Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: polisilikon

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Czystość i trwałość elewacji. silikonowe środki hydrofobizujące i farby do ochrony porowatych materiałów budowlanych

Zielecka M., Miazga A.

Farby i Lakiery

2010

nr 3

3--8

Prawidłowe zabezpieczenie materiałów budowlanych przed korozją pod wpływem czynników atmosferycznych i agresywnych zanieczyszczeń powietrza jest wciąż bardzo ważne, ponieważ, pomimo działań związanych z ograniczaniem emisji zanieczyszczeń, deterioracja budowli zarówno współczesnych jak i zabytkowych występuje nadal, zwłaszcza w ciągle rozrastających się aglomeracjach miejskich i w regionach uprzemysłowionych. Doskonała odporność polimerów krzemoorganicznych, a zwłaszcza żywic silikonowych na niszczące działanie nie tylko naturalnych czynników atmosferycznych, lecz również agresywnych zanieczyszczeń takich jak kwaśne deszcze czy patyna miejska, potwierdzona jest wieloletnimi wynikami aplikacji silikonowych środków do hydrofobizacji materiałów budowlanych oraz farb elewacyjnych. Niewątpliwie jest to związane z unikalną budową chemiczną polisiloksanów.

A simple semi-analytical model for the Kink effect for the intrinsic n-channel polysilico thin film transistors

Siddiqui M. J., Qureshi S., Alshariff S. M.

Electron Technology : Internet Journal

2007

Vol. 39, nr 1

1-4

In order to improve the modeling of Polysilicon thin film transistors (Poly-Si-TFTs) a precise evaluation of the excess current due to impact ionization is needed. In this paper we have proposed a simple model for the excess current resulting from the impact ionization occurring at high drain biases. Model is based on the estimation of the electric field in the saturated part of the channel. The electric field in the saturated region is obtained by the solution of the two- dimensional Poisson's equation. The model is semi-analytical and uses only one fitting parameter which is desirable for circuit simulation. The simulation results with the developed impact ionization current model are in excellent agreement with the available experimental output characteristics of the intrinsic n-channel Poly-Si-TFTs.