameters of mono- and polycrystalline solar cells determining the current-voltage characteristics.
EN
The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers and holes in the p-quaterphenyl layers is considered. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggests influence of collisions as a source of injection of the charge through surface potential barrier of adsorption.
PL
Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu i p-kwaterfenylu. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora sugeruje wzrost natężenia prądu związanego z adsorpcją jako wynik procesów dwuciałowych zderzeń z wstrzykiwaniem nośników ładunku do warstwy. Uzyskane wartości potwierdzają wyniki dla badanych związków uzyskane przy założeniu hoppingowego mechanizmu przewodzenia opisanego w [3, 4].
PL
Celem pracy było przeprowadzenie badań porównawczych tekstury materiałów uzyskanych metodą EBSD za pomocą mikroskopu skaningowego INSPECTF z wynikami otrzymanymi z wykorzystaniem otwartego koła Eulera za pomocą dyfraktometru Siemens D5005. Wykonano badania na próbkach ze stali austenitycznej po ściskaniu oraz na próbce ze stali IFpo walcowaniu. Wyniki badań otrzymane obiema metodami dla materiału jednorodnie odkształconego w objętości, wykazują dużą zgodność w rozmieszczeniu maksimów na figurach biegunowych (próbka ze stali IF).
EN
The purpose of the work was to carry out the comparative research on the texture of materials obtained by EBSD method using INSPECTF scanning microscope with the results obtained by means of the Euler open wheel using Siemens D5005 diffractometer. The tests were carried out on austenitic steel samples after compression and on IF steel sample after rolling. The results obtained for the material uniformly strained at volume by using both methods show high conformity in distribution of maximums on pole figures (IF steel sample).
EN
The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers is considered. Obtained results may suggests the hopping transport through the localized states near the Fermi level as a dominant kind of transport. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggest some ability to utilize.
PL
Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu. Uzyskane wyniki zdaj się sugerować, że mamy tu do czynienia, z jako dominującym transportem, z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne.
7
Content available remote Charge carrier conductivity mechanism for activated p-quaterphenyl layers
EN
Charge carrier conductivity mechanism for holes in activated p-quaterphenyl layers was investigated in this work. The results suggest that hopping transport through the localized states near the Fermi level dominate in those layers. The process of activation leads to the growth of the dc conductivity in aromatic hydrocarbons and this is the reversible process. This suggest the possibility to utilize in practice.
PL
Badano proces aktywacji i proces transportu dziur w warstwach p-czterofenylu. Uzyskane wyniki zdają się sugerować, że mamy tu do czynienia, z jako dominującym transportem, z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego. Zależność procesów przewodnictwa od stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne.
8
Content available remote The magnitude of the order and the hole transport in the tetracene films
EN
The hole drift mobility for polycrystalline, quasi-amorphous and amorphous tetracene films were carried out. The tetracene films were obtained with the aid of vacuum evaporation technique. Tetracene was deposited on the glass substrates with the room temperature as a polycrystalline and with the substrate temperature 140 - 150 K as a amorphous one in vacuum of the order of 10 -5 Torr. The hole mobilities were evaluated using the time-of-flight method in the air environment. Obtained results suggest that we have to do with hopping transport through localized states near the Fermi level.
PL
Przeprowadzono kompleksowe badania ruchliwości dziur metodą czasu przelotu w cienkich warstwach tetracenu, będącego przedstawicielem niskowymiarowych związków organicznych. Warstwy tetracenu były uzyskane metodą próżniowego naparowywania na podłoża szklane w temperaturze pokojowej (warstwy polikrystaliczne) i chłodzone ciekłym azotem do temperatury 140 - 150 K (warstwy quasi-amorficzne i amorficzne). Badania miały na celu uchwycenie korelacji pomiędzy własnościami elektrycznymi, a uporządkowaniem strukturalnym warstwy. Uzyskane rezultaty dla ruchliwości dryftowej dziur (warstwy polikrystaliczne ok. 2,5-10 -3 cm²/Vs, zaś quasi-amorficzne i amorficzne od 6-10 -4 do 3-10 -3 cm²/Vs) zdają się sugerować, że zwiększanie stopnia nieuporządkowania strukturalnego warstw tetracenu nie ma istotnego wpływu na transport dziur w przypadku badań prowadzonych w powietrzu. Tłumaczy się to przez konkurencję pomiędzy licznymi stanami wprowadzanymi przez oddziaływanie z cząsteczkami powietrza (N2, O2) a stanami wprowadzanymi przez istnienie barier na granicy ziaren. Zjawisko to zdaje się potwierdzać uzyskiwanie prawie Gaussowskiego kształtu impulsu prądowego nawet w przypadku struktur amorficznych. Wydaje się, że dominującym mechanizmem transportu dziur w warstwach tetracenu jest transport hoppingowy poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.